電容文章最新資訊

十分透徹！詳解去耦電容！文科生看完都理解了！

什么是去耦電容，為什么要去耦1.簡(jiǎn)介去耦（decoupling）電容也稱(chēng)退耦電容，一般都安置在元件附近的電源處，用來(lái)濾除高頻噪聲，使電壓穩(wěn)定干凈，保證元件的正常工作。2.分析對(duì)于一個(gè)電路系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，一般有多個(gè)負(fù)載，這些負(fù)載的供電都來(lái)自于同一個(gè)電源理想情況下，對(duì)于某個(gè)負(fù)載，電源應(yīng)該是這樣子的但是電路板上各個(gè)負(fù)載的工作都要?jiǎng)討B(tài)地吸收電流，造成的供電電壓的不穩(wěn)，變成了下面這樣子也就是在5V的DC上疊加了各種高頻率的噪聲，這些噪聲是由于器件對(duì)供電電流的需求導(dǎo)致的電壓波動(dòng)，可以看成是在DC 5V上“耦和”了由于器件工
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鋁電解電容為什么不能承受反向電壓

下圖顯示了鋁電解電容的基本結(jié)構(gòu)，它由陽(yáng)極（ anode ）、在絕緣介質(zhì)上附著的氧化鋁構(gòu)成的鋁層，接收極的陰極鋁層，和真正的由電解液構(gòu)成的陰極。電解液浸透在兩個(gè)鋁層間的紙上。氧化鋁層是通過(guò)電鍍?cè)阡X層上，相對(duì)于加在其上的電壓來(lái)說(shuō)是非常薄的，很容易被擊穿，導(dǎo)致電容失效。氧化鋁層可以承受正向的直流電壓，如果其承受反向的直流電壓，其很容易在數(shù)秒內(nèi)失效。這個(gè)現(xiàn)象被稱(chēng)為‘ Valve Effect ’，這就是為什么鋁電解電容擁有極性的原因，如果電解電容的兩個(gè)電極都有氧化層，則形成無(wú)極性電容。許多文章報(bào)道了鋁電解電容反向
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電路中令人頭大的元器件，一起來(lái)捋一捋

電容是由兩塊平行的導(dǎo)電極板所構(gòu)成，充電時(shí)以電場(chǎng)形式進(jìn)行能量?jī)?chǔ)存。并可以在放電電路中把儲(chǔ)存的能量釋放。電容根據(jù)其在電路中所起作用分為耦合電容、旁路電容、濾波電容，定時(shí)電容、自舉電容、定時(shí)電容、加速電容、軟啟動(dòng)電容、諧振電容等。旁路電容多出現(xiàn)在和電阻并聯(lián)形式電路，為交流信號(hào)、高頻信號(hào)提供的低阻抗通路，也可以把由于電流的波動(dòng)，而產(chǎn)生噪音旁路到地。耦合對(duì)交流來(lái)說(shuō)就是連接，無(wú)損傳遞的意思。定時(shí)電容是利用電容充放電規(guī)律特性，用于電源電路中的驅(qū)動(dòng)脈沖寬度、頻率控制。諧振電容往往是電容和電感相伴出現(xiàn)。它倆之間的充放電而形
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初創(chuàng)公司的模擬AI承諾為PC提供強(qiáng)大功能

Naveen Verma?在普林斯頓大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室就像一個(gè)博物館，展示了工程師們?cè)噲D通過(guò)使用模擬現(xiàn)象而不是數(shù)字計(jì)算來(lái)提高 AI 超高效的所有方法。一個(gè)工作臺(tái)上是有史以來(lái)最節(jié)能的基于磁記憶的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算機(jī)。在另一個(gè)位置，您會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)基于電阻存儲(chǔ)器的芯片，它可以計(jì)算迄今為止任何模擬 AI?系統(tǒng)中最大的數(shù)字矩陣。Verma 表示，兩者都沒(méi)有商業(yè)前景。不那么仁慈的是，他實(shí)驗(yàn)室的這一部分是一個(gè)墓地。多年來(lái)，Analog AI?一直吸引著芯片架構(gòu)師的想象力。它結(jié)合了兩個(gè)關(guān)鍵概念，這兩個(gè)概念
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去耦電容：原理、選型、容值計(jì)算、布局布線(xiàn)

電源完整性在現(xiàn)今的電子產(chǎn)品中相當(dāng)重要。有幾個(gè)有關(guān)電源完整性的層面：芯片層面、芯片封裝層面、電路板層面及系統(tǒng)層面。在電路板層面的電源完整性要達(dá)到以下三個(gè)需求：1、使芯片引腳的電壓噪聲+電壓紋波比規(guī)格要求要小一些（例如芯片電源管腳的輸入電壓要求1V之間的誤差小于+/-50 mV）2、控制接地反彈（地彈）（同步切換噪聲SSN、同步切換輸出SSO）3、降低電磁干擾（EMI）并且維持電磁兼容性（EMC）：電源分布網(wǎng)絡(luò)（PDN）是電路板上最大型的導(dǎo)體，因此也是最容易發(fā)射及接收噪聲的天線(xiàn)?！暗貜棥保侵感酒瑑?nèi)部“地”電
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為什么是0.1uF電容？

旁路電容是電子設(shè)計(jì)中常用的電容器之一，主要用于過(guò)濾電源噪聲和穩(wěn)定電源電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，0.1uF電容器是最常用的旁路電容值之一，那么為什么常用旁路電容是0.1uF而不是其他值？這個(gè)值又是怎么來(lái)的呢？本文將深入探討這個(gè)問(wèn)題。旁路電容濾除電源輸出干擾在實(shí)際應(yīng)用中，旁路電容的選擇需要考慮多個(gè)因素，例如電源噪聲頻率、容值大小、ESR、EMI等。不同的電路設(shè)計(jì)可能需要不同的旁路電容值。但是，我們發(fā)現(xiàn)0.1uF電容器是最常用的旁路電容值之一。01容值大小旁路電容的大小需要根據(jù)電路的實(shí)際情況來(lái)選擇，電源噪聲的濾波電容
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MLCC制作工藝流程

MLCC制作工藝流程：1、原材料——陶瓷粉配料關(guān)鍵的部分(原材料決定MLCC的性能)；2、球磨——通過(guò)球磨機(jī)(大約經(jīng)過(guò)2-3天時(shí)間球磨將瓷份配料顆粒直徑達(dá)到微米級(jí))；3、配料——各種配料按照一定比例混合；4、和漿——加添加劑將混合材料和成糊狀；5、流沿——將糊狀漿體均勻涂在薄膜上(薄膜為特種材料，保證表面平整)；6、印刷電極——將電極材料以一定規(guī)則印刷到流沿后的糊狀漿體上(電極層的錯(cuò)位在這個(gè)工藝上保證，不同MLCC的尺寸由該工藝保證)；對(duì)卷狀介電體板涂敷金屬焊料，以作為內(nèi)部電極。近年來(lái)，多層陶瓷電容器以N
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微納電容測(cè)量挑戰(zhàn)：如何精準(zhǔn)測(cè)量fF級(jí)超低電容？

典型的半導(dǎo)體電容在pF或nF范圍內(nèi)。許多商業(yè)上可用的LCR表或電容計(jì)補(bǔ)償后可以使用適當(dāng)?shù)臏y(cè)量技術(shù)來(lái)測(cè)量這些值，然而，一些應(yīng)用需要在飛秒法（fF）或1e-15范圍內(nèi)進(jìn)行非常靈敏的電容測(cè)量。這些應(yīng)用包括測(cè)量金屬到金屬的電容，晶片上的互連電容，MEMS器件，如：開(kāi)關(guān)，納米器件端子之間的電容。如果沒(méi)有使用適當(dāng)?shù)膬x器和測(cè)量技術(shù)，這些非常小的電容很難進(jìn)行測(cè)量。使用4200A-SCS參數(shù)分析儀配備的4215-CVU（CVU），用戶(hù)能夠測(cè)量大范圍的電容，<1pF非常低的電容值也能測(cè)到。CVU采用獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)，并由
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芯片附近0.1uF電容的作用

電容思維導(dǎo)圖如下：電容有四大作用：去耦、耦合（隔直通交）、濾波、儲(chǔ)能。今天我們主要談?wù)撊ヱ钭饔?。電容封裝相信大家都用過(guò)這幾種電容，板子上最多的是多層陶瓷電容。鉭電容：主要用在電源電路中，博主被它炸過(guò)很多次......去耦電容這是 STM32F103 最小系統(tǒng)原理圖，STM32F103VET6 需要五路 3.3V 供電，他的 3.3V 一般來(lái)源于 LDO（低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器），比如 LM1117。5V轉(zhuǎn)3.3V的電路：LDO 比 DC-DC 的方式（TPS5430）更能提供穩(wěn)定的電壓，但對(duì)芯片來(lái)說(shuō)依舊不夠，我
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開(kāi)關(guān)電源輸入電容

輸入電容紋波電流有效值計(jì)算相信很多人都知道Buck電路中輸入電容紋波電流有效值，在連續(xù)工作模式下可以用以下公式來(lái)計(jì)算：然而，相信也有很多人并不一定知道上面的計(jì)算公式是如何推導(dǎo)出來(lái)的，下文將完成這一過(guò)程。眾所周知，在BuckConverter電路中Q1的電流（IQ1）波形基本如圖1所示：0～DTs期間為一半梯形，DTs～Ts期間為零。當(dāng)0～DT期間Iq1 ⊿I足夠小時(shí)（不考慮輸出電流紋波的影響），則Iq1波形為近似為一個(gè)高為Io、寬為DTs的矩形，則有：Iin=(Vo/Vin)*Io＝DIo （Iin，只要
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電容電壓分隔器

我們看到一個(gè)電容器由兩個(gè)平行的導(dǎo)電板組成，該電導(dǎo)板由絕緣體分離，并且在一塊板上具有正（ + ）電荷，另一個(gè)板上的負(fù)電荷（ -）電荷在另一個(gè)板上?！　∥覀冞€看到，當(dāng)連接到DC（直流電流）電源時(shí)，一旦電容器充滿(mǎn)電，絕緣體（稱(chēng)為介電）會(huì)阻止電流通過(guò)它的流動(dòng)?！　‰娙萜飨耠娮枰粯臃磳?duì)電流流動(dòng)，但與電阻器以熱的形式消散其不必要的能量，當(dāng)電荷充電和釋放時(shí)，電容器將能量存儲(chǔ)在其板上，或者在放電時(shí)將能量歸還到連接的電路中。　　電容器通過(guò)將電荷在其板上存儲(chǔ)在電流中反向或“反應(yīng)”的能力稱(chēng)為“電抗”，因此，由于該電抗與電容器有
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說(shuō)說(shuō)電容噪聲嘯叫的問(wèn)題

MLCC——多層片式陶瓷電容器，簡(jiǎn)稱(chēng)貼片電容，會(huì)引起噪聲嘯叫問(wèn)題，這是為什么了？聲音源于物體振動(dòng)，振動(dòng)頻率為20Hz~20 kHz的聲波能被人耳識(shí)別。MLCC發(fā)出嘯叫聲音，即是說(shuō)，MLCC在電壓作用下發(fā)生幅度較大的振動(dòng)（微觀(guān)的較大，小于1nm）。MLCC為什么會(huì)振動(dòng)？在了解MLCC為什么要振動(dòng)之前，我們要先了解一種自然現(xiàn)象，在外電場(chǎng)作用下，所有的物質(zhì)都會(huì)產(chǎn)生伸縮形變——電致伸縮。對(duì)于某些高介電常數(shù)的鐵電材料，電致伸縮效應(yīng)劇烈，稱(chēng)為——壓電效應(yīng)。壓電效應(yīng)的定義：在沒(méi)有對(duì)稱(chēng)中心的晶體上施加壓力、張力和切向力時(shí)
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誰(shuí)會(huì)關(guān)心高速串行信號(hào)中的隔直電容器到底放到哪呢？

在高速串行電路中，隔直電容放到哪里好呢？一些工程師的回答無(wú)非會(huì)是兩種情況：放到驅(qū)動(dòng)端或者是放到接收端。有人說(shuō)放到接收端，原因是：由于信號(hào)從驅(qū)動(dòng)端通過(guò)傳輸線(xiàn)到接收端，期間會(huì)造成衰減，上升時(shí)間也會(huì)延長(zhǎng)，當(dāng)信號(hào)最終到達(dá)接收端的電容時(shí)，大部分的高頻分量已經(jīng)沒(méi)有了，反射減少了，因此能有更多的信號(hào)到達(dá)接收端。（時(shí)域）一個(gè)SI工程師可能會(huì)告訴你：對(duì)于所有的無(wú)源鏈路，鏈路中所有的元素都是互相影響的，整個(gè)拓?fù)湟彩怯嘘P(guān)聯(lián)的，不管信號(hào)是向前傳還是向后傳都是一樣的。因此，跟電容放哪沒(méi)關(guān)系。（頻域）為了解決這個(gè)問(wèn)題，下邊用簡(jiǎn)單的方
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一文讀懂 MLCC 電應(yīng)力擊穿，硬件工程師必備知識(shí)

在電子設(shè)備的硬件設(shè)計(jì)中，多層陶瓷電容器（MLCC）是極為常見(jiàn)且關(guān)鍵的電子元件。它以其體積小、容量大、等效串聯(lián)電阻低等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電路。然而，MLCC 在工作過(guò)程中可能會(huì)遭遇電應(yīng)力擊穿問(wèn)題，這不僅影響設(shè)備的性能，還可能導(dǎo)致嚴(yán)重的失效。對(duì)于硬件工程師而言，深入了解 MLCC 電應(yīng)力擊穿機(jī)理，掌握失效分析方法和可靠性設(shè)計(jì)要點(diǎn)，是確保電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。一、陶瓷電容的基本結(jié)構(gòu)片式多層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)主要包括三大部分:陶瓷介質(zhì)，金屬內(nèi)電極，金屬外電極。在其內(nèi)部，金屬電極層與陶瓷介質(zhì)層交替堆疊；金屬內(nèi)電
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一顆電容引發(fā)的血案

在硬件設(shè)計(jì)這個(gè)看似平靜的江湖中，實(shí)則每一個(gè)決策都暗藏洶涌。每一個(gè)元器件的選擇，都可能成為項(xiàng)目成敗的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)。就像今天要講的這個(gè)故事，一顆小小的電容，差點(diǎn)引發(fā)一場(chǎng) “血案”。一、背景與問(wèn)題暴露在神秘的以全志T527為核心芯片的“算力智能終端”的項(xiàng)目里，設(shè)計(jì)初期，Buck 電路的輸入電容選用的是鋁電解電容，直接參考全志的Demo板。這顆鋁電解電容雖然具備大容量、低成本的特點(diǎn)，但其缺點(diǎn)也十分明顯。它體積龐大，在電路板這個(gè)狹小的空間里，嚴(yán)重影響布局的合理性，如同巨人在狹窄巷道中艱難前行；等效串聯(lián)電阻（ESR）過(guò)
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電容介紹

電容是表征電容器容納電荷的本領(lǐng)的物理量。我們把電容器的兩極板間的電勢(shì)差增加1伏所需的電量，叫做電容器的電容。電容的符號(hào)是C。在國(guó)際單位制里，電容的單位是法拉，簡(jiǎn)稱(chēng)法，符號(hào)是F。一個(gè)電容器，如果帶1庫(kù)的電量時(shí)兩級(jí)間的電勢(shì)差是1伏，這個(gè)電容器的電容就是1法。電容的公式是：C=Q/U 但電容的大小不是由Q或U決定的，即：C=εS/4πkd 。ε是一個(gè)常數(shù)，與電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)。k [ 查看詳細(xì) ]