瑞薩開發(fā)出具有45nm及以上工藝的微處理器和SoC器件
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像以前的技術一樣,新的半導體制造技術有一個采用氮化鈦(TiN)金屬柵極的P型晶體管,以及一個采用傳統(tǒng)多晶硅柵極的N型晶體管。不過,新的P型晶體管采用兩層柵極結(jié)構(gòu),而不是單層柵極,以更有效地控制門限電壓(注2)。而且,新型混合結(jié)構(gòu)利用應變硅制造技術來提升驅(qū)動電流能力。與以前的瑞薩混合結(jié)構(gòu)相比,這些創(chuàng)新產(chǎn)品的性能大約提高了20%。重要的是,新型結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)低成本制造,因為它不需要對目前的制造工藝進行重大改變。
一個包含40 nm柵極長度晶體管的實驗芯片已經(jīng)制造完成。對這個芯片的測試數(shù)據(jù)證實了其全球頂級水平的驅(qū)動性能:在1.2 V電源電壓條件下,N型晶體管為1,068μA/μm,P型晶體管為555μA/μm。
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