在現(xiàn)代電子設(shè)備中，元器件的可靠性是系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的基石。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，我們常常會(huì)遇到各種各樣的器件失效問題。其中，過電應(yīng)力（Electrical Over Stress, EOS）導(dǎo)致的失效占比超過80%以上，而器件本身質(zhì)量原因?qū)е碌氖О咐蚊采贤ǔＥc“EOS”形貌類似，故因器件本身質(zhì)量原因?qū)е碌氖Ш芏鄷r(shí)候常常被誤判或忽視。

本文將簡(jiǎn)單學(xué)習(xí)EOS的失效機(jī)理、典型特征、與靜電放電（ESD）的異同，然后結(jié)合兩個(gè)功率器件失效實(shí)際案例，簡(jiǎn)述如何通過“EOS”的現(xiàn)象找到失效根因。

一、何為過電應(yīng)力（EOS）？

EOS是指電子元器件在承受超出其設(shè)計(jì)最大額定值的電壓、電流或功率時(shí)，由于過熱效應(yīng)導(dǎo)致的損壞或性能退化。與瞬態(tài)的靜電放電 （ESD）不同，EOS事件通常持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)（從幾微秒到幾秒，甚至更長(zhǎng)），能量較高，其核心破壞形式是熱損傷。當(dāng)器件內(nèi)部的局部區(qū) 域因過大的電能輸入而產(chǎn)生過多的熱量，導(dǎo)致溫度急劇升高，超過材料的熔點(diǎn)或分解溫度時(shí)，就會(huì)發(fā)生EOS失效。

二、EOS與ESD：同為“電”傷，卻大相徑庭

在失效分析領(lǐng)域，EOS常常與靜電放電（ESD）混淆，因?yàn)閮烧叨忌婕半姂?yīng)力導(dǎo)致的器件損傷。然而，它們?cè)诋a(chǎn)生機(jī)理、持續(xù)時(shí)間、能量特征以及失效形貌上存在顯著差異，準(zhǔn)確區(qū)分對(duì)失效根因的判斷至關(guān)重要。

特征維度	過電應(yīng)力（EOS）	靜電放電（ESD）
持續(xù)時(shí)間	微秒到秒級(jí)（長(zhǎng)）	納秒級(jí)（短）
能量特征	能量高，足以引起宏觀熱損傷	能量相對(duì)低，引起局部微觀損傷
失效機(jī)理	熱效應(yīng)為主，溫度升高導(dǎo)致材料熔融、碳化、結(jié)構(gòu)破壞	高電場(chǎng)擊穿為主，導(dǎo)致介質(zhì)損傷、PN結(jié)漏電、金屬熔融
典型形貌	明顯的燒毀、碳化、熔融痕跡，損傷面積大，常伴有裂紋、鼓包、鍵合絲 熔斷	針孔、漏電、短路、柵氧化層擊穿、金屬熔融點(diǎn)，損傷隱蔽，需顯微鏡觀察
典型發(fā)生場(chǎng)景	電源瞬態(tài)過沖、負(fù)載短路、電路設(shè)計(jì)缺陷、熱插拔、測(cè)試誤操作、外部環(huán) 境干擾（如雷擊）	器件操作、運(yùn)輸、封裝、人體或設(shè)備帶電接觸
典型形貌

核心區(qū)別在于能量和持續(xù)時(shí)間。 EOS是“大火慢燉”，長(zhǎng)時(shí)間的高能量輸入導(dǎo)致器件整體或局部過熱燒毀；而ESD則是“瞬間閃電”，極短時(shí)間內(nèi)的極高電壓沖擊導(dǎo)致器件內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)被瞬間擊穿。因此，在失效分析中，通過觀察失效形貌的宏觀與微觀特征，結(jié)合失效發(fā)生時(shí)的電學(xué)環(huán)境，是區(qū)分兩者的關(guān)鍵。

需要注意的是，通常器件發(fā)生ESD損傷后可能會(huì)經(jīng)受二次損傷，表現(xiàn)為EOS形貌，如下圖ESD管腳失效導(dǎo)致燒毀的形貌，可能是先發(fā)生ESD損傷，然后上電導(dǎo)致有二次損傷形成EOS的形貌。

三、EOS形貌但根因?yàn)槠骷毕菔О咐疃绕饰觯耗挠心敲炊郋OS

在失效分析實(shí)踐中，最棘手的情況莫過于器件失效的形貌呈現(xiàn)出典型的EOS特征（如燒毀、碳化），但其根本原因并非外部過電應(yīng)力，而是器件本身的內(nèi)在缺陷。這種“形貌EOS，根因器件缺陷”的失效，極易導(dǎo)致誤判，延誤問題解決。以下將結(jié)合兩個(gè)具體案例，講講為什么說“哪有那么多EOS”。

案例一：整流橋擊穿失效，根因?yàn)橐_成型時(shí)應(yīng)力過大

某電視廠的電源的整流橋在使用一段時(shí)間后出現(xiàn)短路失效。初步外觀檢查發(fā)現(xiàn)失效的整流橋封裝存在缺損。

解剖后在顯微鏡下觀察到二極管芯片正反面有明顯的擊穿燒毀痕跡，形貌上與EOS損傷非常相似。

然而，該電源在正常工作條件下，二極管承受的電壓和電流均在額定范圍內(nèi)，并未發(fā)生明顯的外部過電應(yīng)力事件。 經(jīng)過故障數(shù)據(jù)分析，發(fā)現(xiàn)故障的整流橋有批次特性，且結(jié)合多年經(jīng)驗(yàn)此類失效通常是芯片因機(jī)械應(yīng)力產(chǎn)生微裂紋導(dǎo)致器件耐壓下降，在正常電壓條件下發(fā)生“EOS”失效。

使用同批次庫(kù)存良品進(jìn)行回流焊后復(fù)測(cè)參數(shù)，確認(rèn)存在漏電增大以及VBR下降的情況，經(jīng)供應(yīng)商系統(tǒng)排除，故障根因?yàn)槠骷_成型時(shí)因器件位置偏移使成型應(yīng)力過大導(dǎo)致芯片鈍化層產(chǎn)生微裂紋缺陷。

案例二：二極管擊穿，根因?yàn)榉庋b設(shè)計(jì)不足和制程管控不當(dāng)

另一個(gè)二極管失效案例是某保護(hù)電路中的TVS二極管出現(xiàn)反向擊穿失效。失效二極管同樣表現(xiàn)出芯片錫膏邊緣有正反擊穿燒毀的形貌。同樣，電路工作環(huán)境穩(wěn)定，無明顯外部過電應(yīng)力；同時(shí)器件批次有集中性。

經(jīng)分析調(diào)查，導(dǎo)致器件失效的直接原因是供應(yīng)商設(shè)計(jì)變更Clip凸臺(tái)增大疊加錫膏涂覆厚度偏上限導(dǎo)致焊接應(yīng)力過大損傷了芯片的鈍化層。

故障流出原因是二極管廠商FT測(cè)試管控方案不足，導(dǎo)致存在缺陷的樣品流出。雖然這些樣品是滿足規(guī)格書指標(biāo)要求，但已經(jīng)存在微缺陷，經(jīng)過貼片回流焊后缺陷會(huì)被激發(fā)，因此表現(xiàn)為產(chǎn)品出廠后短時(shí)間內(nèi)就失效。

四、如何區(qū)分EOS與器件本身缺陷導(dǎo)致的失效？

上述案例凸顯了區(qū)分EOS與器件本身缺陷的復(fù)雜性。雖然兩者都可能導(dǎo)致器件燒毀，但其根本原因和預(yù)防措施截然不同。以下是一些關(guān)鍵的區(qū)分思路和方法：

1、失效的批次性與偶發(fā)性

器件缺陷： 通常具有一定的批次性。如果同一批次、同一型號(hào)的器件在類似應(yīng)用中頻繁出現(xiàn)失效，應(yīng)高度懷疑器件本身的質(zhì)量問題。缺陷可能在制造過程中引入，如晶體缺陷、摻雜不均、封裝應(yīng)力等。

EOS： 往往是偶發(fā)性的，與特定的外部事件（如電源波動(dòng)、操作失誤、環(huán)境干擾）緊密相關(guān)。如果失效是孤立的，且能追溯到某個(gè)異常的電應(yīng)力事件，則EOS的可能性較大。

2、失效場(chǎng)景與歷史數(shù)據(jù)

詳細(xì)記錄： 收集失效器件的完整使用歷史、工作環(huán)境參數(shù)、電源波動(dòng)記錄、操作日志等。如果數(shù)據(jù)表明器件在失效前曾經(jīng)歷過超出額定值的電壓、電流或功率，則傾向于EOS。

正常工作條件下的失效： 如果器件在完全正常的、符合規(guī)格的工作條件下失效，且無任何外部異常事件，則器件本身缺陷的可能性大大增加。

3、損傷形貌的微觀細(xì)節(jié)

EOS： 宏觀上表現(xiàn)為大面積的熔融、碳化、鍵合絲熔斷等，損傷區(qū)域往往與電流路徑或熱點(diǎn)區(qū)域一致。微觀上，損傷通常是熱效應(yīng)導(dǎo)致的材料結(jié)構(gòu)破壞，如金屬顆粒的再結(jié)晶、硅的非晶化等。

器件缺陷： 燒毀形貌可能更局限于缺陷本身，例如，一個(gè)微小的缺陷可能導(dǎo)致局部過熱，但整體燒毀面積可能相對(duì)較小。