鴻海持續(xù)布局先進技術(shù)，卡位電動車、衛(wèi)星通訊等前瞻應用商機，15日宣布旗下鴻海研究院半導體所與陽明交通大學、德州大學奧斯汀分校進行跨國合作，投入第四代半導體的研究，近日已在衛(wèi)星通訊及高功率元件領(lǐng)域取得顯著突破; 研究成果已發(fā)表在國際頂級期刊《Applied Surface Science Advances》及《ACS Applied Electronic Materials》，第四代半導體可應用于電動車與快充技術(shù)、高壓電力設備、太空與航天科技。

第四代半導體指的是超寬能隙（UWBG）半導體材料，如鉆石、AlN等，相較于前三代半導體，它們具有更寬的能隙使其在高功率、高頻、高溫環(huán)境下表現(xiàn)更優(yōu)異。

研究團隊從材料特性與制程研發(fā)角度出發(fā)，發(fā)現(xiàn)增加氧氣流量可適時降低氧空位比例，改善結(jié)晶品質(zhì)并減少鋁擴散，提升熱穩(wěn)定性與組件特性。

鴻海研究院指出，這項成果將為通訊及高功率等領(lǐng)域帶來深遠影響; 第四代半導體可應用于電動車與快充技術(shù)、高壓電力設備、太空與航天科技。

鴻海研究院進一步說明，本項研究在第四代半導體領(lǐng)域取得顯著突破，為未來通訊技術(shù)和高功率領(lǐng)域應用奠定了基礎; 研究團隊未來計劃進一步優(yōu)化改善結(jié)構(gòu)設計與制程技術(shù)，為全球高功率電子產(chǎn)業(yè)注入新動能。

國立陽明交通大學則表示，此一研究不僅提升組件的電流驅(qū)動能力和耐壓性，更透過精確的成長參數(shù)與結(jié)構(gòu)設計，為未來產(chǎn)業(yè)應用開辟了新道路。

針對鴻海半導體布局，鴻海董事長劉揚偉先前表示，鴻海在第三代半導體，從碳化硅（SiC）到硅等，都一直在研發(fā)與發(fā)展中，會持續(xù)布局第三代半導體，包括氮化鎵（GaN）、碳化硅及硅基氮化鎵（GaN on Si）等。 而鴻海不僅有IC設計服務，還有封裝，目前是先鎖定車用芯片，之后會規(guī)劃拓展至衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)相關(guān)的芯片等方向。