光通信行業(yè)市場研究機構(gòu) LightCounting 在最新報告中指出，光通信芯片組市場預計將在 2025 至 2030 年間以 17% 的年復合增長率（CAGR）增長，總銷售額將從 2024 年的約 35 億美元增至 2030 年的超 110 億美元。

當前，光芯片正引起越來越多科研機構(gòu)和大廠的興趣。

市場和研究的重點

推動市場增長的無疑是以太網(wǎng)和 DWDM 兩大巨頭，占據(jù)了絕對主導地位。而 PAM4 DSP 芯片則悄悄崛起，成為第三大細分市場。這種芯片主要用作交換機 ASIC 與可插拔端口之間的板載重定時器，聽起來可能有點復雜，但簡單來說，它就是讓數(shù)據(jù)傳輸更快、更穩(wěn)的關(guān)鍵角色。根據(jù) LightCounting 的數(shù)據(jù)，超大規(guī)模云服務商對 AI 基礎設施的投資正在推動 400G/800G 以太網(wǎng)光模塊的需求激增，進而拉動了 PAM4 芯片組的銷量。

超大規(guī)模云服務商對 AI 基礎設施的巨額投資推動 400G/800G 以太網(wǎng)光模塊出貨量激增。

中國云廠商開始跟進投資 AI 基礎設施。

無線前傳作為 PAM4 光器件新興市場，預計將在 2025 年復蘇，并在 2026 年繼續(xù)增長。

自 2024 年年以來，英偉達、英特爾等巨頭企業(yè)紛紛在光子技術(shù)上加碼，英偉達計劃在 2027 年推出 Rubin Ultra GPU 計算引擎，整合共封裝光學（CPO）技術(shù)，解決數(shù)據(jù)傳輸帶寬瓶頸，并計劃在 2025 年與臺積電、博通合作推動相關(guān)硅光子產(chǎn)品量產(chǎn)；英特爾則在光纖通信大會（OFC）大會上展示了其光學計算互連（OCI）芯片，實現(xiàn)與 CPU 共封裝，為滿足未來 AI 計算的高帶寬需求提供了解決方案；一個月后光子加速計算初創(chuàng)公司 Lightmatter 在 D 輪融資中融到了 4 億美元，估值達到 44 億美元，這筆資金將用于加速該公司光芯片的生產(chǎn)和部署，以滿足 AI 集群對低能耗、高性能計算的需求。

除此之外，國內(nèi)外頂尖科研機構(gòu)在光芯片領(lǐng)域有著先進的科研成果。

上海交通大學鄒衛(wèi)文教授團隊研制了實現(xiàn)高速張量卷積運算的新型光子張量處理芯片。該研究創(chuàng)新提出基于光子集成手段構(gòu)建張量運算過程的學科交叉研究思路，該思路無需進行張量到矩陣的轉(zhuǎn)換，可實現(xiàn)輸入張量到輸出張量的流式計算?；谶@一創(chuàng)新思路，該團隊設計并研制一款光子張量處理芯片，在多通道圖像上驗證了時鐘頻率為 20 GHz 的高速張量卷積運算，芯片算力密度為 588 GOPS/mm2，后續(xù)通過提升光子器件集成規(guī)模有望達到 1 TOPS/mm2 以上。研究團隊利用該芯片構(gòu)建了用于視頻動作識別的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡，網(wǎng)絡中的卷積層在光子張量處理芯片上完成，最終在 KTH 視頻數(shù)據(jù)集上實現(xiàn)了 97.9% 的識別準確率，接近理想識別準確率 98.9%。

上海交大電院消息指出，本研究成果表明光子集成芯片可在超高時鐘頻率下實現(xiàn)張量流式處理，解決額外內(nèi)存占用與訪存問題，為構(gòu)建高性能計算、寬帶信號處理等先進信息系統(tǒng)提供了新技術(shù)途徑。

清華大學的研究團隊開發(fā)了名為「太極」的光子芯片，其能量效率高于當前的智能芯片數(shù)個數(shù)量級。短短 4 個月，清華大學的光芯片就已經(jīng)迅速進化到第二代，世界上第一款全光學 AI 芯片太極-Ⅱ了，能效已經(jīng)超過英偉達著名的 H100。這不僅僅是技術(shù)上的突破，更可能是一種新的計算范式的開始，甚至可能徹底改變計算機的設計和構(gòu)建方式，這項研究已發(fā)表在 8 月 7 日的《自然》雜志上。《自然》審稿人認為，它有望成為訓練光學神經(jīng)網(wǎng)絡和其他光學計算系統(tǒng)廣泛采用的工具。

太極-Ⅱ全光學 AI 芯片是在新開發(fā)的全前向模式（FFM）上構(gòu)建的，允許在光學系統(tǒng)中直接進行計算密集型 AI 訓練，而不需要復雜的反向傳播過程，是世界上第一個能夠進行「大規(guī)模光訓練」的芯片，可以更快、更省電地訓練人工智能模型。

香港城市大學副教授王騁團隊與香港中文大學研究人員合作開發(fā)出處理速度更快、能耗更低的微波光子芯片?？蛇\用光學進行超快模擬電子信號處理及運算。據(jù)介紹，這種芯片比傳統(tǒng)電子處理器的速度快 1000 倍，耗能更低，應用范圍廣泛，涵蓋 5/6G 無線通訊系統(tǒng)、高解析度雷達系統(tǒng)、人工智能、計算機視覺以及圖像和視頻處理。

另外，IBM 光子芯片取得新突破，實現(xiàn)下一代高速光互聯(lián)技術(shù)，可以顯著改善數(shù)據(jù)中心訓練和運行生成式 AI 模型的方式，AI 速度提升 80 倍。與目前最先進的 CPO 技術(shù)相比，IBM 的創(chuàng)新使芯片制造商能夠在硅光子學芯片的邊緣添加六倍的光纖，即「海濱密度」。這些光纖的直徑大約是人類頭發(fā)的三倍，長度從幾厘米到幾百米不等，每秒能傳輸太比特的數(shù)據(jù)。IBM 團隊使用標準的組裝封裝工藝，在 50 微米間距的光學通道上組裝了一個高密度 PWG，與硅光子波導絕熱耦合。論文還指出，這些具有 50 微米間距 PWG 的 CPO 模塊已通過了制造所需的所有壓力測試，包括高濕環(huán)境、-40°C 至 125°C 的溫度以及機械耐久性測試，確保了光互連在彎曲時不會損壞或丟失數(shù)據(jù)。此外，研究人員已將 PWG 技術(shù)演示到 18 微米的間距，堆疊四個 PWG 可實現(xiàn)多達 128 個通道的連接。

這一突破延續(xù)了 IBM 在半導體創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，包括首個 2nm 節(jié)點芯片技術(shù)、7nm 和 5nm 工藝技術(shù)的實現(xiàn)、納米片晶體管、垂直晶體管（VTFET）、單細胞 DRAM 和化學放大光刻劑等。CPO 技術(shù)為滿足 AI 日益增長的性能需求提供了新的解決方案，并有望取代模塊外的電氣通信方式。

光通信的發(fā)展趨勢:1.6T、硅光、LPO、CPO

光通信領(lǐng)域正加速向高速率、集成化、低功耗方向突破，1.6T、硅光、LPO 和 CPO 四大技術(shù)趨勢相互交織，共同驅(qū)動行業(yè)變革。

1.6T 高速光模塊?成為下一代數(shù)據(jù)中心的核心需求，通過 3nm 制程 DSP 芯片與硅光技術(shù)融合，實現(xiàn)單波 1.6Tbps 傳輸速率，功耗較前代降低 40%，支撐 AI 算力集群的長距離高密度互聯(lián)，但其信號完整性設計和散熱問題仍需攻克。?硅光技術(shù)?作為底層創(chuàng)新，借助硅基材料和 CMOS 工藝，將激光器、調(diào)制器等器件集成于單一芯片，顯著降低成本和功耗，成為 CPO 等先進封裝的關(guān)鍵支柱，但硅基激光器效率不足和封裝兼容性問題仍制約其大規(guī)模應用。

LPO（線性驅(qū)動可插拔模塊）?以「去 DSP 化」為核心，通過線性直驅(qū)技術(shù)降低 50% 功耗和 30% 延遲，保留可插拔特性，在中短距離場景（如數(shù)據(jù)中心架頂交換機互聯(lián)）實現(xiàn)性能與成本的平衡，但受限于傳輸距離和專用芯片配套能力。

CPO（光電共封裝）?則更激進，通過光引擎與交換芯片共封裝，將能效壓至≤5pJ/bit（降耗 70%），支持未來 3.2T/6.4T 超高速率，結(jié)合液冷散熱可提升單機架算力密度 40%，但高集成帶來的散熱難題和外置光源依賴成為商業(yè)化瓶頸。

從協(xié)同效應看，硅光與 CPO 深度綁定推動高密度集成，LPO 作為過渡方案填補中短距市場，1.6T 則牽引長距帶寬升級，形成多層次技術(shù)覆蓋。產(chǎn)業(yè)層面，頭部企業(yè)通過「硅光+CPO」組合搶占 AI 算力高地，而 LPO 廠商聚焦低成本場景，推動數(shù)據(jù)中心 PUE 從 1.25 優(yōu)化至 1.12，加速綠色算力落地。這些趨勢共同指向一個核心目標：在 AI 與算力爆發(fā)時代，以更低能耗承載指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)洪流。

磷化銦：光芯片的香餑餑？

最后我們來談談光芯片的風險。根據(jù) Yole 統(tǒng)計顯示，到 2026 年全球光模塊器件磷化銦襯底（折合兩英寸）預計銷量將超過 100 萬片，2019 年-2026 年復合增長率達 13.94%，2026 年全球光模塊器件磷化銦襯底預計市場規(guī)模將達到 1.57 億美元。

而磷化銦（InP）光芯片制造工藝的核心難點集中在材料特性、制程精度與熱管理三方面。

磷化銦多晶合成需精確控制銦磷原子比（1:1±0.0001）及溫度（±0.5℃內(nèi)），以規(guī)避非化學計量缺陷；單晶生長過程易受熱場擾動影響，導致位錯密度超過 1000/cm2，直接影響器件光電轉(zhuǎn)換效率?。

另外，納米級外延與光柵制造?。量子阱外延層厚度需控制在±1nm 以內(nèi)，V/III 族氣體流量比波動須<0.1% 以保證界面陡峭度；分布式反饋（DFB）激光器的二階光柵刻蝕深度公差需≤5nm，否則導致波長偏移超過±0.5nm，難以滿足密集波分復用（DWDM）需求。

以及，高精度封裝與良率提升?。光纖耦合對準精度要求<0.15μm，但焊接應力易使 VCSEL 陣列光斑偏移超 0.2μm，導致 400G 光模塊封裝良率不足 75%；而 EML 激光器的端面反射率需穩(wěn)定在 30%-40%，鍍膜厚度誤差超過±1nm 將引發(fā)模式跳變?。

總的來說，磷化銦的制備工藝相對復雜，成本較高，限制了其大規(guī)模應用。為了降低成本并提高生產(chǎn)效率，研究人員正在不斷優(yōu)化制備工藝，并探索新的制備方法。