東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業(yè)設備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。

最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結勢壘肖特基（JBS）結構^[1]。在結勢壘中使用新型金屬，有助于這些新產(chǎn)品實現(xiàn)業(yè)界領先的^[2]1.27 V（典型值）低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應用中的設備功耗。

東芝將繼續(xù)壯大其SiC電源器件的產(chǎn)品線，并將一如既往地專注于提高可降低工業(yè)電源設備功耗的效率。

■   應用：

-   光伏逆變器

-    電動汽車充電站

-    工業(yè)設備UPS的開關電源

■   特性：

-   第3代1200 V SiC SBD

-   業(yè)界領先的^[2]低正向電壓：VF＝1.27 V（典型值）（IF＝IF(DC)）

-   低總電容電荷：TRS20H120H的QC＝109 nC（典型值）（VR＝800 V，f＝1 MHz）

-   低反向電流：TRS20H120H的IR＝2.0 μA（典型值）(VR＝1200 V)

■   主要規(guī)格：

（除非另有說明，Ta＝25 °C）

注：

[1] 改進型結勢壘肖特基（JBS）結構：該結構將混合式PiN肖特基（MPS）結構（可在大電流下降低正向電壓）整合在JBS結構（不僅可降低肖特基接口的電場，而且還可減少電流泄漏）中。

[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的東芝調(diào)查。