位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產機臺11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，我國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產，從而填補我國主流存儲器領域空白。

　　目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進入全球存儲芯片第一梯隊，有力提升“中國芯”在國際市場的地位。

　　據(jù)介紹，國家存儲器基地項目2016年由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產業(yè)投資基金、湖北集成電路產業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設，總投資240億美元，項目一期總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

　　紫光集團董事長趙偉國表示，今年10月設備將點亮投產，預計2019年底64層閃存產品將實現(xiàn)爬坡量產。未來十年，紫光集團計劃至少還將投資1000億美元，相當于平均每年投入100億美元，進一步拉近我國在高端芯片領域與先進國家的距離。