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英利牽頭主編的多晶硅片、硅錠晶體國家標準將填補國內空白

作者: 時間:2017-12-07 來源:長城網 收藏

  12月4日,記者從集團了解到,該公司牽頭主編的《太陽能級、硅錠晶體缺陷密度測定方法》國家標準順利進入報批階段,預計2018年發(fā)布,將填補國內、硅錠晶體缺陷密度測試方法的空白。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/201712/372635.htm

  據了解,國家標準《太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法》是采用酸性混合液對硅片表面進行化學拋光,再使用腐蝕液對硅片進行化學腐蝕,硅晶體缺陷被優(yōu)先腐蝕并顯現(xiàn)出來,通過對不同位置的硅錠取樣片,測量得到不同部位硅片樣片的晶體缺陷密度,其最終結果可以表征硅錠的晶體缺陷密度。

  近年來,集團大力實施標準化戰(zhàn)略,高度重視標準化工作,已經主持制定和參與制定IEC標準、國家標準、行業(yè)標準等各類標準共計77項,主持制定和參與制定標準總數(shù)量位居光伏行業(yè)前列。



關鍵詞: 英利 多晶硅片

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