邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產水平時迎來重大轉折點。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術意向。LSI的制造技術發(fā)生巨變之后，估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。

　　元件材料及曝光技術也會出現(xiàn)轉折

　　“估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以后的工藝中，立體晶體管不可或缺”(臺積電)。各公司此前從未對現(xiàn)行晶體管技術的界限作出過這樣的斷言。這是因為各企業(yè)認識到現(xiàn)行技術無法解決漏電流増大等問題。另外，各公司目前瞄準11nm以后的工藝，正在開發(fā)使用Ge及Ⅲ-V族半導體的高遷移率溝道技術。估計此前主要以硅為對象的材料技術早晚也會迎來重大轉變。

　　關于對微細化起到關鍵作用的光刻技術，EUV曝光及EB曝光等新技術正不斷走向實用化。目前已相繼出現(xiàn)為生產線引進曝光裝置并形成15nm以后微細圖案的事例。