Intel與美光合資公司出品的25nm工藝NAND閃存在今年5月就已經實現(xiàn)了量產。原本我們認為，Intel計劃中在今年四季度推出采用該閃存的第三代固態(tài)硬盤產品已經足夠穩(wěn)健了。但根據(jù)歐洲媒體近日得到的消息，Intel近期又修改計劃，將該系列固態(tài)硬盤的發(fā)布時間推遲到了明年2月。根據(jù)之前泄露的路線圖，Intel 計劃在今年四季度推出代號Postville Refresh的第三代X25-M以及X25-V。憑借25nm工藝MLC NAND閃存的優(yōu)勢，實現(xiàn)容量翻倍，性能提升，更重要的是價格大幅下降。而到了明年一季度，還會再推出推出X18-M新品以及企業(yè)級的X25-E。

　　不過根據(jù)最新得到的消息，Intel近期對計劃進行了修改。今年第四季度智慧推出一款新品X25-M，并且依然使用34nm閃存和第二代控制器芯片，應對市場對不同容量產品的需求。大規(guī)模的第三代產品發(fā)布被推遲到了明年二月份。

　　據(jù)稱此次延期與產能有關。去年當Intel X25-M G2發(fā)布時，由于性能出眾立即引起了廣泛關注，并長期處在供不應求狀態(tài)直至2010年。因此雖然25nm工藝芯片已經早早量產，良品率表現(xiàn)也不錯，但 Intel還是準備積蓄一段時間的產能，在新產品正式發(fā)布時既能憑借性能吸引眼球，也能提供穩(wěn)定充足的貨源滿足消費者需求。

　　事實上，近期已經有廠商開始展示采用Intel/美光25nm工藝閃存的固態(tài)硬盤產品。但由于他們的貨源肯定是來自這兩家廠商，在Intel和美光的25nm閃存固態(tài)硬盤正式發(fā)布前，下游廠商應當不會被允許推出此類產品。