近日，在北京大學2025年研究生畢業(yè)典禮上，長江存儲首席科學家、北大校友霍宗亮表示，我國的三維閃存芯片技術從無到有、從落后到趕超，實現(xiàn)了跨越式的發(fā)展。

資料顯示，長江存儲成立于2016年7月，是一家集芯片設計、生產制造、封裝測試及系統(tǒng)解決方案產品于一體的存儲器IDM企業(yè)，主要為全球合作伙伴提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產品和解決方案，廣泛應用于移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心等領域。

2014年，長江存儲3D NAND閃存項目正式啟動；2017年10月，長江存儲通過自主研發(fā)和國際合作相結合的方式，成功設計制造了中國首款3D NAND閃存；2020年4月，長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產品研發(fā)成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時業(yè)界最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。

此外，目前長江存儲旗下零售存儲品牌—致態(tài)，旗下產品主要包括固態(tài)硬盤、移動固態(tài)硬盤及存儲卡等，均采用基于晶棧?Xtacking?創(chuàng)新架構的長江存儲原廠顆粒。