5月30日消息，光刻機(jī)大廠ASML在imec（比利時微電子研究中心）的ITF World 2024會議上宣布，其首款High-NA EUV光刻機(jī)已創(chuàng)下新的晶圓制造速度記錄，超過了兩個月前創(chuàng)下的記錄。

根據(jù)ASML前總裁兼首席技術(shù)官、現(xiàn)任公司顧問的Martin van den Brink的說法，新的High NA EUV光刻機(jī)晶圓生產(chǎn)速度達(dá)到了每小時400至500片晶圓，是當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)EUV每小時200片晶圓的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，將進(jìn)一步提升產(chǎn)能，并降低成本。

現(xiàn)階段經(jīng)過進(jìn)一步調(diào)整，ASML已經(jīng)可用其試驗性質(zhì)High-NA EUV光刻機(jī)打印生產(chǎn)8nm線寬，這是的新紀(jì)錄，這打破了該公司在4月初當(dāng)時創(chuàng)下的記錄。當(dāng)時ASML宣布，已使用位于ASML荷蘭總部與imec聯(lián)合實驗室的試驗型High-NA EUV光刻機(jī)打印了10nm線寬。

就發(fā)展路線來說，ASML的標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)可以打印13.5nm的線寬，而新的High-NA EUV光刻機(jī)則是可以通過打印8nm線寬來創(chuàng)建更小的晶體管。ASML現(xiàn)在已經(jīng)證明其設(shè)備可以滿足其基本規(guī)格。

Martin van den Brink強調(diào)，ASML當(dāng)前已經(jīng)取得了進(jìn)展，能夠在整個打印線寬作業(yè)上將其低至8奈米記錄，并進(jìn)行校正，而且還具有一定程度的重疊覆蓋。因此，ASML對High NA EUV光刻機(jī)的發(fā)展充滿信心，預(yù)計未來將能夠在突破其極限。

而除了ASML自己在進(jìn)行High NA EUV光刻機(jī)的測試之外，目前唯一安裝完成High NA EUV光刻機(jī)的英特爾，也在美國俄勒岡州的D1X工廠投入測試工作。預(yù)計將在Intel 18A節(jié)點制程上進(jìn)行技術(shù)的研發(fā)與訓(xùn)練工作，之后再將其投入到Intel 14A節(jié)點制程的大量生產(chǎn)當(dāng)中。

Martin van den Brink指出，ASML已經(jīng)可以開發(fā)更新一代的Hyper-NA EUV光刻機(jī)了，以進(jìn)一步擴(kuò)展其High-NA EUV光刻機(jī)的潛在路線圖。

編輯：芯智訊-浪客劍