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良率已接近N3E,臺積電N3P將按計劃在下半年投產(chǎn)

發(fā)布人:芯智訊 時間:2024-06-04 來源:工程師 發(fā)布文章

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5月16日消息,據(jù)臺媒報道,晶圓代工大廠臺積電近期分享了其3nm(N3)家族的最新進度,相對于N3E來說,N3P將進一步提高性能效率和晶體管密度,目前的良率也已經(jīng)接近N3E,將按原訂計劃于今年下半年投產(chǎn)。

據(jù)介紹,最初的N3(又名N3B)生命周期較短,蘋果是唯一主要客戶。N3E制程為N3B寬松版本,取消一些EUV層,也犧牲一些晶體管密度,但有助于降低生產(chǎn)成本,并擴大制程窗口(process window)和良率。N3E已按計劃于去年第四季開始量產(chǎn),目前N3E的D0缺陷密度與N5相當(dāng),已經(jīng)有多家大客戶采用,相關(guān)客戶產(chǎn)品都有出色產(chǎn)量表現(xiàn)。對臺積電客戶來說,他們都能相對較快地從改進制程中獲益。

至于計劃今年下半年量產(chǎn)的N3P制程,臺積電表示,N3P已經(jīng)完成認證,良率表現(xiàn)已接近N3E。在相同漏電率下,N3P制程能提高4%性能,或在相同主頻下功耗降低9%,整體晶體管密度提高了4%。

由于N3P是N3E光學(xué)微縮版,IP模塊、制程規(guī)則、電子設(shè)計自動化(EDA)工具和設(shè)計方法等都與前者兼容,因此臺積電預(yù)計大多數(shù)新推出的芯片Tape-Out將使用N3P,而非N3E或N3,因為N3P成本比N3低,性能效率卻比N3E高。

臺積電高管指出,目前已成功交付N3P技術(shù),也通過認證,良率、性能接近N3E。該技術(shù)也獲得產(chǎn)品客戶下線,預(yù)計下半年開始生產(chǎn)。由于N3P的優(yōu)勢,預(yù)期N3上大部分客戶的新產(chǎn)品將轉(zhuǎn)至N3P制程。

編輯:芯智訊-浪客劍


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