- SK海力士終于趕上三星電子，成為全球第二家成功量產20奈米DRAM的廠商。該公司也力拼3D NAND Flash研發(fā)，期盼能在明年量產48層3D NAND。
BusinessKorea 15日報導，SK海力士人員受訪表示，該公司引入20奈米DRAM制程，過程雖有困難，但已經穩(wěn)定，開始寄送樣品給客戶、進入量產。據此而言，SK海力士是世界第二家量產20奈米DRAM的業(yè)者。三星首開先例，去年3月就量產20奈米DRAM。
SK海力士也宣布3D NAND研發(fā)計畫，社長樸星昱(Park Sung-wo
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SK海力士 三星
- 南韓第三大企業(yè)集團SK會長崔泰源近日來臺，并前往鴻海土城總部與董事長郭臺銘會面，雙方暢談近2小時。會后雙方接受短暫訪問時表示，此次主要是初步交流，瞭解有多少機會能進行合作，未來可能共同在臺灣、中國、印度等地區(qū)發(fā)展，不過尚未談到具體合作細節(jié)。
郭臺銘表示，鴻海及SK集團1、2年前彼此有投資關系，過去已見面許多次，崔泰銘此次先前往中國再來訪臺灣，主要想看看兩岸整體經濟環(huán)境、尋找生意機會。這次崔泰銘首度來訪，是想瞭解鴻海目前的營運狀況，針對有多少機會能進行合作，于臺灣、中國、印度、甚至是全世界發(fā)展，進
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鴻海 SK海力士
- 繼三星電子(Samsung Electronics)之后，SK海力士(SK Hynix)也進軍超高速固態(tài)硬碟(SSD)市場。將推出應用非揮發(fā)性存儲器儲存裝置(NVMe)標準的SSD。
據韓媒Newsis報導，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士已投入量產NVMe架構的M.2規(guī)格SSD新產品“PC300”。容量512GB，該產品能讓搭載的超輕薄筆記型電腦(NB)速度更快，電池更薄卻待機更久，可望取代SSD。
所謂NVMe是PCIe架構的介面，讓搭載SSD的伺服器、PC得以提升
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SK海力士 SSD
- 南韓存儲器芯片業(yè)界將主導設備投資(CAPEX)競爭。在其他地區(qū)競爭業(yè)者擔憂IT產品需求趨緩，而縮減設備投資規(guī)模時，三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等南韓企業(yè)將反其道而行，擴大投資并推動微細制程尖端化等，致力于研發(fā)新技術，未來在競爭中將更具優(yōu)勢。
據南韓Newstomatoa報導，英特爾(Intel)決定將2015年設備投資規(guī)模，從87億美元縮減11.5%至77億美元;臺積電設備投資規(guī)模也從120億美元減少約8%至110億美元。因IT裝置等終端產業(yè)
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三星 SK海力士
- 南韓存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)第二季財報遜于預期，分析師預估，由于個人電腦(PC)的DRAM需求持續(xù)疲軟，SK海力士本季表現恐怕難有起色。
韓聯社24日報導，SK海力士Q2營益為1.37兆韓圜(11.8億美元)，不及分析師估計的1.44兆韓圜。NH Investment & Securities Co.分析師Lee Sae-chul指出，PC DRAM需求欠佳，8月份為止價格將持續(xù)下滑，到9月才會回穩(wěn)，因此SK海力士Q3的DRAM營益會與前季持平;不過，下半年該公司的NAN
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SK海力士 DRAM
- 清華紫光傳出有意收購美光(Micron)消息后，韓國分析師認為，雙方成交后對于韓國對手SK海力士(SK Hynix)影響不大，而且清華紫光提出價格偏低及政治因素，都是阻礙成交的因素。
據韓國時報(The Korea Times)報導，Hi Investment分析師Song Myeong-seop表示，由于存在諸多外部因素，短期內該收購案恐怕無法成真。即使最終清華紫光如愿買下美光，也只會對SK海力士造成輕微影響。
有分析師指出，SK海力士在DRAM技術上領先美光至少18個月，因此SK海力士
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清華紫光 SK海力士
- DRAM與NAND Flash市場預期下半年將持續(xù)榮景，主要設備廠商業(yè)績也有望改善，三星電子和海力士獲利最大。
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三星 SK海力士
- 過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據我們調查開放市場上所銷售元件的供應來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后，TechInsights實驗室才出現三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產品。
針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點，在文獻中已經有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
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NAND SK海力士
- 南韓記憶體大廠SK 海力士 (SK Hynix )又傳公安意外，造成三人喪命!SK海力士施工中的新廠氮氣外泄，有三名工人窒息死亡，上個月該廠才有13名工人因氣體外泄送醫(yī)。
etnews、 韓國先驅報(The Korea Herald)、路透社報導，SK海力士的M14仁川工廠十樓，30日發(fā)生氮氣外泄事故。該公司稱，工人正在測試剛安裝好的濕式空氣清凈系統，可能因此窒息死亡。氮氣沒有毒性，但是密閉空間中氮氣外泄，會導致含氧量會迅速減少，危險性極高。
M14仁川廠三月份才發(fā)生過類似意外，當時有13
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SK海力士 M14
- 中國扶植自有DRAM供應鏈計劃浮上臺面，業(yè)界透露中國將分三個階段著手，包括扶植大型集團建立自有技術、高關稅逼迫國際大廠合作、強制品牌系統廠采用， 由于上一輪全球DRAM市場崩盤是在2008年發(fā)生，業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆，對于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。
半導體業(yè)者表示，中國建立DRAM產業(yè)最難解問題，似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠所把持的DRAM技術，然事實上，中
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- 南韓業(yè)者來勢洶洶，在半導體產業(yè)實力日益壯大!外傳三星電子(Samsung Electronics)靠著先進制程搶走臺積電 (2330)不少大單，如今IHS Technology數據又顯示，南韓記憶體大廠SK 海力士 (SK Hynix )踢下美光(Micron Technology)，晉身全球第四大晶片制造商。
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SK海力士 美光
- SK海力士(SK Hynix)中斷生產30納米級DRAM，全面進入20納米級生產時代。據了解，SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產DRAM，不過到2015年第1季，生產效率比30納米級制程更高的25納米DRAM制程比例，已高達全體生產的82%。
韓媒Digital Times報導，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止，約占全體DRAM生產比例的8%，但從2015年第1季開始已全面轉進20納米級制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron)，目前30納米級
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SK海力士 DRAM
- SK海力士(SK Hynix)搶進20奈米級制程進展迅速!韓媒報導，SK海力士引進38奈米制程，已在四年后停止30奈米級生產，全數轉為20奈米級制程。
韓媒BusinessKorea 13日報導，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產的8%，預計今年下半改為2z DRAM(20奈米級)制程。業(yè)界消息稱，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士總生產的82%。DRAMeXchange預估，SK海力士將在今年Q3進入2z制程，明年邁上軌道。
相較之下，30奈米制程仍占美光
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SK海力士 20nm
- SK海力士(SK Hynix)搶進20奈米級制程進展迅速!韓媒報導，SK海力士引進38奈米制程，已在四年后停止30奈米級生產，全數轉為20奈米級制程。
韓媒BusinessKorea 13日報導，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產的8%，預計今年下半改為2z DRAM(20奈米級)制程。業(yè)界消息稱，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士總生產的82%。DRAMeXchange預估，SK海力士將在今年Q3進入2z制程，明年邁上軌道。
相較之下，30奈米制程仍占美光
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三星 SK海力士
- 韓系半導體大廠SK海力士(SK Hynix)將擴大非存儲器領域的晶圓代工事業(yè)。三星電子(Samsung Electronics)采14納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程推動晶圓代工事業(yè)發(fā)展，SK海力士將把焦點放在8吋90納米制程，以架構少量生產多元系統芯片的生產系統。
據ET News報導，為擴大專門提供晶圓代工服務的清州M8廠可生產的芯片種類，SK海力士著手重新調整產線。
M8廠主要生產CMOS影像傳感器(CIS)、電源管理芯片(PMIC)、顯示器驅動芯片(DDI)等。過去也曾生產N
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