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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關鍵字： GaN  SiC  

【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關鍵字： GaN  SiC  

MOSFET驅(qū)動及工作區(qū)的問題分析

  • 　　問題1：最近，我們公司的技術專家在調(diào)試中發(fā)現(xiàn)，MOSFET驅(qū)動電壓過高，會導致電路過載時，MOSFET中電流過大，于是把降低了驅(qū)動電壓到6.5V，之前我們都是在12V左右。這種做法感覺和您在文章里第四部份似乎很相似，這樣做可行么?　　問題分析：　　系統(tǒng)短路的時候，功率MOSFET相當于工作在放大的線性區(qū)，降低驅(qū)動電壓，可以降低跨導限制的最大電流，從而降低系統(tǒng)的短路電流，從短路保護的角度而言，確實有一定的效果。然后，降低驅(qū)動電壓，正常工作時候，RDSON會增大，系統(tǒng)效率會降低，MOSFET的溫度會升高，
  • 關鍵字： MOSFET  芯片  

淺談MOSFET驅(qū)動電路

  • 　　MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅(qū)動電路。　　在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
  • 關鍵字： MOSFET  驅(qū)動電路  

【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關鍵字： GaN  SiC  

功率器件心得——功率MOSFET心得

  • 　　功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動負載，帶載能力要強。　　功率MOSFET是較常使用的一類功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功
  • 關鍵字： MOSFET  功率放大電路  

第三代半導體技術、應用、市場全解析

  • 第一代半導體材料是元素半導體的天下，第一代半導體材料是化合物半導體材料，然而隨著半導體器件應用領域的不斷擴大，特別是特殊場合要求半導體能夠在高溫、強輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺，第一、二代半導體材料便無能為力，于是賦予使命的第三代半導體材料——寬禁帶半導體材料誕生了。
  • 關鍵字： 寬禁帶半導體  SiC  

無畏氮化鎵角逐中功率市場　碳化硅功率元件/模組商機涌現(xiàn)

  • 　　有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車用電子領域，商機已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進軍中功率市場。 　　可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。 　　臺達電技術長暨總
  • 關鍵字： SiC  GaN  

11月8日：ROHM為汽車推出新一代SiC、LED方案

  • 　　ROHM新聞發(fā)布會上，首先宣布最新的第三代SiC技術，包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢壘二極管)、SiC模塊，提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據(jù)悉，相比平面(planar)柵型SiC MOSFET，新一代SiC MOSFET在整個溫度范圍內(nèi)減少Rdson 50%，在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器?！　OHM的德國發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高，用于車前燈。還有LED矩陣控制器，使電路配置更容易、
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

世界各國第三代半導體材料發(fā)展情況

  • 技術創(chuàng)新是推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動力，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國的高度重視，從國際競爭角度看，美、日、歐等發(fā)達國家已將第三代半導體材料列入國家計劃，并展開全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點。
  • 關鍵字： 半導體  SiC  

意法半導體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效

  • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導體最新的STripFET? F7制造技術，開關性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導通能力強。新產(chǎn)品最大輸出電流達到120A，主要目標應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時優(yōu)異的開關特性使其特別適用于電機驅(qū)動裝置，例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。 　　意法半導體的STripFET系列采用DeepGATE?技
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

關于MOS管失效，說白了就這六大原因

  • 　　MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。 　　目前在市場應用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、
  • 關鍵字： MOS管  MOSFET  

基于TPS2491的熱插拔保護電路設計

  • 摘要：文章對主流熱插拔控制策略進行了比較分析，在介紹熱插拔控制器TPS2491功能結(jié)構(gòu)后，以24V電源背板總線數(shù)據(jù)采集卡為設計實例，詳細介紹了基于TPS2491進行熱插拔保護電路的設計過程，并對設計電路進行了測試驗證，
  • 關鍵字： TPS2491  熱插拔  保護電路  MOSFET  

半導體大佬撐腰之下 GaN功率半導體能取代MOSFET？

  • 2010年，供應商發(fā)布了第一波基于GaN技術的功率半導體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術一直在尋找理想的應用空間。隨著時間的推移，這些器件預計將逐步應用到電動汽車、移動設備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
  • 關鍵字： GaN  MOSFET  

OptiMOS 5 150 V大幅降低導通電阻和反向恢復電荷

  • 　　英飛凌科技股份公司發(fā)布針對高能效設計和應用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進一步壯大了行業(yè)領先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達驅(qū)動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。 　　更環(huán)保的技術 　　英飛凌堅持不懈地研發(fā)適用于高能效設計的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  
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