- SiC功率半導體正進入多個應用領域
當首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時，整個產業(yè)都對SiC功率半導體的未來發(fā)展存在疑慮，它會有市場嗎?它能夠真正實現商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導體市場是真實存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導體市場(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元，到2021年，其市場規(guī)模預計將超過5.5億美元，這期間的復合年均增長率預計將達19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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SiC 功率半導體
- 一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因為那里房子更大，院子更寬敞。同樣，當工程師需要大電流用于負載點(POL)設計時，他們一般會放棄高密度轉換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案?？刂破?，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經濟性，但會占據更多不動產，更多的電路板空間。
直到最近，電流超過10-15A的應用一般會依賴帶外部MOSF
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MOSFET 封裝
- 下面對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。
1，MOS管種類和結構
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開
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MOS管 MOSFET
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV，Electric Vehicles)市場發(fā)布了先進的高能效功率半導體器件，同時還公布了新產品AEC-Q101汽車質量認證時間表。
電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續(xù)航里程。意法半導體最新的碳化硅(SiC)技術讓車企能夠研制續(xù)航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術的領導者，針對汽車所有主要電氣模塊，意法半導體率先推
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意法半導體 MOSFET
- 通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網絡的關鍵基礎設施，是通信網絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。通信電源產品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示?！ ?nbsp;
圖1：通訊電源機房 目前主流的通訊電源，其參數如下： ? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz ? 輸出功率：2kw ?
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SiC PFC
- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅動IC產品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。 全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅動高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設備及商用和農用車等。優(yōu)化的
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英飛凌 SiC-MOSFET
- 通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網絡的關鍵基礎設施，是通信網絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。
通信電源產品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示。
圖1：通訊電源機房
目前主流的通訊電源，其參數如下：
• 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz
• 輸出功率：2kw
• 輸出：最大電壓1
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世強 SiC
- 基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前，高壓器件的主要設計平臺是基于平面技術。但高壓下的快速開關會產生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結MOSFET過渡的設計工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關速度。本應用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分理解和使用超級結技術的優(yōu)點。
為了理解兩種技術的差異，我
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MOSFET 超級結結構
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設計人員提高計算機、電信網絡、工業(yè)、消費電子產品的能效創(chuàng)造新的機會?！ ∪澜绲娜硕荚讷@取、保存、分享大量的電子書、視頻、相片和音樂文件，數據使用量連續(xù)快速增長，運行云計算技術的服務器集群、互聯互通的電信網絡、數據用戶終端設備的耗電量也隨之越來越高，人們對這些設備能耗最小化的需求越來越多
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意法半導體 MOSFET
- MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢? 三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示?！ OS管在ON狀態(tài)時工作于線性區(qū)(相當于三極管的飽
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MOSFET 三極管
- 本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點?？梢哉f，IGBT是一個非通即斷的開關，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
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IGBT MOSFET
- MOSFET的擊穿有哪幾種? Source、Drain、Gate 場效應管的三極:源級S 漏級D 柵級G (這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿) 先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate?！ ?) Drain->Source穿通擊穿: 這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk
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MOS管 MOSFET
- 為了降低能源成本，設備設計人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下，電源設計人員通過增大開關頻率來降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。由于具有諸多優(yōu)勢如寬輸出調節(jié)范圍、窄開關頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開關，LLC 諧振轉換器應用越來越普遍。但是，功率 MOSFET 出現故障一直是LLC 諧振轉換器中存在的一個問題。在本文中，我們將闡述如何避免這些情況下出現MOSFET 故障。
初級 MOSFET 的不良體二極管性能可能導致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種異常條件下發(fā)生嚴重的直通
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諧振轉換器 MOSFET
- 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現，但是在更多情況下，設計人員使用完全自保護的MOSFET功率器件來完成?！ D1顯示了完全自保護MOSFET的一般拓撲結構。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護?！ ?nbsp;&n
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MOSFET 功率器件
- SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業(yè)上，例如產線機器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動車(EV)，此外還有工廠車間的搬運車等特種車。
相比IGBT，SiC有一些特點，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應適應高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產品，這可體現出耐高壓的特點。
現在ROHM SiC模塊中，300A是量產中最大的電流(如圖)，由幾個芯片并聯在一起的。如果一個芯片40A左右，就需要約七八個芯片并聯，面積只有單個芯片那么大。絕緣層是由氧
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ROHM SiC
sic-mosfet介紹
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