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特斯拉 Model3 搭載 SiC，寬禁帶半導體迎來爆發(fā)

  • 去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款開售，其產(chǎn)品設計和功能變化都引起了外界關注。在特斯拉 Model 3 車型中，SiC 得到量產(chǎn)應用，這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動汽車，可提高續(xù)航里程，對突破現(xiàn)有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸，乃至整個新能源汽車行業(yè)都有重要意義。目前，業(yè)內(nèi)普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導體將成為下一代半導體主要材料，那么寬禁帶半導體當前發(fā)展狀況如何？國內(nèi)外發(fā)展寬禁帶半導體有哪些區(qū)別？未來發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)？01、特斯拉 Model 3 首批
  • 關鍵字： 特斯拉  Model 3  SiC  

羅姆（ROHM）第4代：技術回顧

  • 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及多個可用的TO247封裝元件，其汽車級合格認證達56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續(xù)瞄準他們之前取得成功的車載充電器市場。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中，羅姆聲稱其第4代產(chǎn)品“通過進一步改進原有的雙溝槽結構，在不影響短路耐受時間的情況下，使單位面積導通電阻比傳統(tǒng)產(chǎn)品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著降低寄生電容使得開關損耗比我們的上一代碳
  • 關鍵字： 羅姆  ROHM  MOSFET  

Vishay推出的新款對稱雙通道MOSFET 可大幅節(jié)省系統(tǒng)面積并簡化設計

  • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計算和通信應
  • 關鍵字： Vishay  對稱雙通道  MOSFET  

瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動IC 用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
  • 關鍵字： 瑞薩  柵極驅(qū)動IC  EV逆變器  IGBT  SiC MOSFET  

安森美與大眾汽車集團就下一代電動汽車的碳化硅(SiC)技術達成戰(zhàn)略協(xié)議，進一步鞏固戰(zhàn)略合作關系

  • 2023 年 1 月 30 日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊，作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
  • 關鍵字： 安森美  大眾汽車集團  電動汽車  碳化硅  SiC  

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

  • SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開關動作成為可能。但是，由于開關的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視，導致漏極源極之間會有很大的電壓尖峰。這個尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規(guī)格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
  • 關鍵字： Arrow  碳化硅  MOSFET  

庫存去化緩 MOSFET上半年市況嚴峻

  • PC、消費性市況在2022年第四季需求持續(xù)疲弱，且今年第一季客戶端仍舊處于保守態(tài)度，使得MOSFET庫存去化速度將比原先預期更加緩慢，供應鏈預期，最差情況可能要延續(xù)到今年第三季才可能逐步結束庫存去化階段。法人預期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET廠營運可能將維持平淡到今年中。PC、消費性市況在歷經(jīng)2022年下半年的景氣寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市場庫存去化速度緩慢。供應鏈指出，先前晶圓代工產(chǎn)能吃緊，客戶端重復下單情況在2
  • 關鍵字： 庫存  MOSFET  

SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？

  • 眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙嚒Ｔ诠杌a(chǎn)品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結構，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來捋一捋。關于IGBT使用溝槽柵的原因及特點，可以參考下面兩篇文章：●   英飛凌芯片簡史●  &n
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

簡述SiC MOSFET短路保護時間

  • 在本設計解決方案中，我們回顧了在工廠環(huán)境中運行的執(zhí)行器中使用的高邊開關電路的一些具有挑戰(zhàn)性的工作條件和常見故障機制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監(jiān)控電路運行，并在發(fā)生這些情況時采取適當措施防止損壞。IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。比如英飛凌這個820
  • 關鍵字： 技術田地  MOSFET  

簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應用中的重要作用

  • 電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術中發(fā)揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務、深層石油開采系統(tǒng)、飛機系統(tǒng)等領域的進步。電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術中發(fā)揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務、深層石油開采系統(tǒng)、飛機系統(tǒng)等領域的進步。電力電子電路不斷發(fā)展以實現(xiàn)更高的效率，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）等電力電子設備為令人興奮
  • 關鍵字： 國晶微半導體  SIC  

簡述功率MOSFET電流額定值和熱設計

  • 電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。1、什么是電流額定值？?電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。這就帶來了兩種后果：?? 每個電流
  • 關鍵字： MOSFET  

小而薄的MOSFET柵極驅(qū)動IC更適合小型化應用

  • 電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉換都需要負載開關，它可以減小待機模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實現(xiàn)斷電控制。負載開關的作用是開啟和關閉電源軌，大部分負載開關包含四個引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當通過ON引腳使能器件時，導通FET接通，從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳，將電能傳遞到下游電路。東芝面向20V電源線路推出的MOSFET柵極驅(qū)動IC（集成電路）TCK421G就是一款負載開關，它是TCK42xG系列中的首款產(chǎn)品。該系列器件專門用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓（基于輸
  • 關鍵字： TOSHIBA  MOSFET  

羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。在全球?qū)崿F(xiàn)無碳社會的努力中，汽車的電動化進程加速，在這種背景下，開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業(yè)內(nèi)對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
  • 關鍵字： 羅姆  SiC MOSFET  日立安斯泰莫  純電動汽車逆變器  

意法半導體第3代SiC碳化硅功率模塊，這品牌用上了？

  • 現(xiàn)代-起亞集團的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構、高功率充電備受肯定，原先 E-GMP 平臺在后馬達 Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導體，成本與轉換效率比傳統(tǒng)的硅半導體更高，更能提升續(xù)航。如今瑞士半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊，并確認 E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車款將采用，預計在動力、續(xù)航都能再升級。E-GMP 平臺，原先已在后馬達逆變器采用 Si
  • 關鍵字： SiC  碳化硅功率模塊  起亞 EV6  意法半導體  ACEPACK DRIVE  

一文讀懂功率半導體

  • 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
  • 關鍵字： 功率半導體  MOSFET  IGBT  
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