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Ameya360:平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET區(qū)別

  • 今天,Ameya360給大家介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因?yàn)榻酉聛淼膸灼獙⒄劤?jí)結(jié)MOSFET相關(guān)的話題,因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎(chǔ)上,根據(jù)其特征和特性對(duì)使用區(qū)分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍??梢钥闯?,Si-MOSFET在這個(gè)比較中,導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET,但在低~中功率條件
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新能源汽車時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)

  •   前  言  1824年,一種全新的材料被瑞典科學(xué)家,貝采里烏斯合成出來,這是一種名為碳化硅的黑色粉末,平平無奇的樣子,仿佛是隨處可見的灰燼,也許誰也沒能想到,就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒,將會(huì)在近200年后,在其之上長(zhǎng)出絢爛的花朵,幫助人類突破半導(dǎo)體的瓶頸。在人類半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起步初期,基于硅(Si)芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越,無論是成本還是性能都達(dá)到了完美的平衡,自然對(duì)于碳化硅(SiC)沒有過多的注意。直到20世紀(jì)90年代,Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸,再次激發(fā)
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GaN 時(shí)代來了?

  • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%,預(yù)計(jì)第三代化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化,GaN 被認(rèn)為會(huì)產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,這有望使臺(tái)積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益,它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署,并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級(jí),并具備高載流能力,因此非常適合汽車和機(jī)車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
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FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現(xiàn)象下半年將持續(xù)

  • 2023 年,半導(dǎo)體和電子元件價(jià)格正在穩(wěn)定,但仍有部分產(chǎn)品短缺。
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碳化硅快充時(shí)代來臨,800V高壓超充開始普及!

  • 一直以來,“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關(guān)鍵問題,是車企和車主共同的焦慮;但隨著高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來,將SiC(碳化硅)一詞推向了市場(chǎng)的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后,800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V,800V帶來了更高的功效,大幅提升功率,實(shí)現(xiàn)了15分鐘的快充補(bǔ)能。而構(gòu)建800V超充平臺(tái)的靈魂就是材料的革新,基于碳化硅的新型控制器,便引領(lǐng)著這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺(tái)Si(硅)早已
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詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

  • 電源應(yīng)用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD),包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力,同時(shí)尺寸較小,從而有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力,但有時(shí)散熱效果并不理想。由于器件的引線框架(包括裸露漏極焊盤)直接焊接到覆銅區(qū),這導(dǎo)致熱量主要通過PCB進(jìn)行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中,僅能通過空氣對(duì)流來散熱。因此,熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性:覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無論電路板是
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銀河微電:功率MOSFET器件已實(shí)現(xiàn)Clip Bond技術(shù)量產(chǎn)

  • 銀河微電12月20日在互動(dòng)平臺(tái)表示,功率MOSFET器件已實(shí)現(xiàn)Clip Bond技術(shù)的量產(chǎn);IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn),未來將根據(jù)市場(chǎng)情況逐步系列化;DFN0603無框架封裝已完成工藝驗(yàn)證,性能指標(biāo)符合開發(fā)目標(biāo)要求;CSP0603封裝已完成技術(shù)開發(fā),未來芯片線改擴(kuò)建時(shí)將進(jìn)行成果轉(zhuǎn)化。
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5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品!

  • 當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí),您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求,但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開關(guān)電源,其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC?為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的,請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比,SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議

  • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展,將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示,英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC
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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

  • 與硅技術(shù)相比,SiC MOSFET在光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì),它解決了能效與成本的迫切需求,特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來搬運(yùn)和安裝該系統(tǒng),將會(huì)非常利于運(yùn)維。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源,而且使設(shè)備更小、更輕,相關(guān)的資本、安裝和維護(hù)成本更低。關(guān)鍵的應(yīng)用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)中,1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低,同時(shí)要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
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功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)選型避坑指南

  • _____“?動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用雙脈沖測(cè)試進(jìn)行?!卑凑毡粶y(cè)器件的封裝類型,功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)分為針對(duì)分立器件和功率模塊兩大類。長(zhǎng)期以來,針對(duì)功率模塊的測(cè)試系統(tǒng)占據(jù)絕大部分市場(chǎng)份額,針對(duì)分立器件的測(cè)試系統(tǒng)需求較少,選擇也很局限。隨著我國(guó)功率器件國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快,功率器件廠商和系統(tǒng)應(yīng)用企業(yè)也越來越重視功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,特別是針對(duì)分立器件的測(cè)試系統(tǒng)提出了越來越多
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功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)

  • 高頻高效是開關(guān)電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì),高頻工作導(dǎo)致功率元件開關(guān)損耗增加,因此要使用軟開關(guān)技術(shù),保證在高頻工作狀態(tài)下,減小功率元件開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。高頻高效是開關(guān)電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì),高頻工作導(dǎo)致功率元件開關(guān)損耗增加,因此要使用軟開關(guān)技術(shù),保證在高頻工作狀態(tài)下,減小功率元件開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。功率MOSFET開關(guān)損耗有2個(gè)產(chǎn)生因素:1)開關(guān)過程中,穿越線性區(qū)(放大區(qū))時(shí),電流和電壓產(chǎn)生交疊,形成開關(guān)損耗。其中,米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間,在開關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。圖1 功率MOSFET
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高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望

  • 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢(shì),在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛,具有巨大的研究?jī)r(jià)值?;仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展,總結(jié)了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結(jié)構(gòu),介紹了針對(duì)高壓器件的幾種終端結(jié)構(gòu)及其發(fā)展現(xiàn)狀,對(duì)高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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東芝推出采用新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,支持車載設(shè)備對(duì)更大電流的需求

  • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布推出采用新型L-TOGL?(大型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。產(chǎn)品于今日開始出貨。近年來,隨著社會(huì)對(duì)電動(dòng)汽車需求的增長(zhǎng),產(chǎn)業(yè)對(duì)能滿足車載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝,支持大電流、低導(dǎo)通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線柱[1]結(jié)構(gòu),通過引入一個(gè)銅夾片將源極連接件和外
  • 關(guān)鍵字: 東芝  MOSFET  

功率器件:新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

  • 功率半導(dǎo)體器件,也稱為電力電子器件,主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變(直流轉(zhuǎn)換成交流)、整流(交流轉(zhuǎn)換成直流)、斬波(直流升降壓)、變頻(交流之間轉(zhuǎn)換)是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件,功率器件下游應(yīng)用十分廣泛,包括新能源(風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車)、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等,根據(jù)每個(gè)細(xì)分領(lǐng)域性能要求
  • 關(guān)鍵字: 功率器件  IGBT  MOSFET  國(guó)產(chǎn)替代  
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