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sic mosfet 文章 最新資訊

如何為開關電源選擇合適的MOSFET？

  • DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復雜。圖1：降壓同步開關穩(wěn)壓器原理圖。DC/DC開關電源因其高效率而廣泛應用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時擁有一個高側FET和低側FET的降壓同步開關穩(wěn)壓器，如圖1所示。這兩個FET會根據控制器設置的占空比進行開關操作，旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方
  • 關鍵字： 開關電源  MOSFET  

Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍

  • 基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數。這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真，并在原型設計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源，工程師此
  • 關鍵字： Nexperia  電熱模型  MOSFET  

羅姆SiC評估板測評：快充測試

  • 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅動空載輸出12V，gs驅動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載  24轉55V  2A dcdc驅動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關速度方面優(yōu)于硅基產品，以后有對應設備
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試

  • 測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

羅姆SiC評估板測評：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術研究

  • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實，評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標識。
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

SiC MOSFET的橋式結構解析

  • 本文將對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹。
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  MOSFET  

碳化硅MOSFET晶體管的特征

  • 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  MOSFET  

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

  • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  SBD  

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

  • 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  SBD  

SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較

  • 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
  • 關鍵字： 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管  

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

  • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  

什么是碳化硅？SiC的特性和特征

  • 碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  

ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

  • 意法半導體（ST）作為全球領先的汽車半導體供應商之一，多年前就開始布局新能源汽車領域，在2019年正式成立新能源車技術創(chuàng)新中心，推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā)，滿足ASIL D等級?；贏utoSAR的軟件架構和模型化的軟件算法，為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利，大大縮短了整個研發(fā)周期。
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  牽引逆變器  

ST第三代碳化硅技術問世 瞄準汽車與工業(yè)市場應用

  • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI說明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數據，圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，
  • 關鍵字： ST  碳化硅  汽車  工業(yè)  SiC  

ST：發(fā)展碳化硅技術 關鍵在掌控整套產業(yè)鏈

  • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，就能節(jié)省95.
  • 關鍵字： ST  GaN  SiC  
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