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ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)，對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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逆變電路中開(kāi)關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性—逆變電路的種類和通電方式

逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類。單相逆變電路的電路圖和輸出電流的示意波形分別如圖1和圖2所示。單相逆變電路可將直流電轉(zhuǎn)換為單相交流電，因此通常被用于功率調(diào)節(jié)器和不間斷電源（UPS）等普通家庭的商用電源應(yīng)用。關(guān)鍵要點(diǎn)?逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類。?電機(jī)驅(qū)動(dòng)采用可使轉(zhuǎn)矩穩(wěn)定、且可抑制振動(dòng)和噪聲的三相逆變器。?用三相逆變器驅(qū)動(dòng)電機(jī)時(shí)的激勵(lì)（通電）方式有方波驅(qū)動(dòng)（120°激勵(lì)）和正弦波驅(qū)動(dòng)（三相調(diào)制、兩相調(diào)制），不同的方式各有優(yōu)缺點(diǎn)。?在本系列文章中，將以電機(jī)驅(qū)動(dòng)中常用的正弦波
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ROHM面向車載應(yīng)用開(kāi)發(fā)出高耐壓霍爾IC新產(chǎn)品“BD5310xG-CZ/BD5410xG-CZ系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向使用到磁場(chǎng)檢測(cè)的車載應(yīng)用開(kāi)發(fā)出新的霍爾IC“BD5310xG-CZ?/ BD5410xG-CZ系列”。近年來(lái)，隨著汽車的電動(dòng)化和高性能化發(fā)展，以及舒適性和安全性的提高，在汽車中電子產(chǎn)品的應(yīng)用越來(lái)越多，而控制這些電子產(chǎn)品的ECU（電子控制單元）和附帶的傳感器已成為不可或缺的組成部分。在傳感器類產(chǎn)品中，霍爾IC能夠以非接觸方式進(jìn)行位置檢測(cè)和電機(jī)旋轉(zhuǎn)檢測(cè)，與機(jī)械式開(kāi)關(guān)相比，具有不易磨損、體積小、可配備保護(hù)電路等諸多優(yōu)點(diǎn)，因此其應(yīng)用尤為廣泛。ROHM
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漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌

開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開(kāi)關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)說(shuō)明發(fā)生浪涌時(shí)的振鈴電流的路徑。這是一個(gè)橋式結(jié)構(gòu)，在High Side（以下簡(jiǎn)稱HS）和Low Side（以下簡(jiǎn)稱LS）之間連接了一個(gè)開(kāi)關(guān)器件，該圖是LS導(dǎo)通，電路中存在開(kāi)關(guān)電流IMAIN的情形。通常，該IMAIN從VSW流入，通過(guò)線路電感LMAIN流動(dòng)。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振引起的。?在實(shí)際的版圖設(shè)
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安全使用三端穩(wěn)壓器必備的散熱基礎(chǔ)知識(shí)

三端穩(wěn)壓器是一種可以用來(lái)對(duì)電源進(jìn)行降壓的簡(jiǎn)單電子器件。由于降壓部分直接因發(fā)熱而成為熱損耗，因此在從很高的電壓降壓時(shí)或在大電流條件下使用時(shí)，需要安裝合適的散熱器。研究發(fā)現(xiàn)，溫度每升高2℃，電子元器件的不良率就會(huì)增加10%，因此，適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì)對(duì)于提高電子元器件的可靠性和延長(zhǎng)使用壽命而言至關(guān)重要。1 三端穩(wěn)壓器的最大電流取決于溫度三端穩(wěn)壓器有多種類型，其最大輸出電流涵蓋0.5A到2A的范圍。但是，在最大電流條件下使用時(shí)，需要配備合適的散熱器。在三端穩(wěn)壓器的技術(shù)規(guī)格書(shū)中，列出了單獨(dú)使用IC時(shí)和帶散熱器使用IC時(shí)
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ROHM開(kāi)發(fā)出汽車內(nèi)飾用RGB貼片LED 減少由混色引起的色差問(wèn)題

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出一款面向汽車內(nèi)飾的RGB貼片LED*1“SMLVN6RGBFU”，非常適用于儀表盤(pán)和CID（Center Information Display）*2等車內(nèi)功能和狀態(tài)顯示用的指示燈*3，以及腳燈和門(mén)把手燈等裝飾照明應(yīng)用。近年來(lái)，隨著汽車電子化程度的提高和功能多樣化的發(fā)展，車速自動(dòng)控制、車距檢測(cè)、車道線檢測(cè)等各種駕駛輔助功能得以廣泛應(yīng)用。為了用儀表盤(pán)等的指示燈顯示這些功能的工作狀態(tài)，業(yè)內(nèi)對(duì)于能夠表現(xiàn)各種顏色的RGB貼片LED的需求日益高漲。另外，對(duì)使用R
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ROHM開(kāi)始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì)，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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ROHM開(kāi)發(fā)出超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設(shè)備電源和各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)以24V、36V、48V級(jí)電源供電的應(yīng)用，例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備用的電機(jī)等。近年來(lái)，全球電力需求量持續(xù)增長(zhǎng)，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機(jī)和基站、服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備的工作
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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PFC電路：柵極電阻的更改

在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)工作中，降噪是的一項(xiàng)重大課題，通常，可以通過(guò)提高開(kāi)關(guān)器件的柵極電阻來(lái)抑制噪聲，但其代價(jià)是效率降低（損耗增加），因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。在本文中，我們來(lái)探討當(dāng)將開(kāi)關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時(shí)，最大柵極電阻RG的情況。另外，由于噪聲需要實(shí)際裝機(jī)評(píng)估，所以在這里省略噪聲相關(guān)的探討。關(guān)鍵要點(diǎn)?增加開(kāi)關(guān)元件的柵極電阻會(huì)抑制噪聲，但與之存在權(quán)衡關(guān)系的效率會(huì)降低，因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。?將開(kāi)關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時(shí)，其最大柵極電阻RG可以通過(guò)仿真來(lái)確認(rèn)。
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非常適用于車載和工業(yè)設(shè)備的雙面散熱功率模塊！ROHM開(kāi)發(fā)出12W級(jí)額定功率的0.85mm業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載和工業(yè)設(shè)備中的大功率應(yīng)用，開(kāi)發(fā)出12W級(jí)額定功率的業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”。另外，ROHM針對(duì)已在15W級(jí)額定功率產(chǎn)品中達(dá)到業(yè)界超小級(jí)別的“PSR330”和“PSR100”，還計(jì)劃推出0.2mΩ 的產(chǎn)品，以進(jìn)一步增強(qiáng)“PSR系列”的產(chǎn)品陣容。在工業(yè)設(shè)備的功率模塊中，早已出現(xiàn)了內(nèi)置分流電阻器的產(chǎn)品。近年來(lái)，在xEV的主驅(qū)逆變器中，為了減小外殼尺寸，在模塊兩側(cè)配置散熱機(jī)構(gòu)的薄型功率模塊逐漸增加，在其中內(nèi)置分流電阻器的需求也日益高漲。然而
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ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動(dòng)控制”IC 技術(shù)

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件的性能。近年來(lái)，GaN器件因其具有高速開(kāi)關(guān)的特性優(yōu)勢(shì)而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。在這種背景下，ROHM進(jìn)一步改進(jìn)了在電源IC領(lǐng)域確立的超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control?”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達(dá)到業(yè)界超高水平。通過(guò)將該技術(shù)應(yīng)用在控制IC中，又成功地確立了可更大程
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妙趣橫生的電子小知識(shí)　第1篇：初識(shí)晶體管

本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)和各種小知識(shí)。本系列涉及到的內(nèi)容很廣泛，涵蓋從基礎(chǔ)知識(shí)到應(yīng)用部分的豐富內(nèi)容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問(wèn)別人，但又拿不準(zhǔn)自己是否已經(jīng)理解了”的人。第一個(gè)應(yīng)該了解的要數(shù)“晶體管”了?！熬w管”在電子制作領(lǐng)域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機(jī)時(shí)，晶體管是不可或缺的重要器件。但是，對(duì)于電子制作初學(xué)者來(lái)說(shuō)，掌握晶體管的使用方法有點(diǎn)難。剛開(kāi)始電子制作時(shí)使用的元器件，比如電池、LED、電阻器和開(kāi)關(guān)等，幾乎都是兩個(gè)引腳，而晶體管卻有三個(gè)引
關(guān)鍵字： ROHM 電源設(shè)計(jì) ZVS

妙趣橫生的電子小知識(shí)　第1篇：初識(shí)晶體管

本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)和各種小知識(shí)。本系列涉及到的內(nèi)容很廣泛，涵蓋從基礎(chǔ)知識(shí)到應(yīng)用部分的豐富內(nèi)容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問(wèn)別人，但又拿不準(zhǔn)自己是否已經(jīng)理解了”的人。第一個(gè)應(yīng)該了解的要數(shù)“晶體管”了?！熬w管”在電子制作領(lǐng)域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機(jī)時(shí)，晶體管是不可或缺的重要器件。但是，對(duì)于電子制作初學(xué)者來(lái)說(shuō)，掌握晶體管的使用方法有點(diǎn)難。剛開(kāi)始電子制作時(shí)使用的元器件，比如電池、LED、電阻器和開(kāi)關(guān)等，幾乎都是兩個(gè)引腳，而晶體管卻有三個(gè)引
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ROHM開(kāi)發(fā)出精度達(dá)±1%的電流檢測(cè)放大器IC“BD14210G-LA”

與以往結(jié)構(gòu)相比，安裝面積減少約46%！輸入電壓范圍為－0.2V～＋26V，非常適用于12V和24V電源應(yīng)用的電流檢測(cè)用途全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向無(wú)線基站、PLC*1 和逆變器等工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域以及白色家電等消費(fèi)電子領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)出更節(jié)省空間的高精度電流檢測(cè)放大器IC“BD1421x-LA系列”。近年來(lái)，越來(lái)越多的應(yīng)用產(chǎn)品需要具備電流檢測(cè)功能。例如，要想改善電機(jī)效率和實(shí)現(xiàn)異常檢測(cè)等目標(biāo)，就需要提高電流檢測(cè)精度。另外，還需要減少安裝面積。在以往結(jié)構(gòu)（運(yùn)算放大器+分立器件）中，存在元器件精
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