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rohm level 3 文章 最新資訊

ROHM開發(fā)出用于液晶背光的4通道、6通道LED驅(qū)動器,助力中大型車載顯示器進(jìn)一步降低功耗

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）針對車載信息娛樂系統(tǒng)和車載組合儀表等應(yīng)用，成功開發(fā)出適用于中型車載顯示器的4通道LED驅(qū)動器IC“”、“BD83A14EFV-M”，以及適用于大型車載顯示器的6通道LED驅(qū)動器IC“BD82A26MUF-M”。近年來，隨著ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）的發(fā)展和車載信息娛樂系統(tǒng)的功能增加，車載顯示器的尺寸日趨增大。這就要求用于車載顯示器液晶背光的LED驅(qū)動器具有更高的驅(qū)動效率，能夠在提高額定輸出電流的同時降低功耗。此外，如果車載顯示器出現(xiàn)閃爍，其視認(rèn)性將會降低
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ROHM確立了業(yè)界超小短波紅外(SWIR)器件的量產(chǎn)技術(shù)

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）針對需要進(jìn)行物質(zhì)檢測的便攜設(shè)備、可穿戴和可聽戴設(shè)備，確立了1608尺寸（1.6mm×0.8mm）業(yè)界超小的短波紅外*1（以下簡稱SWIR：Short Wavelength Infrared）器件量產(chǎn)技術(shù)。?SWIR利用了水、冰和氣體等吸收特定紅外波長的特性，在感測領(lǐng)域的應(yīng)用備受期待。這種產(chǎn)品不僅可用來檢測物質(zhì)的有無和成分的多少，還可以用作醫(yī)療領(lǐng)域的血氧飽和度和血糖檢測裝置的光源，在食品領(lǐng)域還可用來檢測蔬菜和水果的含水量和含糖量等。另外，在便攜設(shè)備
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羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧

  • 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及多個可用的TO247封裝元件，其汽車級合格認(rèn)證達(dá)56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續(xù)瞄準(zhǔn)他們之前取得成功的車載充電器市場。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中，羅姆聲稱其第4代產(chǎn)品“通過進(jìn)一步改進(jìn)原有的雙溝槽結(jié)構(gòu)，在不影響短路耐受時間的情況下，使單位面積導(dǎo)通電阻比傳統(tǒng)產(chǎn)品降低40%。”他們還表示，“此外，顯著降低寄生電容使得開關(guān)損耗比我們的上一代碳
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ROHM開發(fā)出輸出電壓更穩(wěn)定且非常適用于冗余電源的小型一次側(cè)LDO

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出支持高達(dá)45V的額定電壓、50mA輸出電流的一次側(cè)*1LDO穩(wěn)壓器*2（以下簡稱“LDO”）“BD7xxL05G-C系列”（BD725L05G-C、BD730L05G-C、BD733L05G-C、BD750L05G-C），該系列產(chǎn)品非常適用于各種冗余電源*3，用于車載應(yīng)用中，可提高車載電源系統(tǒng)的可靠性。近年來，隨著ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）等的發(fā)展，要求為這些應(yīng)用供電的車載電源系統(tǒng)具有更高的可靠性。因此，越來越多的車載電源系統(tǒng)都開始配備冗余電源，以
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ROHM助力智能功率器件實(shí)現(xiàn)功能安全并減少功率損耗

  • 近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車載電子系統(tǒng)、PLC（Programable Logic Controller）等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出40V耐壓單通道和雙通道輸出的智能低邊開關(guān)（Intelligent Power Device，以下簡稱IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款產(chǎn)品。這些產(chǎn)品通過替代機(jī)械繼電器和MOSFET，實(shí)現(xiàn)汽車和工業(yè)設(shè)備市場所需的功能安全。新產(chǎn)品已于2022年10月開始暫以系列合計(jì)月產(chǎn)60萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)
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ROHM采用自有的電路和器件技術(shù)“TDACC?” 開發(fā)出有助于安全工作和減少功率損耗的小型智能功率器件

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車載電子系統(tǒng)、PLC（Programable Logic Controller）等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出40V耐壓單通道和雙通道輸出的智能低邊開關(guān)*1（Intelligent Power Device，以下簡稱IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款產(chǎn)品。近年來，在汽車和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，圍繞自動駕駛（自動化）的技術(shù)創(chuàng)新日新月異，對安全性的要求也越來越高。在進(jìn)行設(shè)備開發(fā)時，必須考慮到如
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ROHM開發(fā)出有助于xEV相關(guān)應(yīng)用的小型化和減少降噪設(shè)計(jì)工時的隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7Fx05EFJ-C”

  • 與普通產(chǎn)品相比，在主驅(qū)逆變器、OBC等的隔離電路中，安裝面積可減少約30%全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出兩款隔離型反激式*1DC-DC轉(zhuǎn)換器和，新產(chǎn)品非常適用于xEV（電動汽車）的主驅(qū)逆變器、車載充電器（以下簡稱“OBC”）、電動壓縮機(jī)以及PTC加熱器*2等應(yīng)用中配備的柵極驅(qū)動器的驅(qū)動電源。近年來，為了實(shí)現(xiàn)社會的可持續(xù)發(fā)展，混合動力汽車和純電動汽車（統(tǒng)稱“xEV”）加速普及。xEV將電力作為主要動力來源，并配備了各類電動汽車特有的應(yīng)用，比如用于驅(qū)動電機(jī)的主驅(qū)逆變器、用于空調(diào)的電動
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ROHM開發(fā)出隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7Fx05EFJ-C”，助力xEV相關(guān)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)小型化以及減少降噪設(shè)計(jì)工時！

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出兩款隔離型反激式*1DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7F105EFJ-C”和“BD7F205EFJ-C”，新產(chǎn)品非常適用于xEV（電動汽車）的主驅(qū)逆變器、車載充電器（以下簡稱“OBC”）、電動壓縮機(jī)以及PTC加熱器*2等應(yīng)用中配備的柵極驅(qū)動器的驅(qū)動電源。近年來，為了實(shí)現(xiàn)社會的可持續(xù)發(fā)展，混合動力汽車和純電動汽車（統(tǒng)稱“xEV”）加速普及。xEV將電力作為主要動力來源，并配備了各類電動汽車特有的應(yīng)用，比如用于驅(qū)動電機(jī)的主驅(qū)逆變器、用于空調(diào)的電動壓縮機(jī)、用于提升車
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什么是DC-DC轉(zhuǎn)換器的熱仿真

  • 在“DC-DC轉(zhuǎn)換器的熱仿真”系列中，將介紹使用ROHM Solution Simulator對耐壓80V、輸出5A的DC-DC轉(zhuǎn)換器IC“BD9G500EFJ-LA”組成的電源電路進(jìn)行電路工作仿真，還會介紹可以同時執(zhí)行該IC和外置器件肖特基勢壘二極管“RB088BM100TL”溫度仿真的仿真環(huán)境及其使用方法。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?ROHM Solution Simulator的熱分析功能具有以下特點(diǎn)：– 可對含有功率半導(dǎo)體、IC和無源器件的電路進(jìn)行熱-電耦合分析。– 除了電路工作期間的半導(dǎo)體芯片溫度（結(jié)溫）分
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ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸、超低功耗的MOSFET

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設(shè)備、無線耳機(jī)等可聽戴設(shè)備、智能手機(jī)等輕薄小型設(shè)備的開關(guān)應(yīng)用。近年來，隨著小型設(shè)備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設(shè)備內(nèi)部所需的電量也呈增長趨勢，電池尺寸的增加，導(dǎo)致元器件的安裝空間越來越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求，開發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時

  • 具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)1 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。2 要想正確實(shí)施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對
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表面溫度測量：熱電偶的固定方法

  • 測量表面溫度時，熱電偶的固定方法和導(dǎo)線的處理會影響測量結(jié)果。盡量減少熱電偶固定方法帶來的影響是非常重要的。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)? 將熱電偶的測量端（連接端）固定到IC等封裝上的方法有兩種：①使用聚酰亞胺（PI）膠帶等；②使用環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑。? JEDEC推薦使用環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑的方法。? 除了熱電偶測量端的固定方法外，導(dǎo)線的處理也會影響到測量結(jié)果，因此應(yīng)沿著發(fā)熱源敷設(shè)導(dǎo)線。測量表面溫度時，熱電偶的固定方法和導(dǎo)線的處理會影響測量結(jié)果。盡量減少熱電偶固定方法帶來的影響是非常重要的。熱電偶的固定方法：粘貼方法將熱電偶的
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恒流負(fù)載導(dǎo)致的啟動故障

  • 內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器IC，在IC啟動前輸出端被施加恒流負(fù)載時，可能會出現(xiàn)無法啟動的問題。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器在啟動前被施加恒流負(fù)載時，可能會出現(xiàn)無法啟動的故障。?內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器的這種故障可以通過使用具有電流下垂特性的過電流保護(hù)電路的線性穩(wěn)壓器來解決。?如果因恒流負(fù)載而使電流流過在IC的輸出引腳和接地之間的ESD保護(hù)二極管或寄生二極管，則IC可能會劣化甚至損壞，因此需要在IC的輸出引腳和接地之間連接肖特基勢壘二極管來進(jìn)行保護(hù)。內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器
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LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點(diǎn)

  • 在下面的表格中，匯總了當(dāng)著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側(cè)MOSFET時，LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點(diǎn)。LLC轉(zhuǎn)換器通過部分諧振方式實(shí)現(xiàn)ZVS工作，部分諧振方式是使用激勵電流對MOSFET的輸出電容Coss進(jìn)行充電和放電。這樣可以減少開關(guān)損耗，從而可以減小MOSFET封裝和散熱器的尺寸。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?雖然LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)損耗低，但受失諧的影響，開關(guān)損耗可能會增加，并且可能會導(dǎo)致MOSFET損壞。?LLC轉(zhuǎn)換器使用PFM方式來控制輸出電壓。由于LLC的增益頻率特性具有兩個諧振頻率，因此根據(jù)fsw被分
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內(nèi)置線性穩(wěn)壓器的電源無法啟動的故障案例：直通電流導(dǎo)致的啟動故障

  • 這種故障類似于“案例3：直通電流導(dǎo)致的啟動故障①”，多發(fā)生于電路模塊的電路電流在電源電壓上升時和下降時明顯不同的情況。圖1為電路電流示例。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?當(dāng)作為負(fù)載的電路模塊在電源電壓上升時和下降時電流存在顯著差異時，可能會發(fā)生啟動故障。?需要充分評估折返式限流電路的特性和輸出電流（負(fù)載）的特性。案例4：直通電流導(dǎo)致的啟動故障②這種故障類似于“案例3：直通電流導(dǎo)致的啟動故障①”，多發(fā)生于電路模塊的電路電流在電源電壓上升時和下降時明顯不同的情況。圖1為電路電流示例。圖2表示將該電路模塊與“案例2：恒流負(fù)載導(dǎo)
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