rf-cmos 文章 最新資訊
CMOS集成電路中ESD保護(hù)技術(shù)研究

- 靜電在芯片的制造、封裝、測試和使用過程中無處不在,積累的靜電荷以幾安培或幾十安培的電流在納秒到微秒的時間里釋放,瞬間功率高達(dá)幾百千瓦,放電能量可達(dá)毫焦耳,對芯片的摧毀強度極大。所以芯片設(shè)計中靜電保護(hù)模塊的設(shè)計直接關(guān)系到芯片的功能穩(wěn)定性,極為重要。隨著工藝的發(fā)展,器件特征尺寸逐漸變小,柵氧也成比例縮小。二氧化硅的介電強度近似為8×106V/cm,因此厚度為10 nm的柵氧擊穿電壓約為8 V左右,盡管該擊穿電壓比3.3 V的電源電壓要高一倍多,但是各種因素造成的靜電,一般其峰值電壓遠(yuǎn)超過8 V
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賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的定制 CMOS 圖像傳感器系列贏得第 100 個設(shè)計中標(biāo)
- 2008 年 11 月12 日,北京訊 – 日前,賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NYSE: CY) 宣布該公司已經(jīng)完成其第 100 項定制 CMOS 圖像傳感器設(shè)計。賽普拉斯豐富的產(chǎn)品系列能夠滿足眾多應(yīng)用需求,如:工業(yè)與醫(yī)療 X 光成像、內(nèi)窺鏡檢查、機(jī)器視覺、太空星體跟蹤與遙感、條形碼閱讀器、生物測量、高速線陣傳感器以及高速運動分析傳感器等。 這些廣泛的定制設(shè)計中標(biāo)包括 Vision Research、Toshiba Teli、Micro Imaging 和 ARRI 公司的多項設(shè)計以及全球其
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DRAM廠另謀出路 搶進(jìn)晶圓代工市場
- DRAM現(xiàn)貨價跌破一美元,DRAM廠為了維持12吋廠利用率,但又不想再繼續(xù)燒錢生產(chǎn)DRAM,所以包括力晶及茂德,已經(jīng)開始把12吋廠產(chǎn)能移轉(zhuǎn)投入晶圓代工市場。據(jù)了解,兩家業(yè)者利用12吋廠經(jīng)濟(jì)規(guī)模優(yōu)勢,大搶LCD驅(qū)動IC、CMOS感測器等訂單,已對聯(lián)電、世界先進(jìn)等造成沖擊。 DRAM報價持續(xù)探底,燒錢速度愈來愈快,DRAM廠為了守住手中現(xiàn)金,均大砍明年資本支出,延緩50奈米制程微縮。再者,因為50奈米以下DRAM制程需導(dǎo)入先進(jìn)的浸潤式微影技術(shù),投資金額過于龐大,也不適合將現(xiàn)有12吋廠進(jìn)行改建。所
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廣泛應(yīng)用的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計
- 0引言隨著系統(tǒng)集成技術(shù)(SOC)的飛速發(fā)展,基準(zhǔn)電壓源已成為大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路和幾乎所有數(shù)字...
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u-blox獲Frost & Sullivan年度全球最佳產(chǎn)品創(chuàng)新獎
- Frost & Sullivan 基于對近期全球定位系統(tǒng)(GPS)的市場調(diào)查,授予 u-blox 2008年 Frost & Sullivan 年度全球最佳產(chǎn)品創(chuàng)新獎,以表彰該公司在技術(shù)創(chuàng)新和滿足客戶不同需要方面的實力。 u-blox 5 50通道芯片組和模塊于2006 年推出,該系列產(chǎn)品采用了多種先進(jìn)的技術(shù),為客戶的解決方案提供了更多選擇,同時大幅降低了產(chǎn)品成本和體積。 目前,公司正在開發(fā) u-blox 5 升級版,該版本具有精確授時和慣性導(dǎo)航功能,適用于汽車和基礎(chǔ)設(shè)施行業(yè)。
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TI推出 ISO/IEC 14443 閉環(huán)非接觸式安全芯片與模塊

- 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款專門面向不斷發(fā)展的閉環(huán)非接觸式微型支付卡、會員卡、身份識別以及門禁應(yīng)用市場領(lǐng)域的新型安全多用途非接觸式芯片。被命名為 RF-HCT-WRC5-KP221 的 TI ISO/IEC 14443 Type B 芯片(同時提供模塊版本)將極高的處理速度、高級射頻 (RF) 性能以及業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)安全性與高度靈活的可配置存儲器完美結(jié)合在一起,能在同一張非接觸式卡片或安全標(biāo)記 (token) 上支持多達(dá)五種應(yīng)用。 相當(dāng)多的閉環(huán)應(yīng)用都需要基于 ISO/IEC 14443 標(biāo)準(zhǔn)
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Camera Link協(xié)議和FPGA的數(shù)字圖像信號源設(shè)計

- 1 引言 目前,各種圖像設(shè)備已廣泛應(yīng)用到航空航天、軍事、醫(yī)療等領(lǐng)域。圖像信號源作為地面圖像采集裝置測試系統(tǒng)中的一部分,其傳輸方式及信號精度都是影響系統(tǒng)性能的重要因素。由于圖像信號的傳輸速率高,數(shù)據(jù)量大,在傳輸過程中,其精度和傳輸距離易受影響。為了提高信號傳輸距離和精度設(shè)計了由FPGA內(nèi)部發(fā)出圖像數(shù)據(jù),并通過FPGA進(jìn)行整體時序控制;輸出接口信號轉(zhuǎn)換成符合Camera Link標(biāo)準(zhǔn)的低電壓差分信號(LVDS)進(jìn)行傳輸。該圖像信號源已成功應(yīng)用于某彈載記錄器的地面測試臺系統(tǒng)中。 2 Camera
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芯科發(fā)布全硅振蕩器 欲全面取代石英振蕩器
- 模擬與混合信號IC廠商Silicon Laboratories (芯科實驗室有限公司)發(fā)表具有業(yè)界最高穩(wěn)定性的全CMOS振蕩器,以此進(jìn)入消費性定時市場,新產(chǎn)品不僅交貨時間較短、成本較低、可靠度較高且性能更佳,成為一種取代石英振蕩器(XO)的理想方案。在所有針對大量消費性應(yīng)用的振蕩器中,新推出的Si500系列擁有最寬的頻率范圍、最廣泛的差分和單端時鐘選擇、極低的總功耗,并提供最低的抖動。此種結(jié)合為數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)、打印機(jī)、個人計算機(jī)外設(shè)、液晶顯示、服務(wù)器和存儲裝置等應(yīng)用的設(shè)計者提供前所未有的彈性。
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特瑞仕推出雙通道輸出大電流高速LDO電壓調(diào)整
- 特瑞仕半導(dǎo)體株式會社開發(fā)了XCM406系列雙通道輸出大電流高速LDO電壓調(diào)整器。 XCM406系列實現(xiàn)了高精度、低噪音、低壓差,采用CMOS工藝的大電流雙通道輸出LDO電壓調(diào)整器芯片。 工作電壓范圍為1.5V~6.0V。由于內(nèi)置低導(dǎo)通電阻晶體管,可以把輸入輸出的電位差抑制在最小范圍。本芯片可由低電壓驅(qū)動,例如可用于輸入電壓為1.5V、輸出電壓為1.2V的POL電源??捎筛鱾€端子提供700mA的輸出電流。 采用特瑞仕獨自的USP-12B01封裝,最適于節(jié)省電路設(shè)計的
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CMOS DAC充當(dāng)數(shù)控分壓器

- 數(shù)字電位器在可接受8位分辨率的應(yīng)用中,可作為極佳的數(shù)控分壓器,例如AnalogDevices的AD5160。本篇設(shè)計實例介紹在需要更高分辨率的應(yīng)用中如何使用CMOS DAC作為分壓器。 數(shù)百萬種CMOSR2R(電阻/雙電阻)梯式數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)用于衰減器應(yīng)用中,在這些應(yīng)用中一個充當(dāng)電流電壓轉(zhuǎn)換器的外部運算放大器強制一個電流輸出端連接到虛地。只要運算放大器能夠生成預(yù)期輸出電壓,DAC的標(biāo)準(zhǔn)輸入是交流或直流均可。倒相是輸入和輸出之間的常態(tài),因此電路需要雙電源。 圖1顯示如何對這一簡單電
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RF: 究竟能否成為插入式IP?

- 當(dāng)移動設(shè)備SoC集成射頻電路時,它們將需要可重用 RF IP。但是它們能夠做到嗎? 對于下一代智能手機(jī)、移動視頻播放器以及 Web 漫游附件的整合,其含意不僅是要將多用途基帶與應(yīng)用處理器、加速器和內(nèi)存一起放到同一片 SoC (系統(tǒng)單芯片)上,而且還要將許多小信號RF電路整合到SoC上。其中就存在一項重大難題。 在今天的 SoC 中,要想滿足時間表并維持合理的設(shè)計復(fù)雜性,硅 IP (知識產(chǎn)權(quán))的重用是絕對必要的。但是,盡管 IP 的重用在數(shù)字行業(yè)人所共知,甚至已經(jīng)成為一些甚高頻模塊的常見現(xiàn)象
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幾乎沒有紋波的快速穩(wěn)定同步PWM-DAC濾波器

- 一種實現(xiàn)高分辨率數(shù)模轉(zhuǎn)換的廉價方法是把微控制器PWM輸出與精確模擬電壓參考、CMOS開關(guān)、模擬濾波結(jié)合起來(參考文獻(xiàn)1)。然而,PWM-DAC設(shè)計帶來了一個很大的問題:如何充分抑制開關(guān)的輸出中不可避免的較大AC紋波分量?當(dāng)人們?yōu)镈AC控制使用典型的16比特微控制器PWM外設(shè)時,紋波問題變得特別嚴(yán)重。這類高分辨率PWM功能通常具有很長的周期,這是因為16比特計時器和比較器較大的216倒計數(shù)模。這個情況導(dǎo)致AC頻率分量僅為100Hz或200Hz,速率低。對于這類低紋波頻率,如果人們采用普通的模擬低通濾波把
- 關(guān)鍵字: 濾波器 PWM 微控制器 CMOS
高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)

- 0 引 言 RF MEMS開關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面,具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開關(guān)無法比擬的優(yōu)勢,從而獲得了廣泛的關(guān)注,并顯示出在微波應(yīng)用領(lǐng)域的巨大潛力。自1979年K.E.Petersen第一次報道RF MEMS開關(guān)的應(yīng)用以來,業(yè)界已研制出很多不同結(jié)構(gòu)的RF MEMS開關(guān)。無論是在隔離度還是在插入損耗上,RFMEMS電容式并聯(lián)開關(guān)在Ka到W波段都表現(xiàn)出了良好的性能。但是,RF MEMS電容式開關(guān)在低頻段的較低隔離度限制了其在X波段的應(yīng)用。為克服以上不足,J.B.
- 關(guān)鍵字: MEMS RF 電容 開關(guān)
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