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群聯(lián)發(fā)布最高容量的QLC閃存硬盤：15.36TB、掀翻HDD

  • HDD硬盤的出貨量不斷下滑，現(xiàn)在大容量方面也要遇到SSD的挑戰(zhàn)了——群聯(lián)今天宣布推出S12DC主控方案，搭配QLC閃存可以做到15.36TB容量，是QLC中最高記錄。群聯(lián)的S12DC方案不追求極致性能，基于此的SRE250硬盤使用的是SATA 6Gbpos接口，2.5寸、7mm厚度常規(guī)標準，容量可以做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面，連續(xù)讀取為530MB/s，連續(xù)寫入為220MB/s，4K隨機讀取90K IOPS，4K隨機寫入10K IOPS，功耗4.5W。這個QLC硬盤的性
  • 關鍵字： QLC  閃存硬盤  

長江存儲128層QLC閃存首次公開亮相

  • Q3季度閃存價格又要跌10%，今年6大原廠將會把重點轉向128層堆棧的3D閃存生產上來。國產的長江存儲也趕上來了，4月份推出了128層QLC閃存，在中國電子信息博覽會首次亮相。長江存儲這次展示了64層、128層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國內首個自研量產的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構，單位面積的存儲密度是同類產品中最大的。目前長江存儲的量產主力就是64層TLC閃存，已經隨光威、國科微、金泰克、七彩虹等廠商的SSD硬盤上市。長江存儲展示的另一個重點是128層QLC閃存，這是今年4月13日才
  • 關鍵字： 長江存儲  128  QLC  閃存  

第八屆中國電子信息博覽前瞻！這些亮點不容錯過！

  • 寂半年之后，無論是業(yè)內人士還是廣大消費者，都渴望換換環(huán)境、出去走走，在深圳會展中心看一場科技盛宴再適合不過。8K智慧屏、5G芯片、機器人、新能源汽車，還有會跳舞的機器人，這些來自世界各地的炫酷黑科技和創(chuàng)新成果都將出現(xiàn)在CITE2020。相比以往，CITE2020不僅更側重世界科技創(chuàng)新合作，也更聚焦于時代風口下的“科技”之爭，注重科技與生活的結合。對于即將到來的CITE2020，面對那些不勝枚舉的震撼現(xiàn)場，你準備好了嗎？搭建電子信息全產業(yè)鏈展示、交流平臺！作為中國電子信息產業(yè)的窗口和引領產業(yè)發(fā)展風向標,第八
  • 關鍵字： CITE2020  CMO  QLC  

Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企業(yè)級NVMe?固態(tài)硬盤控制器

  • 隨著數(shù)據(jù)中心支持的人工智能（AI）和機器學習（ML）工作負載越來越多，市場需要具備更寬存儲帶寬和更高單機架存儲密度的云級別基礎設施。因此，市場的趨勢是按照如M.2和全球網絡存儲工業(yè)協(xié)會（SINA）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標準，采用體積更小、且支持第四代PCIeò的非易失性存儲器高速（NVMe?）固態(tài)硬盤。這些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點，能驅動NAND閃存發(fā)揮最大潛力，同時保持這種企業(yè)級NVMe固態(tài)硬盤所需的豐富功能集和可靠性。Microchip
  • 關鍵字： QLC  TLC  AI  ML  SINA  IOPS  

研究機構預計全球NAND閃存銷售額今年增至560億美元 同比大增27%

  • 據(jù)國外媒體報道，研究機構預計，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長，同比增長率將達到27.2%，銷售額將達到560.07億美元。從研究機構的預計來看，在集成電路的33個產品類別中，NAND閃存今年銷售額的同比增長率，將是最高的，是增長最明顯的一類。就預期的銷售金額而言，NAND閃存依舊會是集成電路中的第二大細分市場，僅次于DRAM，后者的銷售額預計為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機構的預計中，在全球集成電路市場，NAND閃存今年的銷售額將占到15.2%，僅次于
  • 關鍵字： NAND  閃存  

KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

  • 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架，針對研發(fā)生產存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

游戲新機上市填補云端需求空缺 三季度NAND Flash價格波動有限

  • 根據(jù)TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)調查，盡管消費性產品及智能型手機受到疫情沖擊導致需求下降，但云端服務、遠距教學的需求也同步催生，加上部份客戶因擔憂供應鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機、消費性較相關的eMMC、UFS及wafer市場較為冷卻。根據(jù)TrendForce分析師葉茂盛指出，當前為NAND Flash第三季議價的關鍵時刻，初步觀察因新款游戲機的年底上市計劃不變，首次轉進SSD的
  • 關鍵字： NAND Flash  

國產128層QLC閃存問世 武漢基地二期開工

  • 4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動，整個項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設3D NAND
  • 關鍵字： 國產  128層  QLC  閃存  

三星電子擬投資8萬億韓元在平澤建NAND閃存生產線

  • 據(jù)國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產線。三星電子生產線建設上月已經開始，預計2021年下半年開始生產三星最先進的V-NAND產品。三星電子表示，此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯(lián)網等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產線，新產線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術的5nm、及以下制程。新產線已開始建設，預計明年下半年開始量產5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產線，韓國將擁有7條
  • 關鍵字： 三星  NAND  閃存  

集邦咨詢：數(shù)據(jù)中心需求大增，NAND Flash營收成長8.3%

  • 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價上漲，帶動整體產業(yè)營收季成長8.3%，達136億美元。延續(xù)去年第四季開始的數(shù)據(jù)中心強勁采購力道，第一季Enterprise SSD仍是供不應求。此外，自年初起，各供應商當時的庫存水位多已恢復至正常，也帶動主要產品合約價呈現(xiàn)上漲。隨后在農歷春節(jié)期間爆發(fā)新冠肺炎疫情，根據(jù)集邦咨詢當時的調查，服務器供應鏈的恢復狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機，也因此對于數(shù)據(jù)中心需求
  • 關鍵字： NAND  三星  intel  

集邦咨詢：數(shù)據(jù)中心需求大增，第一季NAND Flash營收成長8.3%

  • 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價上漲，帶動整體產業(yè)營收季成長8.3%，達136億美元。
  • 關鍵字： 集邦咨詢  數(shù)據(jù)中心  NAND Flash  

美光推出性能型和經濟型客戶端 NVMe? SSD 新品， 搭載業(yè)界領先的容量和 QLC NAND 技術

  • 新聞要點●? ?全新的性能型和經濟型 SSD 的靈活選擇滿足了從輕薄筆記本到高性能工作站客戶端PC系統(tǒng)的存儲需求；●? ?M.2 外形規(guī)格的美光 2300 SSD 采用美光創(chuàng)新的 96 層 3D NAND 技術，具備行業(yè)領先的 2TB 容量[1]；●? ?美光 2210 SSD 兼具SSD 的性能和性價比；與機械硬盤相比，采用了美光 QLC 架構的 2210 SSD的功耗降低了 15 倍之多。內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Techn
  • 關鍵字： QLC  SSD  

英特爾最新發(fā)展藍圖：明年或全面轉向144層堆疊NAND

  • 處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步，開始有了新的進度。根據(jù)外媒報導，英特爾的快閃存儲器部門最近公布了發(fā)展藍圖，在目前其他各家NAND快閃存儲器供應商都已經開始向1xx層堆疊的發(fā)展當下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預計在2021年全面轉向144層堆疊的產品發(fā)展。
  • 關鍵字： 英特爾  144層  NAND  

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

  • 電子醫(yī)療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫(yī)護或宅經濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產后，也為市場添增了一股活力。
  • 關鍵字： 群聯(lián)  控制芯片  長江存儲3D NAND  

Intel SSD將全面轉向144層3D QLC閃存：PLC研發(fā)中

  • 在QLC閃存的商用上，Intel和曾經的親密戰(zhàn)友美光（英睿達）步子最靠前，660p、P1系列都在渠道開賣了很長一段時間。日前，Intel非易失性存儲解決方案負責人Rob Crooke透露，Intel的QLC SSD出貨量超1000萬。她同時公布，基于144層3D QLC閃存（內部命名為Arbordale Plus技術，家族第四代閃存）的SSD（代號Keystone Harbor）會在今年底出貨，Intel準備在2021年內將整個SSD產品線都遷移到144層閃存芯片上。不僅如此，Intel確認，容量密度更高
  • 關鍵字： Intel  SSD  QLC  
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