nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運(yùn)作

　　英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運(yùn)。　　2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術(shù)，由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導(dǎo)體景氣循環(huán)來到低點(diǎn)，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴(yán)重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費(fèi)35億美元打造，本應(yīng)于2
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三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程N(yùn)AND閃存

　　據(jù)外電報(bào)道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。　　20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導(dǎo)體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。　　三星電子相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，公司同時(shí)開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。　　三星電子的20納米制程N(yùn)AND閃存將先用于手機(jī)存儲卡SD卡。　　此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
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Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)

Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
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三星第一季營業(yè)利潤38億美元同比猛增7倍

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子今天發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示，受益于PC需求增加以及電視價(jià)格上漲，該公司第一季度營業(yè)利潤同比猛增7倍。　　利潤增長　　三星的初步財(cái)報(bào)顯示，該公司第一季度營業(yè)利潤約為4.3萬億韓元(約合38億美元)，上下浮動(dòng)區(qū)間為2000億韓元，去年同期調(diào)整后營業(yè)利潤僅為 5900億韓元。根據(jù)彭博社的調(diào)查，15名分析師此前對三星營業(yè)利潤的中位數(shù)預(yù)期為4.27萬億韓元。　　外界預(yù)計(jì)，受到存儲芯片以及平板顯示器價(jià)格上漲的刺激，三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績。受此影響，三星股價(jià)周一創(chuàng)下歷史新高。分析
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分析師認(rèn)為全球芯片市場仍有支撐點(diǎn)

　　按Benchmark Euqity研究公司報(bào)道, 緊接著2009年未的迅速地復(fù)蘇, 進(jìn)入2010年時(shí)全球半導(dǎo)體業(yè)在數(shù)量上仍有15-20%的增長。　　按Benchmark的分析師Gary Mobley的看法, 從2009年1月的谷底算起,全球芯片出貨量己經(jīng)增長大於75%。在相同的期間美國費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)也增長相近的量。　　當(dāng)大部分工業(yè)分析師都認(rèn)為今年半導(dǎo)體市場有20%的增長時(shí),Benchmark分析師相信今年非　　?？赡苡?2%-24%的增長。　　其中某些芯片的庫存包括存儲器，部分模擬電路
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嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用,當(dāng)前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設(shè)計(jì)中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機(jī)讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常應(yīng)用在程
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09年全球前十大NAND供應(yīng)商排行榜出爐

　　市場研究機(jī)構(gòu)Web-Feet Research公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜，三星電子(Samsung Electronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置，其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk;SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼，領(lǐng)先美光(Micron)、海力士(Hynix)與英特爾(Intel)。　　在其它市場研究機(jī)構(gòu)的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因?yàn)樵谀承┣闆r下該公司是與合作伙伴東芝視為一體。Web-Feet Research報(bào)告中列出了17家閃存制造商的出貨成績，東芝與
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2009年亞太半導(dǎo)體供應(yīng)商表現(xiàn)出色

　　來自調(diào)研公司 iSuppli的統(tǒng)計(jì)顯示，2009年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下滑狀態(tài)，但總部在亞太地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商卻實(shí)現(xiàn)了逆勢上漲。　　亞太區(qū)供應(yīng)商專注熱門產(chǎn)品　　iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，2009年總部位于亞太地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商合計(jì)營業(yè)收入實(shí)際增長2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導(dǎo)體營業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。　　“去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢黯淡，而亞太地區(qū)的供應(yīng)商卻設(shè)法實(shí)現(xiàn)了增長，因?yàn)樗麄儗Ｗ⒂?/li>
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東芝計(jì)劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

　　東芝公司今年計(jì)劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗(yàn)生產(chǎn)線，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。　　目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù)，主要應(yīng)用于手機(jī)及數(shù)字相機(jī)等電子消費(fèi)產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù)，因此，東芝也將進(jìn)行相應(yīng)的技術(shù)升級。目前，東芝已向荷蘭半導(dǎo)體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購設(shè)備，預(yù)計(jì)在今年夏天試驗(yàn)投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達(dá)3.5%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過同類電氣機(jī)器指數(shù)0.8%的漲幅
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Micron發(fā)布季度報(bào)告 DRAM銷售環(huán)比增長24%

　　Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財(cái)年第二季度的運(yùn)營成果。對于2010財(cái)年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達(dá)近20億美元。相比之下，2010財(cái)年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財(cái)年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財(cái)年之前各個(gè)時(shí)期的金額及
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海力士預(yù)期今年?duì)I收將達(dá)10年高點(diǎn)

　　由于目前存儲器供應(yīng)短缺、供不應(yīng)求，全球第2大存儲器廠商海力士(Hynix)預(yù)期2010年的營收可望達(dá)到10年來的最高點(diǎn)。　　目前DRAM市場正處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟(jì)逐漸回溫后，企業(yè)放寬支出，對個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)的需求也回升，光是2010年P(guān)C銷量就可能較2009年增加10%，帶動(dòng)了DRAM的需求量上升。　　另外，智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及其它行動(dòng)設(shè)備的市場規(guī)模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對于存儲器芯片需求量節(jié)
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閃存密集型產(chǎn)品需求上升 NAND價(jià)格穩(wěn)定帶來正面環(huán)境

　　據(jù)iSuppli公司，由于來自高密度應(yīng)用的需求上升以及供應(yīng)商的產(chǎn)量穩(wěn)步增長，NAND閃存價(jià)格波動(dòng)了兩年之后，該市場已恢復(fù)穩(wěn)定。　　第一季度NAND平均價(jià)格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。　　NAND價(jià)格持續(xù)透明，導(dǎo)致2009年第四季度營業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應(yīng)商對于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機(jī)和microSD卡等高密度應(yīng)用的推動(dòng)下，市場對于NAND閃存的需求不斷增長，也增強(qiáng)了廠商的信心。這種旺盛需
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三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓元

　　三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。　　YonhapNews于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r(shí)間
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三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓圜

　　三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。　　Yonhap News于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在
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三星公司Fab13/Fab14內(nèi)存/閃存芯片工廠再遭斷電事故侵?jǐn)_

　　韓國三星電子公司近日表示本月24日下午，其設(shè)在Kiheung地區(qū)的一個(gè)NAND閃存生產(chǎn)基地遭遇了斷電事故，不過據(jù)三星公司的發(fā)言人表示這次為期一小時(shí)的斷電并沒有對其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產(chǎn)造成顯著影響。　　據(jù)三星的通路合作伙伴透露，在這次停電事故中受到影響的工廠主要包括三星旗下兩間12英寸廠Fab13和Fab14.其中Fab13主要負(fù)責(zé)為三星生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而Fab14則主要生產(chǎn)NAND閃存芯片。Fab13和Fab14的月產(chǎn)能大約分別是12萬/13萬片晶圓。　　無獨(dú)有偶，20
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]