- 美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲產品事業(yè)部副總裁兼總經理?！ ≡诖寺毼簧希珼icker 將負責領導和拓展美光的固態(tài)存儲業(yè)務，包括打造世界領先的存儲解決方案，從而把握云端、企業(yè)級和客戶端計算等大型細分市場中日漸增多的機遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana 匯報?！ icker 在半導體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經驗，包括在 Intel、
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美光 NAND
- 內存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產學研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進內存研發(fā)實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關注的3D NAND議題上扮演重要角色。
旺宏強調，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結構(SGVC)，相較其他大廠現有技術，以相同的堆棧層數，卻可達到二到三倍的內存密度。
目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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旺宏 NAND
- 被譽為世界三大車展之一的東京車展于近日開幕，來自全世界的主要汽車生產廠商通過展示最新的產品和技術來描繪下一代汽車發(fā)展藍圖，其中 “人工智能”、“自動駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車產業(yè)界公認的未來的發(fā)展方向。 例如，豐田展出的“愛i”系列，能憑借大量數據分析解駕駛員的日常習慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內外搭載有8個高清晰攝像頭，能捕捉到周圍的行人、車輛
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NAND LPDDR4
- 中國存儲器后進廠商 2018 年開始產能逐步開出，目前狀況到底如何?
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DRAM NAND
- 三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調機構IC Insights認為，3D NANDFlash恐將供過于求。
IC Insights預估，今年全球半導體資本支出金額將達908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。
三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash)，將達140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進動態(tài)
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三星 NAND
- 11月9日消息，據國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內存芯片業(yè)務強勁業(yè)績的驅動，該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近，該公司同意將旗下內存芯片業(yè)務以180億美元對外出售。
處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。
這個業(yè)績好于分析師預期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據5位分析師預估，東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
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東芝 NAND
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產品線廣度，日前耕耘工業(yè)領域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產。
美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產，除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域，也積極推動工業(yè)領域應用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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美光 3D NAND
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產品線廣度，日前耕耘工業(yè)領域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產。
美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產，除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域，也積極推動工業(yè)領域應用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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美光 NAND
- 據IC Insights預測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。
此外，IC Insights同時調稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預測?？傮w而言，2017年半導體產業(yè)整體預計增長達20%，比年中預期調高5個百分點。
2017年，IC Insights預測DRAM的平均售價將大漲77%，預計今年將推動DRAM
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DRAM NAND
- DRAM/NAND都是啥？科普內存和硬盤的區(qū)別-現如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
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DRAM NAND 存儲器
- 援引DigiTimes報道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊，被迫關閉NAND生產線數周時間，這將導致近階段公司NAND閃存的供應比較緊張。
DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產線將停工3-6周時間才能恢復正常供應，預估將減少10萬個wafers產量。PCGamesN網站預估假設這段停產時間正常生產，能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。
近年來由于智能手機和服務器的需求不斷增大，NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產
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東芝 NAND
- DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現價格瘋漲現象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
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DRAM NAND
- 摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經得到了廣泛的應用，然而在生產過程中出現壞塊和在使用過程中會出現壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關鍵時序參數，如tREA(讀信號低電平到數據輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當的控制激勵，完成NAND FLASH的時序配合，從而達到器件性
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NAND magnum
- DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
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DRAM NAND RAM
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數據的存儲，如嵌入式產品中包括數碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等?！ ?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經過十幾年的發(fā)展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數工程師卻仍然不知道關于NAND應用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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Nand Flash 東芝
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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