nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC

NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個(gè)Cell中存儲(chǔ)1個(gè)bit的信息，以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫次數(shù)為10萬(wàn)次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對(duì)比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
關(guān)鍵字： MLC 閃存 NAND 英特爾

每況愈下東芝還能否從風(fēng)暴中脫身？

公司內(nèi)部派系斗爭(zhēng)問(wèn)題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災(zāi)影響日本經(jīng)濟(jì)及東芝業(yè)績(jī)，造成派系斗爭(zhēng)惡化，及為自保而偽造業(yè)績(jī)歪風(fēng)興起，等到2015年事件爆發(fā)，發(fā)現(xiàn)該廠從2008會(huì)計(jì)年度(2008/4~2009/3)便有業(yè)績(jī)灌水的問(wèn)題，事件逐一發(fā)不可收拾。
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NAND Flash下季度或史上最缺貨

　　NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成日前估計(jì)，接下來(lái)將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰(zhàn)，近日捧著5000多萬(wàn)美元現(xiàn)金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫(kù)存。　　群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時(shí)，建立的庫(kù)存水位一度超過(guò)三億美元，后來(lái)市場(chǎng)景氣于去年第3季開始往上，價(jià)格走升，也讓該公司因此大賺。　　潘健成提到，今年大概只有5月有機(jī)會(huì)多收貨，所以該公司在前兩個(gè)禮拜以現(xiàn)金買了大約5000多萬(wàn)美元的額外貨源，預(yù)計(jì)可供第3季使用。　　群聯(lián)在今年4月時(shí)，手
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基于FPGA的測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)交換技術(shù)

以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲(chǔ)芯片的優(yōu)點(diǎn)有效地結(jié)合起來(lái)，實(shí)現(xiàn)了FPGA對(duì)串行存儲(chǔ)芯片的高效讀寫操作，完成了對(duì)大量測(cè)量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)處理和與上位機(jī)的交換，并在某電力局項(xiàng)目工頻場(chǎng)強(qiáng)環(huán)境監(jiān)測(cè)儀中成功應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Flash 串行存儲(chǔ) FPGA

基于FPGA的水聲信號(hào)高速采集存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

介紹了一種基于FPGA的水聲信號(hào)數(shù)據(jù)采集與存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對(duì)各部分硬件和軟件的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲(chǔ)容量達(dá)2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲(chǔ)容量大等特點(diǎn),實(shí)驗(yàn)證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計(jì)要求。
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)采集 Flash FPGA

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析

FPGA的管腳主要包括：用戶I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時(shí)鐘及特殊應(yīng)用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設(shè)計(jì)FPGA電路之前，需要認(rèn)真的閱讀相應(yīng)FPGA的芯片手冊(cè)。
關(guān)鍵字： Cyclone Altera Flash FPGA CPLD SDRAM FPGA最小系統(tǒng)

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念

FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡(jiǎn)單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說(shuō)的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時(shí)鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
關(guān)鍵字： FPGA最小系統(tǒng) Altera NiosII Flash SDRAM

2017第一季度NAND Flash品牌廠商營(yíng)收排名

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響，即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價(jià)卻仍上揚(yáng)約20-25%。在智能終端設(shè)備如智能手機(jī)與平板電腦內(nèi)的行動(dòng)式存儲(chǔ)價(jià)格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進(jìn)而轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
關(guān)鍵字： NAND SK海力士

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內(nèi)核層可將其他層連接起來(lái)協(xié)同工作；翻譯層主要實(shí)現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個(gè)物理塊的關(guān)系，同時(shí)支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯(cuò)誤恢復(fù)等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅(qū)動(dòng)(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來(lái)源于可以插拔的socket存儲(chǔ)卡，主要提供與具體的硬件板相關(guān)的驅(qū)動(dòng)。
關(guān)鍵字：文件系統(tǒng) Flash SOCKET

Flash硬件接口和程序設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機(jī)與閃速存儲(chǔ)器接口和程序設(shè)計(jì)中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)。
關(guān)鍵字：編程接口 Flash 擦除

大容量NOR Flash與8位單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

Flash存儲(chǔ)器又稱閃速存儲(chǔ)器，是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲(chǔ)器中最早出現(xiàn)的一個(gè)品種，與其他種類的Flash存儲(chǔ)器相比具有以下優(yōu)勢(shì)：可靠性高、隨機(jī)讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲(chǔ)器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
關(guān)鍵字： NOR Flash 接口單片機(jī)

F1aSh存儲(chǔ)器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應(yīng)用

以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲(chǔ)器Am29F040摘要的原理和應(yīng)用；利用它的操作過(guò)程實(shí)現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲(chǔ)器內(nèi)的特性，結(jié)合TMS320C3x提出實(shí)現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動(dòng)引導(dǎo)的方法。
關(guān)鍵字： DSP Flash TI

Flash數(shù)據(jù)丟失，說(shuō)好的數(shù)據(jù)去哪了？

芯片貼板后跑不起來(lái)？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過(guò)程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無(wú)法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來(lái)看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
關(guān)鍵字：電源電壓 Flash MCU

Gartner：2016年全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)2.6%

　　全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問(wèn)公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導(dǎo)體收入總計(jì)3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購(gòu)潮的影響下，前二十五大半導(dǎo)體廠商總收入增加10.5%，表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)率?！　artner研究總監(jiān)James Hines表示：“2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫(kù)存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟，但下半年需求增強(qiáng)，定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)的因素包括多項(xiàng)電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚(yáng)及相對(duì)溫和的
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起我國(guó)亟需建設(shè)自主存儲(chǔ)

　　“物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過(guò)開放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預(yù)期應(yīng)用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周圍的世界，成為類似人類的神經(jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(shuō)(這個(gè)術(shù)語(yǔ)的發(fā)明者)。　　在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來(lái)的十年中，將推動(dòng)NAND銷售，從而使Micron的利潤(rùn)得以增加。本文將對(duì)體系架構(gòu)及其與內(nèi)存
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]