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nand flash 文章 最新資訊

東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存:最早2020年上市

  •   根據(jù)外媒的報道,東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中,該芯片將命名為BiCS-5?!   ?jù)介紹,芯片將實現(xiàn)TLC,而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產量有擔心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb,新的128層芯片的容量比96層芯片多33%,可以在2020到2021年實現(xiàn)商業(yè)化生產。  據(jù)報道,新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報道,該芯片還采用了CuA(陣列電路),這是一
  • 關鍵字: 東芝  西數(shù)  NAND  

存儲市場寡頭競爭,中國能否突出重圍

  • 事實上中國巨額的投入也間接促進了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達到200億美金,因此,我國廠商的數(shù)字分攤到每年,還難以和龍頭廠商相比。雖然在量產初期,如此巨大的資本開支也會給中國企業(yè)帶來不小的折舊壓力,下行周期中技術、管理略遜的中國企業(yè)可能必須經歷幾年內虧損,但若想實現(xiàn)存儲器的國產替代,這種投入十分必要。
  • 關鍵字: NAND  存儲器  

中國將增加在美半導體采購量?韓媒:不太容易

  •   據(jù)businesskorea報道,中國計劃在未來六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元),大約是目前水平的五倍?! ∪欢S多專家表示,美國急于遏制中國的半導體野心,不太可能接受中國的提議,因為它將增加對中國的半導體依賴。  韓國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度,主要有兩個原因?! ∈紫?,中國沒有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片,無論是內存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導體芯片。在這種情況下,很難預測對韓國企業(yè)的影響。
  • 關鍵字: NAND  DRAM  

IC Insights:大陸半導體制造困難大,五年后自制率不過半

  • ICInsights最新報告顯示,大陸的集成電路生產仍遠低于政府的目標。報告指出,2018年大陸半導體市場為......
  • 關鍵字: 半導體  晶圓  NAND  

2019年全球Flash支出達260億美元 連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

  • 盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產量擴增計劃,2019年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務上的資本支出將會大幅下滑,但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務上的支出?! CInsights最新資料顯示,2016年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務資本支出金額的219億美元。 
  • 關鍵字: DRAM  晶圓  Flash  

美光行使認購期權,收購在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份

  •   美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)今日宣布公司正在行使其認購期權,收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權益。2018 年 10 月 18 日,美光宣布了其行使期權的意向?!  笆召?IM Flash 將使美光加速研發(fā)進程,并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計劃,”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說?!蔼q他州的工廠將幫助我們提升生產制造柔性,配備高技術型人才隊伍,以推動 3D Xpo
  • 關鍵字: 美光,F(xiàn)lash  

韓媒:存儲器產業(yè)陷入低迷,中國企業(yè)或放緩前進步伐

  • 根據(jù)韓國媒體Business Korea報道,由于存儲器產業(yè)從2018年年底迎來低迷,存儲器產品價格下跌,各大存儲器廠商先后宣布降低產量以來,雖然三星仍然穩(wěn)坐半導體產業(yè)頭把交椅,但是其盈利能力已經受到質疑?! o獨有偶,SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此,那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢? 
  • 關鍵字: 存儲器,NAND  

集邦咨詢:供需失衡態(tài)勢難止,NAND Flash供應商2019年資本支出年減2%

  •   根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年NAND Flash市場經歷全年供過于求,且2019年筆記本電腦、智能手機、服務器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色,預計產能過剩難解。在此情況下,供應商將進一步降低資本支出以放緩擴產進程,避免位元成長過多導致過剩狀況加劇?! RAMeXchange調查指出,2018年因供過于求難以遏制,韓系供應商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調近10%,但供需失衡的情形仍無法逆轉。2019年美系廠商減少資本支出,使得NAND
  • 關鍵字: NAND  東芝  

存儲器行業(yè)的2018:冰與火之歌|盤點2018

  • 存儲器一直被看成是半導體行業(yè)的晴雨表,它的表現(xiàn)也影響著整個市場的枯榮變換。2018年的存儲器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行,伴隨著技術上的幾許亮色,邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至  2017年的存儲器市場可以用火熱來形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人。
  • 關鍵字: 存儲器  NAND  

中天弘宇:攻克核心設計缺陷 重建NOR閃存新生

  • 閃存是當今數(shù)據(jù)存儲的重要介質之一,主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發(fā)展,相比于NAND技術的快速演進,NOR技術似乎在幾年前工藝就遲滯不前,因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應用的關鍵。不過,因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究,NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經過了近十年的研發(fā)積累,完成了對原有NOR閃存架構的大膽創(chuàng)新,也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構,但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
  • 關鍵字: NOR  NAND  存儲器  

半導體設備廠商競爭格局生變?

  •   半導體設備供應商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化,但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調轉,排名第一的應用材料公司的寶座位置也岌岌可危?! ∽?990年以來,應用材料公司一直是半導體設備領域的市場領導者。在此之前的1989年,坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子,該公司2016年排名第四,今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化,也許更重要的是,領頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?! ?016年,應用材料公司的市場份額比Lam
  • 關鍵字: ASML  NAND  

突破瓶頸,英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構

  • 2018年12月11日,以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺,本次峰會匯集了全球近百位來自產業(yè)界、學術界的專家,就數(shù)據(jù)洪流時代下,企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值,變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產等話題展開深入探討。
  • 關鍵字: 數(shù)據(jù)  存儲  傲騰  QLC 3D NAND  

AI芯天下丨DRAM價格將持續(xù)下跌

  •   全球DRAM市場上,三星一家獨大,接著是SK Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購之后,Nanya南亞科技也就變成全球第四大內存芯片廠商了,雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?! ?  DRAM連漲之后持續(xù)下跌  在DRAM內存漲價超過9個季度之后,內存芯片價格終于在10月份大跌了一次,DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價格跌了10%,預計2019年還會繼續(xù)跌20%。  受此影響,全球第四大內存芯片廠商南亞科
  • 關鍵字: DRAM  NAND  

真正的汽車0級EEPROM支持下一代汽車特性

  • 對于可擦除的、非易失性的存儲,業(yè)界已經在兩項技術上進行了標準化:Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面,EEPROM被視為過時的方案,但它在一些具有特定需求的應用中提供顯著的優(yōu)勢,例如當數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時,EEPROM將是首選,因此十分適用于汽車電子等領域。
  • 關鍵字: EEPROM  Flash  汽車  1級  201812  

存儲領域競爭加劇,3D NAND蝕刻逐步明朗化

  •   3D NAND的出現(xiàn)也是因為2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分,為了提高其容量、降低成本,NAND的制造工藝也在不斷進步,厚度開始不斷降低,但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進的工藝帶來了更大的容量,但是其可靠性和性能卻在下降,因為工藝越先進,NAND的氧化層越薄,其可靠性也就越差,廠商就需要采取額外手段彌補這一問題,這必然會提高成本,以至于在達到某個最高點之后完全抵消掉制造工藝帶來的優(yōu)勢?!   ?D NAND將思路從提高制造工藝轉
  • 關鍵字: 存儲  NAND  
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nand flash介紹

 Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]

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