nand flash 文章最新資訊

KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架，針對研發(fā)生產存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
關鍵字： DRAM NAND

游戲新機上市填補云端需求空缺三季度NAND Flash價格波動有限

根據TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)調查，盡管消費性產品及智能型手機受到疫情沖擊導致需求下降，但云端服務、遠距教學的需求也同步催生，加上部份客戶因擔憂供應鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機、消費性較相關的eMMC、UFS及wafer市場較為冷卻。根據TrendForce分析師葉茂盛指出，當前為NAND Flash第三季議價的關鍵時刻，初步觀察因新款游戲機的年底上市計劃不變，首次轉進SSD的
關鍵字： NAND Flash

三星電子擬投資8萬億韓元在平澤建NAND閃存生產線

據國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產線。三星電子生產線建設上月已經開始，預計2021年下半年開始生產三星最先進的V-NAND產品。三星電子表示，此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯(lián)網等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產線，新產線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術的5nm、及以下制程。新產線已開始建設，預計明年下半年開始量產5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產線，韓國將擁有7條
關鍵字：三星 NAND 閃存

集邦咨詢：數(shù)據中心需求大增，NAND Flash營收成長8.3%

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價上漲，帶動整體產業(yè)營收季成長8.3%，達136億美元。延續(xù)去年第四季開始的數(shù)據中心強勁采購力道，第一季Enterprise SSD仍是供不應求。此外，自年初起，各供應商當時的庫存水位多已恢復至正常，也帶動主要產品合約價呈現(xiàn)上漲。隨后在農歷春節(jié)期間爆發(fā)新冠肺炎疫情，根據集邦咨詢當時的調查，服務器供應鏈的恢復狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機，也因此對于數(shù)據中心需求
關鍵字： NAND 三星 intel

集邦咨詢：數(shù)據中心需求大增，第一季NAND Flash營收成長8.3%

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價上漲，帶動整體產業(yè)營收季成長8.3%，達136億美元。
關鍵字：集邦咨詢數(shù)據中心 NAND Flash

武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產品全線量產

近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱“武漢新芯”），一家領先的非易失性存儲供應商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC全線量產，產品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
關鍵字：武漢新芯 SPI NOR Flash 50nm

英特爾最新發(fā)展藍圖：明年或全面轉向144層堆疊NAND

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步，開始有了新的進度。根據外媒報導，英特爾的快閃存儲器部門最近公布了發(fā)展藍圖，在目前其他各家NAND快閃存儲器供應商都已經開始向1xx層堆疊的發(fā)展當下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預計在2021年全面轉向144層堆疊的產品發(fā)展。
關鍵字：英特爾 144層 NAND

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

電子醫(yī)療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫(yī)護或宅經濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產后，也為市場添增了一股活力。
關鍵字：群聯(lián) 控制芯片長江存儲3D NAND

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

電子醫(yī)療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫(yī)護或宅經濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產后，也為市場添增了一股活力。
關鍵字：群聯(lián) 3D NAND 長江存儲

長江存儲：128層3D NAND技術會按計劃在今年推出

據證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。今年早些時候，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產工作?！L江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總
關鍵字：長江存儲 3D NAND

集邦咨詢：受新冠肺炎疫情擴大沖擊，NAND Flash均價可能提前于下半年反轉向下

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，雖然新冠肺炎疫情延燒，使得2020年第一季的終端產品出貨動能格外疲弱，但在NAND Flash領域，因為2020年全年供給位元產出年成長收斂至三成，加上各大供應商資本支出保守，第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。
關鍵字：集邦咨詢新冠肺炎 NAND Flash

華邦電進軍車用、工業(yè)領域

存儲器大廠華邦電近日宣布，開發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別，提供車用與工業(yè)應用領域穩(wěn)健可靠的儲存存儲器。
關鍵字：華邦電 NAND Flash 車用與工業(yè)應用領域

存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經結束？

據IDC預測，2025年全球數(shù)據將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據量，半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導體市場規(guī)模比2016年成長22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
關鍵字：存儲器、NAND、DRAM

武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產品系列

近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
關鍵字：武漢新芯 50nm SPI NOR Flash

引領存儲新架構構建數(shù)據金字塔英特爾通過傲騰和QLC NAND技術變革存儲未來

近日，以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據存儲領域知名的專家學者、企業(yè)領軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數(shù)據智能水平，推動全球存儲與數(shù)據產業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講，不僅從產品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術和QLC NAND?技術填補當前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過諸多用戶案例進一步展示英特爾如何通過內存與存儲的產品、技術創(chuàng)新引領存儲新架構，構建數(shù)據金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
關鍵字： QLC NAND 內存

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]