nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)：128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在今年推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。今年早些時(shí)候，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓了解到，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總
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集邦咨詢：受新冠肺炎疫情擴(kuò)大沖擊，NAND Flash均價(jià)可能提前于下半年反轉(zhuǎn)向下

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，雖然新冠肺炎疫情延燒，使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動(dòng)能格外疲弱，但在NAND Flash領(lǐng)域，因?yàn)?020年全年供給位元產(chǎn)出年成長(zhǎng)收斂至三成，加上各大供應(yīng)商資本支出保守，第一季NAND Flash均價(jià)在淡季仍上漲約5%。
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華邦電進(jìn)軍車用、工業(yè)領(lǐng)域

存儲(chǔ)器大廠華邦電近日宣布，開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當(dāng)前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問(wèn)題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲(chǔ)存容量級(jí)別，提供車用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域穩(wěn)健可靠的儲(chǔ)存存儲(chǔ)器。
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存儲(chǔ)器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束？

據(jù)IDC預(yù)測(cè)，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場(chǎng)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲(chǔ)器公司（三星、海力士、美光）的財(cái)報(bào)都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規(guī)模均成長(zhǎng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比2016年成長(zhǎng)22.2%，達(dá)4197.2億美元，存儲(chǔ)器的
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武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

近日，紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
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引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲(chǔ)未來(lái)

近日，以“數(shù)智·未來(lái)”為主題的2019中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)峰會(huì)在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會(huì)旨在幫助企業(yè)和社會(huì)提升數(shù)據(jù)智能水平，推動(dòng)全球存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì)并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲(chǔ)層級(jí)中的巨大鴻溝，還通過(guò)諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內(nèi)存與存儲(chǔ)的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部
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SK海力士128層4D NAND出樣

近日消息根據(jù)guru3D的報(bào)道，隨著NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，固態(tài)硬盤(pán)TB內(nèi)存時(shí)代即將到來(lái)，SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
關(guān)鍵字： SK 4D NAND 128層

海可枯石可爛，程序存儲(chǔ)的空間也會(huì)變

現(xiàn)如今，基本上所有的東西都打上了一個(gè)叫做“保質(zhì)期”的標(biāo)簽。在電子產(chǎn)品那里，有一個(gè)更為專業(yè)一點(diǎn)的術(shù)語(yǔ)，叫做“產(chǎn)品生命周期”。
關(guān)鍵字： RAM flash 程序

兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

近日，?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。“中國(guó)芯”獎(jiǎng)項(xiàng)是目前國(guó)內(nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎(jiǎng)項(xiàng)之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計(jì)187款芯片產(chǎn)品參與報(bào)名，基本涵蓋國(guó)內(nèi)最具實(shí)力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品，是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
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東芝存儲(chǔ)器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC，XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲(chǔ)帶來(lái)了低延遲和高性能的解決方案，樣品預(yù)計(jì)將于下月送樣檢測(cè)，或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
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中國(guó)首款！長(zhǎng)江存儲(chǔ)啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
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NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場(chǎng)暗潮洶涌　各家布局蓄勢(shì)待發(fā)

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開(kāi)始顯現(xiàn)，而國(guó)際大廠之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)更是暗潮洶涌。
關(guān)鍵字：三星電子東芝存儲(chǔ)器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND

日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢(shì)，長(zhǎng)期須關(guān)注原廠庫(kù)存水位

Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫(kù)存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請(qǐng)流程延長(zhǎng)，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
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SK海力士宣布：全球首款128層4D NAND下半年開(kāi)賣

SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計(jì)劃下半年開(kāi)始銷售。
關(guān)鍵字： SK海力士 4D NAND 128層

停電余威沖擊NAND Flash出貨　價(jià)格維持小跌

日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場(chǎng)傳出存儲(chǔ)器大廠東芝存儲(chǔ)器(TMC)當(dāng)?shù)貭I(yíng)運(yùn)的5座 NAND Flash工廠的營(yíng)運(yùn)中斷，盡管東芝存儲(chǔ)器尚未對(duì)外說(shuō)明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無(wú)法按照原定時(shí)程出貨。
關(guān)鍵字： ?威騰東芝存儲(chǔ)器 NAND Flash

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]