nand flash 文章最新資訊

KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)

近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨(dú)特的檢測(cè)能力，能夠檢測(cè)出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測(cè)平臺(tái)無(wú)法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲(chǔ)芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對(duì)研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問(wèn)題而開(kāi)發(fā)出了多項(xiàng)突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測(cè)功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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游戲新機(jī)上市填補(bǔ)云端需求空缺三季度NAND Flash價(jià)格波動(dòng)有限

根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查，盡管消費(fèi)性產(chǎn)品及智能型手機(jī)受到疫情沖擊導(dǎo)致需求下降，但云端服務(wù)、遠(yuǎn)距教學(xué)的需求也同步催生，加上部份客戶因擔(dān)憂供應(yīng)鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場(chǎng)在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機(jī)、消費(fèi)性較相關(guān)的eMMC、UFS及wafer市場(chǎng)較為冷卻。根據(jù)TrendForce分析師葉茂盛指出，當(dāng)前為NAND Flash第三季議價(jià)的關(guān)鍵時(shí)刻，初步觀察因新款游戲機(jī)的年底上市計(jì)劃不變，首次轉(zhuǎn)進(jìn)SSD的
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三星電子擬投資8萬(wàn)億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子日前表示，計(jì)劃投資8萬(wàn)億韓元（約合人民幣466億元）在韓國(guó)平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設(shè)上月已經(jīng)開(kāi)始，預(yù)計(jì)2021年下半年開(kāi)始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應(yīng)對(duì)隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來(lái)的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設(shè)生產(chǎn)線，新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開(kāi)始建設(shè)，預(yù)計(jì)明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線，韓國(guó)將擁有7條
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集邦咨詢：數(shù)據(jù)中心需求大增，NAND Flash營(yíng)收成長(zhǎng)8.3%

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價(jià)上漲，帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(zhǎng)8.3%，達(dá)136億美元。延續(xù)去年第四季開(kāi)始的數(shù)據(jù)中心強(qiáng)勁采購(gòu)力道，第一季Enterprise SSD仍是供不應(yīng)求。此外，自年初起，各供應(yīng)商當(dāng)時(shí)的庫(kù)存水位多已恢復(fù)至正常，也帶動(dòng)主要產(chǎn)品合約價(jià)呈現(xiàn)上漲。隨后在農(nóng)歷春節(jié)期間爆發(fā)新冠肺炎疫情，根據(jù)集邦咨詢當(dāng)時(shí)的調(diào)查，服務(wù)器供應(yīng)鏈的恢復(fù)狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機(jī)，也因此對(duì)于數(shù)據(jù)中心需求
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集邦咨詢：數(shù)據(jù)中心需求大增，第一季NAND Flash營(yíng)收成長(zhǎng)8.3%

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價(jià)上漲，帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(zhǎng)8.3%，達(dá)136億美元。
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武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線量產(chǎn)

近日，紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱“武漢新芯”），一家領(lǐng)先的非易失性存儲(chǔ)供應(yīng)商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
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英特爾最新發(fā)展藍(lán)圖：明年或全面轉(zhuǎn)向144層堆疊NAND

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲(chǔ)器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步，開(kāi)始有了新的進(jìn)度。根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，英特爾的快閃存儲(chǔ)器部門最近公布了發(fā)展藍(lán)圖，在目前其他各家NAND快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)商都已經(jīng)開(kāi)始向1xx層堆疊的發(fā)展當(dāng)下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預(yù)計(jì)在2021年全面轉(zhuǎn)向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

電子醫(yī)療設(shè)備、電競(jìng)游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長(zhǎng)動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長(zhǎng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(zhǎng)江存儲(chǔ) (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后，也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

電子醫(yī)療設(shè)備、電競(jìng)游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長(zhǎng)動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長(zhǎng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(zhǎng)江存儲(chǔ) (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后，也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)：128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在今年推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。今年早些時(shí)候，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓了解到，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總
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集邦咨詢：受新冠肺炎疫情擴(kuò)大沖擊，NAND Flash均價(jià)可能提前于下半年反轉(zhuǎn)向下

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，雖然新冠肺炎疫情延燒，使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動(dòng)能格外疲弱，但在NAND Flash領(lǐng)域，因?yàn)?020年全年供給位元產(chǎn)出年成長(zhǎng)收斂至三成，加上各大供應(yīng)商資本支出保守，第一季NAND Flash均價(jià)在淡季仍上漲約5%。
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華邦電進(jìn)軍車用、工業(yè)領(lǐng)域

存儲(chǔ)器大廠華邦電近日宣布，開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當(dāng)前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問(wèn)題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲(chǔ)存容量級(jí)別，提供車用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域穩(wěn)健可靠的儲(chǔ)存存儲(chǔ)器。
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存儲(chǔ)器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束？

據(jù)IDC預(yù)測(cè)，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場(chǎng)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲(chǔ)器公司（三星、海力士、美光）的財(cái)報(bào)都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規(guī)模均成長(zhǎng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比2016年成長(zhǎng)22.2%，達(dá)4197.2億美元，存儲(chǔ)器的
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武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

近日，紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
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引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲(chǔ)未來(lái)

近日，以“數(shù)智·未來(lái)”為主題的2019中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)峰會(huì)在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會(huì)旨在幫助企業(yè)和社會(huì)提升數(shù)據(jù)智能水平，推動(dòng)全球存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì)并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲(chǔ)層級(jí)中的巨大鴻溝，還通過(guò)諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內(nèi)存與存儲(chǔ)的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部
關(guān)鍵字： QLC NAND 內(nèi)存

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]