nand 閃存 文章 最新資訊
存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先公司協(xié)作創(chuàng)建 NAND 閃存標(biāo)準(zhǔn)接口
- 2008 年 4 月 24 日，北京訊 日前，LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布加盟開放式 NAND 閃存接口 (ONFi) 工作組。該工作組由業(yè)界領(lǐng)先公司組成，致力于簡化 NAND 閃存在消費類電子產(chǎn)品、計算平臺以及工業(yè)系統(tǒng)中的集成。 LSI 負(fù)責(zé)公司策劃與市場營銷的高級副總裁 Phil Brace 表示：“作為業(yè)界領(lǐng)先的供應(yīng)商，LSI不僅能為硬盤驅(qū)動器制造商提供集成電路，同時還可以面向全球領(lǐng)先服務(wù)器 OEM 廠商提供磁盤存儲系統(tǒng)與軟件，因此，完全能夠為 ONFi 計劃提供
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Spansion大力推行其革命性MirrorBit? ORNAND2? 架構(gòu)開發(fā)計劃
- 北京，2008年4月23日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（Nasdaq：SPSN）今天宣布在意大利米蘭設(shè)立其安全及先進(jìn)技術(shù)事業(yè)部（SATD）總部，以支持其革命性MirrorBit® ORNAND2™架構(gòu)及安全產(chǎn)品策略的開發(fā)計劃。該部門將負(fù)責(zé)Spansion各種不同閃存安全解決方案的開發(fā)工作，并將MirrorBit技術(shù)拓展到目前NAND所服務(wù)的應(yīng)用領(lǐng)域。 Spansion執(zhí)行副總裁Carla Golla擔(dān)任該部門負(fù)責(zé)人，并招募了眾
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Spansion推出針對手機的65nm MirrorBit? Eclipse?閃存解決方案樣片
- 北京,2007年4月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ：SPSN）今天宣布，開始向其戰(zhàn)略型OEM客戶提供針對手機的65nm MirrorBit® Eclipse™閃存解決方案樣片。通過將標(biāo)準(zhǔn)NOR閃存所具有的出色隨機存取性能與MirrorBit Eclipse架構(gòu)所擁有的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的編程能力相結(jié)合，Spansion基于MirrorBit Eclipse架構(gòu)的MCP產(chǎn)品將為使用中高端手機平臺的用戶帶來非同凡響的使用體驗。公司計劃
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恒憶?（NUMONYX）強勢進(jìn)軍存儲器市場
- 2008年4月1日，中國 – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲器，并利用新型相變移位存儲器（PCM）技術(shù)，為存儲器市場開發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實力和技術(shù)專長，在成立之初就成為存儲器市場的領(lǐng)先廠商，專注于存儲器開發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機、MP3播放器、數(shù)碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。 恒憶™將從非易失性存儲器
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用帶2KB閃存的80C51基微控制器設(shè)計離線鋰離子電池充電器(04-100)
- 工程師可以采用恰當(dāng)組合外設(shè)和閃存的合適8位微控制器來設(shè)計離線鋰離子電池充電器，這是一個相當(dāng)不錯的選擇。 集成2KB閃存和合適外設(shè)的80C51基微控制器所提供的解決方案并不昂貴。集成的閃存還能簡便有效地調(diào)試應(yīng)用碼，如果必要的話，還可現(xiàn)場升級軟件。 由于設(shè)計領(lǐng)域已經(jīng)廣泛接受并熟悉了80C51，軟件/硬件開發(fā)便可以加快進(jìn)行。這一方法的另一優(yōu)勢在于，眾多廠商提供了一系列強大而 經(jīng)濟的應(yīng)用開發(fā)工具?？紤]到成本、設(shè)計效率和安全的電池充電的重要性，基于微控制器的解決方案的諸多優(yōu)勢便不言而喻。?
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NAND市場增長放緩芯片廠欲推遲建廠計劃
- 日前，全球領(lǐng)先的閃存供應(yīng)商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項合作協(xié)議，表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(Fab5)，以應(yīng)對未來市場對NAND閃存的需求，該工廠預(yù)計將于2010年投產(chǎn)。 市場研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示：“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠能夠于2009年就可以投產(chǎn)，因為現(xiàn)在的供求關(guān)系依然比較樂觀?！? 但是閃存供應(yīng)商們延遲其工廠興建計劃也再一次證明了NAN
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閃存分類和關(guān)鍵參數(shù)必讀
- ????大約在1984年，在受聘于東芝公司期間，F(xiàn)ujio Masuoka博士發(fā)明了一種獨特的存儲器件，具有只讀存儲器(ROM)、隨機存取存儲器(RAM)和電可擦除只讀存儲器(EEPROM)器件的理想特征。與RAM 和EEPROM一樣，可以對這些新穎的器件或同類的ROM進(jìn)行寫、擦除和重寫數(shù)據(jù)的操作，器件能將可恢復(fù)的靜態(tài)數(shù)據(jù)保存幾乎無限長時間。此外，與RAM 和ROM相比，Masuoka博士的存儲器的容量容易提高。重要的是，與ROM和EEPROM相比，該芯片能長時期存
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ZigBee技術(shù) 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點 MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。 關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng) 1 NAND Flash和NOR Flash 閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點，被廣泛地應(yīng)用于手
- 關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng)
NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線測試
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低價格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲的新寵，因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛，本文簡要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS，并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進(jìn)行在線測試。在給出測試結(jié)果的同時，著重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結(jié)果進(jìn)行分析，并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。 關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS 引 言 隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和管理已經(jīng)成為一個重要
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS
商刊：英特爾NAND閃存面臨多重問題
- 北京時間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出，由于美國經(jīng)濟衰退導(dǎo)致電腦和消費電子產(chǎn)品銷售增長減速，對英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的利潤造成很大壓力。 英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司，共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內(nèi)存芯片，這種芯片被廣泛應(yīng)用于各種消費電子產(chǎn)品。兩年多來，英特爾巧妙地避過了那些芯片的價格波動。 全球最大電腦芯片廠商英特爾在3月3日晚間宣布，它預(yù)計其第一季度毛利率將在54%左右，低于之前作出的56%的預(yù)期目標(biāo)。主要原因在于：NAND閃存的價格低于預(yù)期水平。在第
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關(guān)鍵字： NAND NOR flash
NAND閃存價格下降將推動需求增長
- 2月25日消息,閃存價格的下降已經(jīng)傷害了一些半導(dǎo)體廠商的股票價格。但是，今天的痛苦可能會為明天的增長鋪平道路。 NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于便攜式媒體播放機、數(shù)碼相機、硬盤和其它設(shè)備中。由于供過于求，2007年NAND閃存芯片的價格比2006年下降了60%。 但是，由于消費者喜歡數(shù)字音樂、圖片和視頻以及相關(guān)的便攜式設(shè)備，NAND閃存芯片的需求也快速增長，2007年的需求量增長了大約170%。通過在一個更小的芯片中放入更多的閃存等生產(chǎn)方面的技術(shù)進(jìn)步，閃存廠商能夠把成本降低40%至50%。
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三星位居龍頭 閃存芯片廠商營收排行
- 受到4Q07 NAND Flash價格劇跌的影響，品牌NAND Flash廠商3Q07整體營收表現(xiàn)微幅下跌成為US.8bn，比3Q07營收QoQ小幅減少了2.7%，由于3Q07末次級房貸所引發(fā)的金融市場風(fēng)暴延燒到4Q07，造成傳統(tǒng)歐美年終采購?fù)拘枨蟛蝗珙A(yù)期，再加上主要NAND Flash供貨商新的5Xnm制程產(chǎn)品在4Q07的產(chǎn)出量也較3Q07運轉(zhuǎn)更順暢，使得4Q07 NAND Flash整體產(chǎn)出比特QoQ成長約45%，因此也造成NAND Flash市場由3Q07的供貨吃緊轉(zhuǎn)為4Q07的小幅供過于求，
- 關(guān)鍵字： 三星 閃存 芯片
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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