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nand 閃存 文章 最新資訊

東芝稱閃存芯片供不應(yīng)求 只能完成70%訂單

  • 東芝(Toshiba)半導(dǎo)體部門(mén)的CEO兼總裁ShozoSaito稱,東芝無(wú)法滿足對(duì)其N(xiāo)AND閃存芯片的需求,訂單已經(jīng)排到了12月份。  Saito表示,東芝只能滿足客戶訂單需求的70%。但是,東芝對(duì)NAND閃存芯片平均售價(jià)的前景并不樂(lè)觀。本周,Saito在接受采訪時(shí)說(shuō),目前有利的一面是需求相當(dāng)強(qiáng)勁,我們計(jì)劃大幅度提高產(chǎn)量,滿足迅速增長(zhǎng)的需求。  大多數(shù)的NAND閃存需求來(lái)自嵌入設(shè)備市場(chǎng),其中包括MP3播放機(jī)、優(yōu)盤(pán)等產(chǎn)品,閃存卡只占需求很少的一部分。Saito說(shuō),東芝將專(zhuān)注于嵌入式設(shè)備
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中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存市場(chǎng)計(jì)劃遇到阻力

  •   據(jù)一名外國(guó)分析師透露,中國(guó)晶圓代工廠中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.,以下簡(jiǎn)稱中芯國(guó)際)進(jìn)軍閃存市場(chǎng)的計(jì)劃明顯遇到了阻力。   早在2005年的時(shí)候,以色列的賽芬半導(dǎo)體有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)曾透露和中芯國(guó)際簽訂了一份晶圓代工協(xié)議。在賽芬的幫助下,中芯國(guó)際公司去年決定進(jìn)軍存儲(chǔ)卡市場(chǎng)。中芯國(guó)際擴(kuò)充了專(zhuān)利授權(quán)范圍,獲得了使用氮氧化合物閃存技術(shù)的權(quán)利,目的是開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)存儲(chǔ)卡。
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NAND閃存價(jià)格走好 東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤(rùn)大漲

  • Jefferies Japan高級(jí)分析員David Motozo Rubenstein日前透露,東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。 事實(shí)上,東芝公司的業(yè)務(wù)表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示,“東芝認(rèn)為供需形勢(shì)處于有利狀況,由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到100%,公司不得不回絕了25%的訂單?!?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價(jià)下降70%,東芝曾經(jīng)預(yù)計(jì)2007年更進(jìn)一步下滑50%,但是到目前為止,價(jià)格還高于預(yù)計(jì)之上?!?價(jià)格已經(jīng)觸底
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C8051F的超大容量Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展

  •   摘要:NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇,當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤(pán)、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類(lèi)型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證,揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。     關(guān)鍵詞:NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) C8051F 引 言   大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸,受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制,可以很大程度上擴(kuò)展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
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NAND閃存合同價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌

  • 九月,NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌,較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫(kù)存增加壓力。   根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上,而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對(duì)穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。   據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存消息人士指出,韓國(guó)三星電子8月震驚業(yè)內(nèi),使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑,反映在現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。   雖然許多內(nèi)存庫(kù)存商8月期間已經(jīng)減少其采購(gòu),最新的報(bào)價(jià)仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價(jià)格被起訴

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價(jià)格而遇到集體訴訟。    據(jù)悉,被起訴的24家廠商包括雷克沙(Lexa)、日立美國(guó)公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國(guó)公司、Hynix美國(guó)公司、Hynix半導(dǎo)體、美光(Micron)科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國(guó)公司;    Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國(guó)公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國(guó)公司、東芝美國(guó)電子部件公司、
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東芝與SanDisk合資閃存工廠 計(jì)劃月產(chǎn)8萬(wàn)晶圓

  • 東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場(chǎng)地內(nèi)。  東芝于2006年8月開(kāi)始興建上述工廠,預(yù)計(jì)在2007年12月開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn),并在2008年下半年把月產(chǎn)能提高到8萬(wàn)片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內(nèi),F(xiàn)ab 4項(xiàng)目的投資額預(yù)計(jì)達(dá)3,000億日元(約合26億美元)。  東芝和SanDisk表示,F(xiàn)ab 4的月產(chǎn)能有望提高到21萬(wàn)片。Fab 
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東芝與SanDisk合資閃存工廠 計(jì)劃月產(chǎn)8萬(wàn)晶圓

  • 東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場(chǎng)地內(nèi)。 東芝于2006年8月開(kāi)始興建上述工廠,預(yù)計(jì)在2007年12月開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn),并在2008年下半年把月產(chǎn)能提高到8萬(wàn)片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內(nèi),F(xiàn)ab 4項(xiàng)目的投資額預(yù)計(jì)達(dá)3,000億日元(約合26億美元)。 東芝和SanDisk表示,F(xiàn)ab 4的月產(chǎn)能有望提高到21萬(wàn)片。Fab 4在開(kāi)始階段將采用56納
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閃存將大規(guī)模入侵PMP市場(chǎng)

  • iSuppli分析指出,在2011年,配置閃存的PMP的出貨量將從2006年的590萬(wàn)臺(tái)增長(zhǎng)到1.502億臺(tái),增長(zhǎng)25.5倍。配置閃存的PMP2007年的出貨量將達(dá)到5480萬(wàn)臺(tái),幾乎是2006年的9倍。PMP是指能夠播放視頻并且配置合適的彩色顯示屏的MP3播放機(jī)。同時(shí),配置硬盤(pán)的PMP的出貨量將以更溫和的速度增長(zhǎng)。2011年配置硬盤(pán)的PMP的出貨量將從2007年的2930萬(wàn)臺(tái)增長(zhǎng)到3530萬(wàn)臺(tái)。NAND閃存成本已經(jīng)下降到MP3音樂(lè)播放機(jī)廠商能夠增加足夠的容量支持視頻內(nèi)容的程度。視頻比音頻需要更多的存儲(chǔ)容
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瑞薩科技發(fā)布帶有片上閃存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU

  • 瑞薩科技公司宣布,作為帶有片上閃存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU一部分的7個(gè)家族30款新產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商品化。R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K和R8C/2L家族適用的應(yīng)用包括電源控制和電機(jī)控制,采用32引腳封裝,而R8C/2H和R8C/2J采用20引腳封裝。樣品將于2007年8月28日開(kāi)始在日本交付。 R8C/Tiny系列MCU全部帶有片上閃存,并結(jié)合了高性能與易用性。增加的30款新產(chǎn)品將R8C/Tiny系列中的產(chǎn)品總數(shù)增加到268個(gè)。通過(guò)增加適用于如電源控制和電機(jī)控制
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基于FPGA的NAND FLASH控制器

  • 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤(pán)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)中,常常需要大容量、高密度的存儲(chǔ)器,而在各種存儲(chǔ)器中,NAND FLASH以價(jià)格低、密度高、效率高等優(yōu)勢(shì)成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜,對(duì)時(shí)序要求也十分嚴(yán)格,而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過(guò)程中還可能增加),這就給判斷壞塊、給壞塊做標(biāo)記和擦除等操作帶來(lái)很大的難度,于是就要求有一個(gè)控制器,使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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三星產(chǎn)能轉(zhuǎn)向NAND閃存 公司市場(chǎng)份額猛增

  • iSuppli公司日前表示,2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷(xiāo)售額達(dá)到14億美元,比第1季度的12億美元增長(zhǎng)18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉(zhuǎn)向NAND閃存,該公司的NAND市場(chǎng)份額猛增至45.9%,比1季度的44.1%高幾乎兩個(gè)百分點(diǎn)。     iSuppli內(nèi)存/存儲(chǔ)系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示,“三星第2季度表現(xiàn)強(qiáng)勁主要是按容量計(jì)算增長(zhǎng)11%,出貨量增加歸功于擴(kuò)大蘋(píng)果iPhone和iPod等消
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歐盟批準(zhǔn)英特爾與意法半導(dǎo)體合并閃存業(yè)務(wù)

  • 英特爾和意法半導(dǎo)體(STMicro)合并雙方閃存部門(mén)的計(jì)劃周一獲得了歐盟委員會(huì)的批準(zhǔn)。該合并計(jì)劃得到了私募基金公司FranciscoPartners的支持。  這筆交易將有助于合并后的公司實(shí)現(xiàn)規(guī)?;\(yùn)營(yíng),解決閃存產(chǎn)品激烈的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng),并可以使兩家公司擺脫這個(gè)給他們的利潤(rùn)率帶來(lái)重壓的業(yè)務(wù)。雙方今年5月首次宣布了這樁交易。  根據(jù)交易條款,意法半導(dǎo)體將向新成立的公司出售其閃存資產(chǎn),英特爾將出售其N(xiāo)OR閃存資產(chǎn)及資源。做為交換,英特爾將得到合資企業(yè)45.1%的股權(quán)及4.32億美元現(xiàn)金,意法半導(dǎo)
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PISMO顧問(wèn)委員會(huì)發(fā)布新2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)

  • 致力于簡(jiǎn)化系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)驗(yàn)證和測(cè)試的業(yè)界組織 PISMO顧問(wèn)委員會(huì)近日宣布,PISMO 2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)已通過(guò)審批。這一針對(duì)目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴(kuò)展版為芯片組和存儲(chǔ)供應(yīng)商增加了   MMC存儲(chǔ)接口支持,從而滿足手機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品中存儲(chǔ)豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問(wèn)委員會(huì)于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建,目前共有15家成員公司。  新增MMC支持后,PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計(jì)者可以方便地在不同廠商提供的開(kāi)發(fā)平臺(tái)上測(cè)試多種存
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英特爾閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過(guò)渡

  • 美國(guó)英特爾2007年8月21日宣布,NOR閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過(guò)渡。計(jì)劃2008年上半年面向客戶供應(yīng)樣品。該公司的閃存主要面向手機(jī)及數(shù)字家電等產(chǎn)品。該公司表示,生產(chǎn)工藝向65nm過(guò)渡將有利于提高性價(jià)比。  英特爾的閃存產(chǎn)品包括低成本產(chǎn)品“StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器”和“嵌入式閃存”以及串行產(chǎn)品“串行閃存”等。
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nand 閃存介紹

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