nand 閃存 文章 最新資訊
6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚

- 據(jù)TrendForce集邦咨詢調查,5月起美、韓系廠商大幅減產后,已見到部分供應商開始調高wafer報價,對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此,TrendForce集邦咨詢預估6月在模組廠啟動備貨下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈,結束自2022年5月以來的猛烈跌勢,預期今年第三季起將轉為上漲,漲幅約0~5%,第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產品庫存仍待促銷去化,現(xiàn)階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至,盡管今
- 關鍵字: NAND Flash Wafer TrendForce
傳鎧俠/西數(shù)合并進入最終階段 NAND Flash營收或超三星?

- 近日,據(jù)日本共同社消息,日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經營已經進入最終收尾調整階段。目前,作為全球知名的存儲器廠商,鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴,目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關人士消息稱,鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設立新公司、統(tǒng)一開展半導體生產及營銷的方案等,未來雙方將進行經營合并,擬由鎧俠掌握主導權,關于出資比率等將繼續(xù)探討。報道稱,由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業(yè)績低迷,鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經營效率并提高競爭力。資料顯示,鎧俠
- 關鍵字: 鎧俠 西數(shù) NAND Flash 三星
鎧俠宣布運營兩個新研發(fā)設施,加強閃存和SSD研發(fā)能力
- 6月1日,鎧俠宣布開始運營兩個新的研發(fā)設施——位于橫濱技術園區(qū)的旗艦大樓和Shin Koyasu技術前沿——以加強公司在閃存和固態(tài)硬盤(SSD)方面的研發(fā)能力。未來,神奈川縣的其他研發(fā)職能將轉移到這些新的研發(fā)中心,以提高研究效率。隨著新旗艦大樓的加入,橫濱科技園區(qū)的規(guī)模將幾乎翻一番,使鎧俠能夠擴大其評估閃存和SSD產品的能力,從而提高整體產品開發(fā)和產品質量。Shin Koyasu技術前沿將成為半導體領域尖端基礎研究的中心,包括新材料、工藝和器件,此處配備一間最先進的潔凈室。除了下一代存儲技術,鎧俠還從事其
- 關鍵字: 鎧俠 閃存 SSD
需求持續(xù)下修,第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第一季NAND Flash買方采購動能保守,供應商持續(xù)透過降價求售,但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%,平均銷售(ASP)單價季減15%,合計NAND Flash產業(yè)營收約86.3億美元,環(huán)比減少16.1%。SK集團(SK hynix & Solidigm)及西部數(shù)據(jù)(WDC)量價齊跌,沖擊營收表現(xiàn),環(huán)比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價競爭影響,第一季NAND Flash營收僅13.2億美元,環(huán)比減少24.8%
- 關鍵字: 集邦 NAND Flash
3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術
- 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向
- 關鍵字: 3D NAND
復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

- 4月27日,上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會,推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產品。FM25/FM29系列產品基于28nm先進NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關領域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產品基于95nm先進EEPROM工藝,具備低功耗、
- 關鍵字: 復旦微電 NAND Flash EEPROM 存儲器
英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產品

- 【2023 年 04 月 10日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產品。這種存儲器經過專門優(yōu)化,適合在電池供電的小型電子設備中使用。健身追蹤器、智能耳機、健康監(jiān)測儀、無人機和 GPS 導航等新型可穿戴應用及工業(yè)應用不斷涌現(xiàn),有助于實現(xiàn)精準跟蹤、記錄關鍵信息、增強安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進的功能和使用場景要求在體積更小的電子設備中配備更大容量的存儲器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示,藍牙耳
- 關鍵字: 英飛凌 SEMPER Nano NOR Flash 閃存
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