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nand 閃存 文章 最新資訊

三星電子波瀾再起 NAND芯片市場風云變幻

  • 　　8月28日，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎? 　　波瀾的背后 　　據(jù)2017年第二季度財報顯示，三星電子營收額高達554.1億美元，同比增長19%，并且，三星電子以銷售額14億美元的成績拿下45.9%的NAND Flash市占有率。 　　有業(yè)者分析稱，三星第二季度如此強勁的主要原因是蘋果等其他電子類產(chǎn)品生產(chǎn)需求旺盛，同時其
  • 關鍵字： 三星  NAND  

第二季NAND Flash品牌廠營收季成長8%，第三季價格續(xù)揚

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線合約價平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機與平板計算機內的eMMC/UFS以及SSD合約價仍持續(xù)小漲，2017年將是NAND Flash廠商營收表現(xiàn)成果豐碩的一年。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉進垂直堆棧
  • 關鍵字： NAND  東芝  

DIGITIMES：聲光暫掩的大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況

  • 　　開年以來大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進入沉潛期。首先是年初長江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來是中芯國際董事長周子學表達的大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時間，大陸才能發(fā)展出比較有市場競爭力的企業(yè)主體。再來是最近紫光集團表示，由于長江存儲的存儲器芯片工廠專案投資規(guī)模過大，目前尚處于建設初期，短期無法產(chǎn)生銷售收入，時機不成熟，停止收購長江存儲的股份。雖然似乎大陸整個半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動能，但
  • 關鍵字： 摩爾定律  NAND  

銀行債權人向東芝施壓：八月必須賣掉閃存業(yè)務

  • 　　日本東芝公司已經(jīng)資不抵債，但是轉讓閃存業(yè)務的交易，卻陷入了泥潭，讓債權人、日本政府等頗為著急。據(jù)外媒最新消息，東芝的主要債權人已經(jīng)向該公司施壓：必須在八月份完成閃存業(yè)務的轉讓。 　　據(jù)日經(jīng)新聞等媒體報道，東芝目前已經(jīng)是資不抵債的負資產(chǎn)企業(yè)，之前已經(jīng)從東京股票交易所主板摘牌，降級到了二板，如果明年財年結束時繼續(xù)資不抵債，東芝將徹底從股市上消失。 　　據(jù)報道，東芝多家債權人銀行(也是長期合作的銀行伙伴)已經(jīng)要求該公司在八月份完成轉讓閃存業(yè)務的交易，只有這樣才能夠確保在明年三月底財年結束之前，完成全部交
  • 關鍵字： 東芝  閃存  

三大內存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀錄，手機品牌包產(chǎn)能

  • 　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時程。 　　集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告，強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴重。 　　業(yè)界表示，三大內存應用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關鍵組件，雖然單價遠比DRAM
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

閃存持續(xù)缺貨到明年底！SSD、手機、電腦齊悲催

  • SSD還會持續(xù)漲價嗎?答案真的不讓消費者省心。
  • 關鍵字： SSD  閃存  

各家爭鳴存儲器技術標準 儲存技術之爭再掀戰(zhàn)火

  • 　　在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應商持續(xù)推出更新式存儲器芯片以期能主導競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應商也都在談論簡化Flash儲存系統(tǒng)內建軟件的必要性，以減少應用在資料中心時出現(xiàn)的延遲問題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標準，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關技術資訊或發(fā)展趨勢。 　　根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報導，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electr
  • 關鍵字： 存儲器  NAND  

3D NAND究竟出了什么問題？

  • 3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
  • 關鍵字： 3D NAND  存儲器  

具有劃時代意義的芯片匯總，賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列

  • 　　對大多數(shù)人來說，微芯片是一些長著小小的金屬針，標著看似隨機的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來說，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對整個計算環(huán)境造成了長期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事。　　為了紀念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
  • 關鍵字： FPGA  NAND  

東芝公布2016財年財報：全年凈虧損88億美元 低于分析師預期

  • 　　據(jù)國外媒體報道，原本在6月底就應該公布的東芝2016財年財報，因東芝陷入困境而未能如期發(fā)布，在推遲了一個多月之后，東芝終于公布了2016財年的財報。 　　在得到審計機構的批準之后，東芝在周四公布了2016財年的財報，財報顯示，在截至今年3月31日的2016財年，東芝的營收為4.8萬億日元(約合436億美元)，較2015財年降低了5.5%。 　　由于美國核電業(yè)務減記，東芝2016財年虧損已是無法避免的事，而事實也的確如此。 　　在近日公布的財報中，東芝2016財年的凈虧損為9657億日元(約合88
  • 關鍵字： 東芝  閃存  

1Tb V-NAND內存即將面世

  • 　　三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。 　　三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內存的低延遲能力。 　　三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
  • 關鍵字： V-NAND  NVMe  

打破壟斷 國產(chǎn)閃存芯片之路有多遠？

  • 文章云里霧里的，但是一點沒錯：國產(chǎn)化閃存顆粒，已刻不容緩。
  • 關鍵字： 閃存  芯片  

三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達1Tb

  • 　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。 　　在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產(chǎn)品。 　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。 　　如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。 　　其
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  

東芝傳計劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND

  • 　　日刊工業(yè)新聞7日報導 ，為了提高3D架構的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產(chǎn)投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。 　　該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業(yè)子公司「東芝內存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

存儲器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

  • 　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別?！　RAM：靜態(tài)隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態(tài)隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
  • 關鍵字： DRAM  NAND   
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nand 閃存介紹

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