nand 閃存文章最新資訊

3D NAND延續(xù)摩爾定律電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過(guò)3DNAND Flash制程，無(wú)論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。　　3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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日美“卡脖子” 國(guó)產(chǎn)大存儲(chǔ)崛起能否取得成功？

　　小時(shí)候并不知道為什么唐僧要取經(jīng),取的什么經(jīng)?后來(lái)知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡(jiǎn)單說(shuō)就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個(gè)筋斗,快快取來(lái)就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒(méi)有好生之德嗎?還要設(shè)置各種妖怪來(lái)?yè)v亂,豈不是折騰人嗎? 　　上天當(dāng)然會(huì)有好生之德,這沒(méi)有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂(lè),所謂天機(jī)不可泄漏,九九八十一難其實(shí)就是真經(jīng)的一部分,對(duì)嗎? 　　其實(shí)現(xiàn)實(shí)生活也是如此。　　前不久,美國(guó)
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吹牛必備常識(shí)之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

華為P10“閃存門”其實(shí)就是一些消費(fèi)者在購(gòu)買P10手機(jī)后，經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，華為P10系列手機(jī)閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測(cè)試結(jié)果顯示，有部分手機(jī)的閃存速度約為200MB/秒，而根據(jù)網(wǎng)上公布的評(píng)測(cè)參數(shù)來(lái)看，以華為官方配置的P10實(shí)際速度應(yīng)該可以達(dá)到800MB/秒左右。而最終測(cè)試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問(wèn)題。
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關(guān)于嵌入式閃存，你所不了解的那些事兒

　　多年來(lái)，汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動(dòng)著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知，汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的年收入已經(jīng)超過(guò)300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，這一數(shù)字還將不斷上升。目前，每輛豪華車內(nèi)部半導(dǎo)體元件的總價(jià)值約為1000美元，而中檔車內(nèi)部半導(dǎo)體元件的總價(jià)值約為350美元，汽車MCU是其中的重要組成部分。大多數(shù)汽車MCU具有片上嵌入式閃存，其中包含復(fù)雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用領(lǐng)域的一系列產(chǎn)品中，并且是非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的
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閃存事件雖尷尬華為卻在美國(guó)再次擊退韓國(guó)企業(yè)專利訴訟圍剿

　　在對(duì)待用戶方面，華為還有很多需要提升的地方——要俯下身子;但是，在硬碰硬的訴訟較量方面，華為又有很多值得其他企業(yè)效仿之處——不輕言放棄。　　前段時(shí)間爆出的P10“內(nèi)存門”或“閃存門”讓很多華為的忠實(shí)粉絲大跌眼鏡。　　從法律上看，華為可能并不存在“以次充好”或“偷工減料”的做法，但是，其在澄清說(shuō)明相關(guān)做法時(shí)，又顯得脫離用戶。　　使得疑問(wèn)變質(zhì)疑最終可能
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2019量產(chǎn)64層NAND閃存紫光絕不讓員工竊取前公司機(jī)密

　　國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額)，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來(lái)臺(tái)灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開(kāi)始全速狂飆。　　近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作，因?yàn)榇蠹业淖畲?/li>
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紫光2019年要量產(chǎn)64層NAND閃存打破韓企壟斷

　　國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額)，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來(lái)臺(tái)灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開(kāi)始全速狂飆。　　近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。　　對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作，因?yàn)榇?/li>
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韓國(guó)3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場(chǎng)

　　市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange近日發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過(guò)50%。　　閃存是指在斷電情況下仍能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體，主要用于智能手機(jī)等移動(dòng)終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
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新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待

　　內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。不過(guò)，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢，且讀寫(xiě)次數(shù)相對(duì)有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì)，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。不過(guò)
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半導(dǎo)體：創(chuàng)造“陜西速度”和“西安效率”

　　面對(duì)全球信息化加速發(fā)展，以電子信息為代表的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)呈爆發(fā)式增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2016年陜西實(shí)現(xiàn)了新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)高速增長(zhǎng)，全年電子制造業(yè)總產(chǎn)值超過(guò)700億元，同比增長(zhǎng)50%以上，其中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到500多億元，位于“一帶一路”核心地位的陜西是如何超前謀劃，使新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)助力陜西在經(jīng)濟(jì)發(fā)展上實(shí)現(xiàn)“彎道超車”?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在其中又起了怎樣重要的推動(dòng)作用?新華社記者帶你一探背后的奧秘。　　西安高新區(qū)：聚焦新興產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)轉(zhuǎn)型升級(jí) 　　近年來(lái)
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東芝閃存業(yè)務(wù)備受追捧：到日本買技術(shù)？

伴隨全球化帶來(lái)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正向上游延伸。產(chǎn)業(yè)發(fā)展也進(jìn)一步增強(qiáng)了兼收并購(gòu)需求。
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手機(jī)閃存重要性解讀：不比SoC差

希望大家平時(shí)一定要注意這些消費(fèi)陷阱，買到真正優(yōu)秀的好手機(jī)。
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全球3D NAND大軍技術(shù)對(duì)決下半年產(chǎn)出可望大增

　　2017年將是3D NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競(jìng)爭(zhēng)力的64層3D NAND Flash加入競(jìng)局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場(chǎng)大缺貨，業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開(kāi)啟3D NAND Flash時(shí)代。　　三星在2
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機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降

　　Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開(kāi)始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。　　Gartner 表示，自 2016 年中期以來(lái)，隨著 NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。不過(guò)，這種上漲趨勢(shì)將在本季達(dá)到頂峰。其原因在于中國(guó)廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出后，市場(chǎng)價(jià)格就一反過(guò)去的漲勢(shì)，開(kāi)始出現(xiàn)下跌的情況。　　Gart
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賽普拉斯與上海華力微電子共同宣布基于SONOS技術(shù)的55納米低功耗閃存產(chǎn)品

　　全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司與中國(guó)最先進(jìn)的純晶圓代工廠之一，上海華力微電子有限公司(華力)今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)相結(jié)合，為閃存產(chǎn)品樹(shù)立了一個(gè)新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開(kāi)始使用這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對(duì)藍(lán)牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。賽普拉斯高耐用性、可擴(kuò)展的SONOS嵌入式閃存工藝針對(duì)低功耗需求進(jìn)行了優(yōu)化，使其成為微控制器(MCU)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用的
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