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mos管 文章 最新資訊

MOS管防反接電路設計

  • 電子元件大都是使用直流工作，電源線反接就有可能就會燒壞，那電路如何防反接？首當其沖我們想到的就是二極管了，運用其單向?qū)ㄌ匦钥捎行Х乐闺娫捶唇佣鴵p壞電路，但是隨之而來的問題是二極管存在PN節(jié)電壓，通常在0.7V左右，低電流是影響不明顯，但流過大電流時，如流過1A電流其會產(chǎn)生0.7W的功耗，0.7W的功耗發(fā)熱對元件本身及周邊元件的可靠性是個非常大的考驗。可見二極管防反接最大問題是管壓降，越低損耗就越小。在晶體管中導通壓降最低的就屬場效應管了，就是我們平常叫的MOS管，那如何運用MOS管這一優(yōu)良特性設計防反接
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行了？

  • 一、MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行了？MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿一般分為兩種類型：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。二、MOS管被擊穿的原因及解決方案？第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  ESD  

南芯科技推出內(nèi)置MOS管的高集成度升降壓充電芯片

  • 近日，南芯科技宣布推出全集成同步雙向升降壓充電芯片 SC8911，該芯片配備 I2C 接口，專為常見的 2 串電池 30W 充電寶應用進行了效率優(yōu)化，可有效降低外殼溫升，為用戶提供更安全、更高效的充電體驗。SC8911 可支持 OTG 反向升壓功能，兼容涓流充電、預充電、恒流充電、恒壓充電、自動終止等多種模式，助力客戶實現(xiàn)更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。集成MOS方案，兼具三大亮點在傳統(tǒng)升降壓控制器搭配外置 MOS 的方案中，由于布板限制，PCB 走線往往過長，導致功率管驅(qū)動速率受
  • 關鍵字： 南芯科技  MOS管  升降壓充電芯片  

MOS管防護電路解析

  • 功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應用場合，所以在應用功率MOS管對必須為其設計合理的保護電路來提高器件的可靠性。功率MOS管保護電路主要有以下幾個方面：1）防止柵極 di/dt過高：由于采用驅(qū)動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動功率管會引起驅(qū)動的功率管快速的開通和關斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過高的di/dt而引起誤導通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在MOS驅(qū)動器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個電阻(R509)，電阻的大
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

MOS管GS電阻有什么作用？

  • MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應MOS管驅(qū)動之理想與現(xiàn)實理想的MOS管驅(qū)動波形應是方波，當Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導通狀態(tài)。而實際上在MOS管的柵極驅(qū)動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  模擬電路  

MOS管又毀了？看看是不是這些原因

  • MOS管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓（半導體的雪崩擊穿）、過電流（鍵合線或者襯底熔化）、過熱（半導體材料由于高溫而分解）。更具體的故障包括柵極和管芯其余部分之前的極薄氧化物擊穿，這可能發(fā)生在相對于漏極或者源極的任何過量柵極電壓中，可能是在低至10V-15V 時發(fā)生，電路設計必須將其限制在安全水平；還有可能是功率過載，超過絕對最大額定值和散熱不足，都會導致MOS管發(fā)生故障。接下來就來看看所有可能導致失效的原因。01. 過電壓MOS管對過壓的耐受性非常小，即使超出額定電壓僅幾納秒，也可能導致
  • 關鍵字： MOS管  

主副電源，MOS管自動切換電路分析

  • 先看一下這個電路：USB外接電源與鋰電池自動切換電路設計如果主副輸入電壓相等，同時要求輸出也是同樣的電壓，不能有太大的壓降，怎么設計？這個電路巧妙的利用了MOS管導通的時候低Rds的特性，相比二極管的方式，在成本控制較低的情況下，極大的提高了效率。本電路實現(xiàn)了，當Vin1 = 3.3V時，不管Vin2有沒有電壓，都由Vin1通過Q3輸出電壓，當Vin1斷開的時候，由Vin通過Q2輸出電壓。因為選用MOS管的Rds非常小，產(chǎn)生的壓降差不多為數(shù)十mV，所以Vout基本等于Vin。原理分析1、如果Vin1 =
  • 關鍵字： 電源  MOS管  電路設計  

一個高溫引發(fā)的悲劇，你永遠想象不到用戶把你的產(chǎn)品用在哪里？

  • 曾經(jīng)的我呢還一個單純的小攻城獅，當自己設計完的電路板通過了功能測試、性能測試、環(huán)境實驗后，我就可以開開心心的玩耍了，但是永遠也想想不到用戶會把你的產(chǎn)品用在什么地方（客戶你們考慮過產(chǎn)品的感受嗎）。具體是這樣的一個很簡單的串口RS485電路，具體電路如下圖所示，用了這個電路后就不要單獨信號去管理485芯片的收發(fā)分時了（是不是很方便，我也這么想的）。問題就是出現(xiàn)這這個電路上，我們做環(huán)境實驗的時候是在55度做的一點點問題都木有，該收收該發(fā)發(fā)，但是一到了用戶那里工作一小會就掛了，啥也木的了，經(jīng)過本人的現(xiàn)場排查（踩點
  • 關鍵字： 開關電路  MOS管  

MOS管常見的幾種應用電路

  • 一、開關和放大器MOS管最常見的電路可能就是開關和放大器。1. 開關電路G極作為普通開關控制MOS管。2. 放大電路讓MOS管工作在放大區(qū)，具體仿真結果可在上節(jié)文章看到。二、時序電路中作為反相器使用下圖示例電路中，芯片1正常工作時，PG端口高電平。如果芯片1、芯片2有時序要求，在芯片1正常工作后，使能芯片2?？梢钥吹叫酒?的使能端初始連接VCC為高電平，當芯片1輸出高電平后，(關注公眾號：硬件筆記本）MOS管導通，芯片2的使能端被拉低為低電平，芯片2開始正常工作。這時MOS管起到的就是反相的作用。三、雙向
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

8種開關電源MOS管的工作損耗計算

  • MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分：1、導通損耗Pon導通損耗,指在 MOSFET 完全開啟后負載電流（即漏源電流） IDS(on)(t) 在導通電阻 RDS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。導通損耗計算：先通過計算得到 IDS(on)(t) 函數(shù)表達式并算出其有效值 IDS(on)rms ，再通過如下電阻損耗計算式計算：Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don說明：計算 IDS(on)rms 時使用的時期僅是導通時間 Ton ，而不是整個工作周期 Ts ；RDS(
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

MOS管開關電路設計，用三極管控制會燒壞？

  • 三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設計中都會遇到，那么應該如何設計一個MOS管的開關電路呢？MOS管開關電路我們一般會用一個三極管去控制，如下圖！MOS管開關電路但是這個電路的缺點也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進來，會把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個問題呢？有兩個方式，一種
  • 關鍵字： 三極管  MOS管  電路設計  

MOS管開關電路設計，用三極管控制會容易燒壞？

  • 三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設計中都會遇到，那么應該如何設計一個MOS管的開關電路呢？MOS管開關電路我們一般會用一個三極管去控制，如下圖！MOS管開關電路但是這個電路的缺點也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進來，會把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個問題呢？有兩個方式，一種
  • 關鍵字： MOS管  開關電路設計  三極管  

MOS管及其外圍電路設計

  • Warning: getimagesize(): SSL: connection timeout in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2070 Warning: getimagesize(): Failed to enable crypto in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/control
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

【干貨】使用 MOS管構建雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器

  • 今天可以大家分享的是：使用 MOS 管構建一個簡單的雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路邏輯電壓電平的變化范圍很大，從1.8V-5V。標準邏輯電壓為5V、3.3V、1.8V等。但是，使用 5V邏輯電平的系統(tǒng)/控制器（如Arduino）如何與使用3.3V邏輯電平的另一個系統(tǒng)（如ESP8266）通信呢？這個時候就需要用到邏輯電平轉(zhuǎn)換器，這里還將介紹 MOS管構建一個簡單的雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路。一、高電平和低電平輸入電壓從微處理器/微控制器方面來看，邏輯電平的值不是固定的，對此有一定的耐受性，例如，5V邏輯電平微控制器可以
  • 關鍵字： MOS管  邏輯電平轉(zhuǎn)換器  電路設計  

MOS管在BMS中的應用方案

  • BMS確保電池高效安全運行，MOS管檢測過充、過放、過流等。電池電壓高低與MOS管選型相關，選擇時需注意熱設計、RDS(ON)和雪崩能量。微碧專注MOS產(chǎn)品20余年，適用于高性能BMS場景。BMS（電池管理系統(tǒng)）負責監(jiān)控、控制和保護電池，以確保電池的高效運行和安全性。MOS管在其中起到了檢測過充電，過放電，充放電過流等作用。在充電狀態(tài)時，當電池充電后過壓時，充電控制端會由高電平轉(zhuǎn)為低電平，從而使MOS管Q1關斷，充電回路被切斷，進入過電壓保護。當電池通過負載放電，電池電壓低于設定值時，放電控制端由高電平轉(zhuǎn)
  • 關鍵字： MOS管  BMS  
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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。 　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]

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