mlc nand 文章進(jìn)入mlc nand技術(shù)社區(qū)

NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達(dá)53.63億美元。　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震，對
關(guān)鍵字：三星電子 NAND

三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

　　據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。　　
關(guān)鍵字：三星 NAND Flash

三星、海力士擴(kuò)大NAND Flash投資

　　由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。　　
關(guān)鍵字：三星 NAND 移動設(shè)備

美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

　　由于智能型手機(jī)等行動裝置應(yīng)用驅(qū)動NANDFlash需求成長，加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來不排除再擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。　　
關(guān)鍵字：美光 NAND

4月上旬閃存芯片價格創(chuàng)7個月新高

　　據(jù)韓國媒體報道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價格的總體情況。　
關(guān)鍵字：閃存 NAND

東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

　　東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過，這些產(chǎn)品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。　
關(guān)鍵字：東芝 NAND

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設(shè)計了一種在NFTL上實(shí)現(xiàn)壞塊管理并且實(shí)現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
關(guān)鍵字：結(jié)構(gòu) 分析系統(tǒng) 存儲 Flash 嵌入式 NAND

東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程N(yùn)AND閃存芯片

　　上周，Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明，正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術(shù)的寶座，他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設(shè)有一家合資芯片制造公司?！?/li>
關(guān)鍵字：東芝 NAND

NAND閃存芯片價格創(chuàng)7個月來新高

　　據(jù)國外媒體報道，據(jù)臺灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存芯片價格在4月份的上半個月創(chuàng)7個月的新高，反應(yīng)了在上個月日本發(fā)生嚴(yán)重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲芯片價格的情況。　　
關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片

IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash，日前領(lǐng)先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲器，這也使得智能型手機(jī)和平板計算機(jī)里的儲存裝置可以進(jìn)一步縮小。　　
關(guān)鍵字： Micron NAND

英特爾和美光IM 廠合約將盡

　　英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨(dú)自啟動新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機(jī)和投資，英特爾并未表態(tài)加入，引發(fā)外界對雙方合作關(guān)系，以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的質(zhì)疑，預(yù)計雙方將對外宣布最新的合作動態(tài)?！　?/li>
關(guān)鍵字：英特爾 NAND

Intel與鎂光將就NAND業(yè)務(wù)合作作重要宣布

　　Intel與鎂光公司本周四將對NAND業(yè)務(wù)合作事宜作重要宣布，不過兩家公司并沒有透露這次宣布的詳細(xì)內(nèi)容是什么。據(jù)Web-Feet Research市調(diào)公司的CEO Alan Niebel分析：“我認(rèn)為他們這次可能會宣布終止雙方的合資公司IMFT在新加坡設(shè)立的閃存芯片廠項(xiàng)目上的合作。這間工廠目前正計劃開始投產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，并隨后轉(zhuǎn)向20nm制程技術(shù)?！? 　　
關(guān)鍵字： Intel NAND

海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)

　　2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整，時隔10年，海力士已成為全球第2大計算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù)，該公司現(xiàn)任執(zhí)行長權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時，目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款，并同時確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)。　
關(guān)鍵字：海力士內(nèi)存芯片 NAND

支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計

摘要：先對ONFI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了介紹，然后再設(shè)計了一種支持ONFI2．1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態(tài)機(jī)的設(shè)計，接口的設(shè)計等。對設(shè)計中遇到的源同步模式下，信號的對齊問題進(jìn)行了說明，并提出了一種解決方
關(guān)鍵字： Flash 控制器設(shè)計 NAND 模式 ONFI 同步支持

iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營收

　　市場研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對今年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測，較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺，刺激存儲芯片價格上漲。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM NAND

共1146條 49/77 |‹ « 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 » ›|

mlc nand介紹

　　MLC NAND 　　目錄　　1定義　　2MLC芯片特點(diǎn) 　　3與SLC對比　　1定義　　MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較高。　　一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3，000次。這一點(diǎn)與SLC得100，000的擦除次數(shù)有不小的差異。　　2MLC芯片特點(diǎn) 　　1、傳輸速率 [ 查看詳細(xì) ]