mlc nand 文章最新資訊

NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動DRAM市場趨于健康

　　蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn)，大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體，這將帶動DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等，預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會比上半年好。　　創(chuàng)見預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn)，主要因上游大廠資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態(tài)勢成形，SSD需求強(qiáng)勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。　　威剛董事長陳立白日
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從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)

　　為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來?…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)嗎? 　　 ? 　　一、Nand flash的特性　　1、位翻轉(zhuǎn) 　　在 NAND 閃存是通過對存儲單元(Cell)進(jìn)行充電來完成數(shù)據(jù)存儲的，存儲單元的閾值電壓就對應(yīng)著數(shù)據(jù)值。當(dāng)讀取的時候，通過將它的閾值電壓與參考點(diǎn)對比來獲得其數(shù)據(jù)值。對SLC 而言，就只有兩種狀態(tài)和一個
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中國存儲器“3+1”版圖初現(xiàn)

存儲器是一個嚴(yán)格按照摩爾定律前進(jìn)、追求低成本的規(guī)模經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)，想做起來太難，在過去的年月里，能夠聽到的只有不斷退出的失敗悲歌，中國這次能否在存儲器市場占有一定規(guī)模呢？
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2016年第一季NAND品牌營收排行榜

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在平均銷售單價下滑幅度明顯高于位元出貨量成長的情況下，第一季NAND Flash品牌商營收較去年第四季下滑2.9%，已連續(xù)兩個季衰退。　　2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過于求影響，通路顆粒合約價下滑約10%;智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級固態(tài)硬碟(SSD)跌價幅度擴(kuò)大至13~18%。　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示
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下半年NAND Flash一定缺貨，且會非常缺

　　全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點(diǎn)，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應(yīng)。　　慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達(dá)克掛牌以來新高，市值達(dá)1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。　　茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
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武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND

　　紅色供應(yīng)鏈來勢洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。　　巴倫(Barronˋs)6日報導(dǎo)，美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場主導(dǎo)地位

　　全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴(kuò)大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場份額，甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。　　全球個人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機(jī)增長放緩，讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。　　高通曾表示，第三財(cái)季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%，這是其三年來的最差業(yè)績。　　將于周四公布第一季財(cái)報的三星，也難免遇挫。市場廣泛預(yù)計(jì)三星芯片獲利將會下降，一些分析師預(yù)測1-
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TrendForce：2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片

　　中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片，相較于2015年增長近7倍。　　TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%，其最終消費(fèi)端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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蘋果采用三星NAND閃存顆粒+AMOLED屏幕

　　蘋果已經(jīng)秘密與三星談下合作，在iPhone上采用三星的NAND閃存芯片。時隔5年，蘋果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone將會采用AMOLED屏幕。　　　　先前蘋果不用三星閃存，是因?yàn)槿窍Ｍ陂W存顆粒封裝上采用特殊圖層的方式來做電池干擾屏蔽，但是三星并不愿意做。如今臺灣供應(yīng)商發(fā)出了噴涂圖層工藝，三星有望使用這個技術(shù)，來讓閃存顆粒滿足蘋果的EMI屏蔽標(biāo)準(zhǔn)。又因?yàn)檫@一工藝較為廉價，所以三星比較重視。　　使用三星NAND閃存顆粒+AMOLED
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傳三星邀協(xié)力廠研發(fā)EMI遮蔽制程意在瞄準(zhǔn)蘋果NAND訂單

　　傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進(jìn)行EMI遮蔽制程研發(fā)，有意重啟對蘋果(Apple)供應(yīng)NAND Flash存儲器，過去4年來三星電子與蘋果的NAND Flash交易中斷。　　據(jù)韓媒ET News報導(dǎo)，日前業(yè)界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(jī)(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。
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三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone

　　韓廠積極打進(jìn)蘋果iPhone供應(yīng)鏈。韓國媒體報導(dǎo)，三星電子計(jì)畫提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應(yīng)鏈。　　韓國網(wǎng)站媒體ET News報導(dǎo)，蘋果從2012年iPhone 5推出開始，就沒有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計(jì)劃著手3D NAND研發(fā)

　　大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計(jì)劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。　　據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計(jì)劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機(jī)構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。　　韓聯(lián)社引述EE Times
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存儲“芯”發(fā)展剖析3D NAND閃存市場現(xiàn)狀

國內(nèi)大力扶持存儲，各種巨額的投資項(xiàng)目爭議不小，但是為了存儲自主的未來，也值。
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DRAM及NAND市場價格下跌美光營收下滑

　　不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價，跌跌不休的價格導(dǎo)致美光營收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預(yù)測同樣悲觀。　　美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報，當(dāng)季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。　　美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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4000億能砸出中國存儲器產(chǎn)業(yè)嗎？

在國家意志的推動下，中國存儲企業(yè)大多是不差錢的主，完全可以在沒有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產(chǎn)能，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國企業(yè)能重演京東方在面板產(chǎn)業(yè)的逆襲么？
關(guān)鍵字：存儲器 NAND

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mlc nand介紹

　　MLC NAND 　　目錄　　1定義　　2MLC芯片特點(diǎn) 　　3與SLC對比　　1定義　　MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較高。　　一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3，000次。這一點(diǎn)與SLC得100，000的擦除次數(shù)有不小的差異。　　2MLC芯片特點(diǎn) 　　1、傳輸速率 [ 查看詳細(xì) ]