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igbt-ipm 文章 最新資訊

不間斷電源中的IGBT應(yīng)用總結(jié)

  • 在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動，控制簡 ...
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提高太陽能逆變器效能的IGBT選擇方法淺談

  • 如今市場上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作...
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如何實(shí)現(xiàn)IGBT的軟開關(guān)的應(yīng)用開發(fā)

  • 一、IGBT溉述正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動機(jī)變頻調(diào)速...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  軟開關(guān)  應(yīng)用開發(fā)  

CONCEPT設(shè)計(jì)中心將提供定制IGBT驅(qū)動器解決方案

  • Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國Ense開設(shè)一家新的設(shè)計(jì)中心。該設(shè)計(jì)中心將基于其驅(qū)動核開發(fā)半定制門極驅(qū)動設(shè)計(jì)，并利用CONCEPT的SCALE-2?平臺為大型項(xiàng)目研發(fā)和量身定制驅(qū)動器。
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IPM自舉電路設(shè)計(jì)過程中的關(guān)鍵問題研究

  • 通常IPM模塊應(yīng)有四路獨(dú)立電源供電，下橋臂三個IGBT控制電路共用一個獨(dú)立電源，上橋臂三個IGBT控制電路用三...
  • 關(guān)鍵字： IPM  自舉電路設(shè)計(jì)  

IGBT選型需要注意諸多事項(xiàng)

  • 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是總線電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件，IGBT在該電壓范圍...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  選型  

提高太陽能逆變器效能的IGBT選擇方法

  • 提高太陽能逆變器效能的IGBT選擇方法,如今市場上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽能逆變器應(yīng)用來說，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他
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功率半導(dǎo)體下一個主戰(zhàn)場 電動汽車等新興領(lǐng)域

  • 　　據(jù)IMSResearch數(shù)據(jù)，全球功率半導(dǎo)體市場2012年增長率為5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會恢復(fù)兩位數(shù)字增長 　　作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導(dǎo)體運(yùn)行于弱電控制與強(qiáng)電之間，對降低電路損耗、提高電源使用效率，發(fā)揮著重要作用。隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已逐漸從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C領(lǐng)域，向新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場邁進(jìn)。關(guān)注功率器件行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢，促進(jìn)相關(guān)行業(yè)的發(fā)展至關(guān)重要。 　　增長點(diǎn)來自新領(lǐng)域 　　LE
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功率器件IGBT應(yīng)用中的常見問題解決方法

  • 1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關(guān)電源、變頻
  • 關(guān)鍵字： IGBT  功率器件  方法    

M57962L芯片在IGBT驅(qū)動中的運(yùn)用

  • IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件。本文介紹了驅(qū)動電路M57962L的工作原理及解決方案：IGBT是一種...
  • 關(guān)鍵字： M57962L  芯片  IGBT  

IGBT應(yīng)用中常見問題及解決方法

  • 1引言綜合了gtr和mosfet優(yōu)點(diǎn)的igbt，是一種新型的80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管，它控制方便、工作頻率...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  及解決方法  

用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動器通用芯片

  • 1　引言
    　　scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括：可擴(kuò)展的分離式開通與關(guān)斷門級電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
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基于運(yùn)放退飽和的電阻爐溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 為了實(shí)現(xiàn)電阻爐的快速升溫及溫度控制，采用運(yùn)放退飽和的方法，當(dāng)電阻爐溫度未達(dá)到設(shè)定值時，運(yùn)放飽和輸出，所控制的驅(qū)動電路輸出脈沖的占空比最大，IGBT近似全導(dǎo)通，電爐加熱功率最大，溫度快速上升；當(dāng)溫度達(dá)到設(shè)定值時，運(yùn)放開始退飽和，輸出電壓逐漸減小，從而減小驅(qū)動電路輸出脈沖的占空比，IGBT導(dǎo)通時間變短，電爐加熱功率減小，實(shí)現(xiàn)溫度控制。通過Multisim軟件仿真及硬件電路測試，驗(yàn)證了本設(shè)計(jì)的可行性。該溫度控制系統(tǒng)具有升溫速度快、易于操作、滯后性較低的優(yōu)點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 電阻爐  溫度控制  運(yùn)放  退飽和  IGBT  

隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

  • 11、請問：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時軟關(guān)斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設(shè)置在7V，這是對通過一個比較 ...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

  • 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  Power  MOSFET  功率器件  
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