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安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級性能的IGBT，擴(kuò)充產(chǎn)品陣容
- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容，應(yīng)用于消費(fèi)類電器及工業(yè)應(yīng)用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導(dǎo)體新的第二代場截止型(FSII) IGBT器件改善開關(guān)特性，降低損耗達(dá)30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計(jì)人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。 安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul
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英飛凌推出EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost
- 英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代應(yīng)用于新能源汽車的高壓IGBT門級驅(qū)動(dòng)器。有了專為混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車 (HEV) 的主逆變器而設(shè)計(jì)的全新EiceDRIVER? SIL和EiceDRIVER? Boost驅(qū)動(dòng)器，汽車系統(tǒng)供應(yīng)商便能夠更輕松地設(shè)計(jì)出更具成本效益的HEV電力傳動(dòng)傳動(dòng)子系統(tǒng)，該系統(tǒng)完全符合ASIL C/D功能安全要求標(biāo)準(zhǔn) (ISO 26262)。
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IGBT應(yīng)用設(shè)計(jì)全面剖析
- 如何做好IGBT的保護(hù)眾所周知，IGBT是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率...
- 關(guān)鍵字： IGBT 應(yīng)用設(shè)計(jì)
IGBT使用和設(shè)計(jì)新方法
- IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功...
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IGBT實(shí)用的驅(qū)動(dòng)電路及細(xì)節(jié)設(shè)計(jì)
- 1.IGBT的模型IGBT的模型在教科書上能找到，其柵極G，相當(dāng)于一個(gè)數(shù)納法(nF)的小電容(暫時(shí)這樣認(rèn)為)，這與MOS...
- 關(guān)鍵字： IGBT 驅(qū)動(dòng)電路 細(xì)節(jié)設(shè)計(jì)
如何控制IGBT逆變器設(shè)計(jì)中的雜散電感
- IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì) ...
- 關(guān)鍵字： IGBT 逆變器設(shè)計(jì) 雜散電感
大功率IGBT散熱器水冷熱阻計(jì)算
- 為了優(yōu)化水冷散熱器散熱能力，保障其可靠工作，引用了傳熱學(xué)中的基本原理與公式，以散熱器外形的機(jī)械尺寸、水的強(qiáng)制對流換熱系數(shù)和水的導(dǎo)熱系數(shù)作為參數(shù)及變量推導(dǎo)了散熱器水冷熱阻的計(jì)算公式。同時(shí)為了滿足實(shí)際應(yīng)用，開發(fā)了一種專用水冷散熱器熱阻計(jì)算和曲線繪制軟件，可以顯示熱阻隨參數(shù)變化而變化的各種曲線，也可以直接計(jì)算顯示熱阻值。為散熱器的設(shè)計(jì)中參數(shù)的優(yōu)化選擇提供直觀方便的參考。
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針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器
- 針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?200 W)，并且常常會(huì)把電
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器
一種新型的零電壓零電流三電平變換器的研究
- 摘要：針對采用IGBT的軟開關(guān)三電平變換器中IGBT關(guān)斷過程存在的電流拖尾現(xiàn)象，以及基本三電平拓?fù)渥儔浩鞔渭壌嬖诘碾妷哼^沖和電壓振蕩現(xiàn)象，提出了改進(jìn)型ZVZCS三電平結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)在基于拓?fù)涞娜娖綐虮蹅?cè)和兩電平橋臂
- 關(guān)鍵字： 三電平變換器 ZVZCS 輔助網(wǎng)絡(luò) IGBT
IGBT礎(chǔ)知識大全
- IGBT礎(chǔ)知識大全,有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字： IGBT 礎(chǔ)知識大全
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