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hyper-na 文章 進(jìn)入hyper-na技術(shù)社區(qū)
英特爾拿下首套High-NA EUV,臺(tái)積電如何應(yīng)對(duì)?
- 英特爾(intel)近日宣布,已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數(shù)值孔徑(High-NA)的ASML極紫外(EUV)光刻機(jī),預(yù)計(jì)在未來(lái)兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。 相較之下,臺(tái)積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略,業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才會(huì)采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,這也是臺(tái)積電暫時(shí)觀望的原因,臺(tái)積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù),以確保產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。Hig
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ASML:數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場(chǎng)
- 據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo),光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥(ASML)執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì)ITF World 2023表示,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開(kāi)發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù),滿(mǎn)足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示,自2010年以來(lái)EUV技術(shù)越來(lái)越成熟,半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年,以超過(guò)50%幅度前進(jìn),不過(guò)速度可能會(huì)在2030年放緩。故ASML計(jì)劃年底前發(fā)表首臺(tái)商用High-NA(NA=0.55)EUV微影曝光設(shè)備(原型制作),
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搭載恩智浦S32G3的廣汽埃安Hyper GT亮相2023上海車(chē)展

- 日前,廣汽埃安全新高端純電豪華品牌系列車(chē)型Hyper GT在2023上海車(chē)展正式亮相。仿佛穿越未來(lái)世界而來(lái),Hyper GT擁有的不僅是科幻旋翼的炫酷金屬外觀,更具有智能硬核內(nèi)在:新車(chē)基于廣汽AEP 3.0平臺(tái)打造,采用全新一代星靈電子電氣架構(gòu),更值得一提的是,Hyper GT也是全球首款采用恩智浦最新一代S32G3汽車(chē)處理器作為其中央計(jì)算單元處理器的車(chē)型。 廣汽埃安Hyper GT亮相2023上海車(chē)展(圖片來(lái)源:廣汽埃安) 星靈架構(gòu)是廣汽推出的全新一代 “車(chē)云一體化集中計(jì)算式電子電氣
- 關(guān)鍵字: 恩智浦 S32G3 廣汽埃安 Hyper GT 2023上海車(chē)展
拆解報(bào)告:HYPER JUICE 100W 3C1A氮化鎵快充充電器HJ417

- 海外知名充電配件品牌HYPER JUICE近期在indiegogo上眾籌了一款全新的100W快充充電器。這款產(chǎn)品基于納微GaNFast氮化鎵功率芯片,采用堆疊設(shè)計(jì)思路,不僅支持自帶可折疊的插腳,而且還集成了一個(gè)AC插口,在使用時(shí),不會(huì)占用兩孔插座,并支持最多16款充電器堆疊使用?! 』氐匠潆姳旧硪彩穷H有亮點(diǎn),配備了3C1A四個(gè)輸出接口,可同時(shí)滿(mǎn)足四臺(tái)電子設(shè)備的充電需求;在單口輸出時(shí),C口支持盲插輸出100W。同時(shí)借助氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了小巧的外形尺寸,出門(mén)攜帶比較方便?! £P(guān)于這款產(chǎn)品的性能,充電
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基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實(shí)現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移
- 航空氣象要素對(duì)飛行安全的影響越來(lái)越大,氣象探測(cè)設(shè)備的重要性也越來(lái)越高。成陽(yáng)國(guó)際機(jī)場(chǎng)配備了風(fēng)廓線(xiàn)雷達(dá),能夠?yàn)楹娇诊w行提供機(jī)場(chǎng)上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度?;诒U巷L(fēng)廓線(xiàn)雷達(dá)正常運(yùn)行的目的,通過(guò)Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法,結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗(yàn),實(shí)現(xiàn)了風(fēng)廓線(xiàn)雷達(dá)系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能,平均故障修復(fù)時(shí)間提高了95%。
- 關(guān)鍵字: 故障轉(zhuǎn)移集群 Hyper-V 風(fēng)廓線(xiàn)雷達(dá) 平均故障修復(fù)時(shí)間
尼康NA超過(guò)1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用
- 尼康日前正式宣布,2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝(hp55)芯片制造、開(kāi)口數(shù)(NA)為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過(guò)1的液浸ArF曝光設(shè)備。 這家大型半導(dǎo)體廠商的名字,尼康沒(méi)有公布,估計(jì)是過(guò)去在技術(shù)方面與之開(kāi)展合作的東芝。 作為全折射型液浸曝光設(shè)備,NSR-S609B具有全球最大的NA,配合偏光照明技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對(duì)于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問(wèn)題,據(jù)稱(chēng)利用名為“Local-fill(局部
- 關(guān)鍵字: NA 尼康 嵌入式系統(tǒng)
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