gan system 文章最新資訊

基于System Generator的目標(biāo)跟蹤的算法實(shí)現(xiàn)

目標(biāo)跟蹤指的是圖像目標(biāo)跟蹤，它對(duì)圖像序列中的動(dòng)目標(biāo)進(jìn)行檢測(cè)、提取、識(shí)別和跟蹤，獲得目標(biāo)的運(yùn)動(dòng)參數(shù)、運(yùn)動(dòng)軌跡，從而進(jìn)一步處理和分析，實(shí)現(xiàn)運(yùn)對(duì)動(dòng)目標(biāo)的行動(dòng)理解，以完成更高一級(jí)的任務(wù)?，F(xiàn)在目標(biāo)的跟蹤運(yùn)用于社會(huì)的各個(gè)角落，如國(guó)防、道路安檢等，所以它的前景無(wú)比巨大。
關(guān)鍵字： Xilinx System Generator

在當(dāng)今社會(huì)，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來(lái)說(shuō)：英國(guó)倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
關(guān)鍵字： GaN LED

基于模型的設(shè)計(jì)(MBD)因其在縮小實(shí)時(shí)系統(tǒng)抽象的數(shù)學(xué)建模和物理實(shí)現(xiàn)之間差距方面的光明前景而備受關(guān)注。通過(guò)使用相同的源代碼進(jìn)行算法分析、架構(gòu)探討、行為模擬和硬/軟件設(shè)計(jì)，MBD有望縮短系統(tǒng)設(shè)計(jì)周期。　　無(wú)需通曉硬
關(guān)鍵字：參數(shù) 時(shí)間 Generator System

超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
關(guān)鍵字： LED GaN MOSFET

首個(gè)融合電子商務(wù)與在線(xiàn)社區(qū)的電子元件分銷(xiāo)商e絡(luò)盟及其母公司element14今天宣布引入飛思卡爾半導(dǎo)體公司(Freescale semiconductor)的塔式系統(tǒng)(Tower System)。這是一種適用于8、16和32位微控制器和微處理器的模塊化開(kāi)發(fā)平臺(tái)，可通過(guò)快速的原型制作實(shí)現(xiàn)高級(jí)研發(fā)。
關(guān)鍵字： element14 微處理器 Tower System

1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái)，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是...
關(guān)鍵字： LED芯片硅襯底 GaN

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器，紫外光探測(cè)器，...
關(guān)鍵字： MOCVD GaN LED芯片

基于CPLD和Embedded System的LED點(diǎn)陣顯示,摘要：采用自頂向下的設(shè)計(jì)思想，綜合運(yùn)用EDA 技術(shù)、CPLD技術(shù)和共享式雙口RAM，解決了大屏幕LED點(diǎn)陣顯示屏無(wú)閃爍顯示的技術(shù)難題。給出了系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法及實(shí)際電路。LED點(diǎn)陣顯示屏是顯示公共信息的一種重要顯示終端，其中
關(guān)鍵字：點(diǎn)陣顯示 LED System CPLD Embedded 基于

摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
關(guān)鍵字： GaN S波段寬帶放大器

摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 探測(cè)器紅外量子 GaN

System C特點(diǎn)及FPGA設(shè)計(jì),一、概述　　

SYSTEM C 是由 Synospy Inc. 提出的，目前最新的版本為V2.0。它提出的目的就是以一種系統(tǒng)設(shè)計(jì)的思想進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。它將軟件算法與硬件實(shí)現(xiàn)很好的結(jié)合在一起，提高了整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率和正確性。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) FPGA 特點(diǎn) System

氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過(guò)15W，附加效率超過(guò)67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 功率放大器 GaN 一種

目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來(lái)很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
關(guān)鍵字： GaN LED 襯底功率型

　　美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠(chǎng)商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線(xiàn)通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
關(guān)鍵字： GaN MOSFET