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gan system 文章 最新資訊

TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

  • 　　基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
  • 關鍵字： TI  GaN   

安森美半導體推進更快、更智能和更高能效的GaN晶體管

  • 　　氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導體材料，用于電源系統(tǒng)的設計如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務器及通信電源等，可實現(xiàn)硅器件難以達到的更高電源轉(zhuǎn)換效率和更高的功率密度水平，為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能飛躍。　　GaN的優(yōu)勢　　從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關過程的反向恢復時間可忽略不計
  • 關鍵字： 安森美  GaN  

英國專家用半極性GaN生長高效益LED

  • 　　英國雪菲爾大學(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。 　　利用在M-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。 　　相較于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波長的藍位移隨著驅(qū)動電流增加而
  • 關鍵字： GaN  LED  

英國專家用半極性GaN生長高效益LED

  • 　　英國雪菲爾大學(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果?！　±迷贛-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED?！　∠噍^于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波
  • 關鍵字： GaN  LED  

波音和通用實驗室研發(fā)出GaN CMOS場效應晶體管

  • 　　由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實驗室-HRL實驗室已經(jīng)宣布其實現(xiàn)互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術(shù)的首次展示。該研究結(jié)果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。 　　在此過程中，該實驗室已經(jīng)確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。 　　氮化鎵晶體管在電源開關和微波/毫米波應用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
  • 關鍵字： GaN  場效應晶體管  

新型GaN功率器件的市場應用趨勢

  • 　　第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會　　時間：2016.01.14 下午　　地點：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡　　演講主題: 新型GaN功率器件的市場應用趨勢　　演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經(jīng)理　　主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會越來越依賴新型功
  • 關鍵字： GaN  功率器件  

物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導體芯片廠商？

  • 未來虛擬現(xiàn)實和智能汽車成為焦點，VR將會引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題，VR也必會給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來變革，而對于IoT可能帶來的更多變化，半導體廠商該如何應對?
  • 關鍵字： 物聯(lián)網(wǎng)  GaN  

第三代半導體崛起 中國照明能否彎道超車？

  • 　　近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導體研究前沿和熱點，中國也不例外地快馬加鞭進行部署。有專家指出，第三代半導體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類信息化社會發(fā)展的基石，是推動節(jié)能減排、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟發(fā)展方式，提升新一代信息技術(shù)核心競爭力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導體材料，能否讓中國掌控新一輪半導體照明發(fā)展的話語權(quán)? 　　   　　第三代半導體材料雙雄：SiC和GaN 　　半
  • 關鍵字： 半導體  GaN  

Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

  • 　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預計未來功率半導體市場將三分天下。 　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
  • 關鍵字： GaN  SiC  

硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用

  • 　　硅基GaN潛力大 　　近日，MACOM在京召開新聞發(fā)布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。” 　　圖1 GaN的巨大潛力 　　如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。
  • 關鍵字： GaAs  GaN  

實時功率GaN波形監(jiān)視的設計方案

  • 　　簡介 　　功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內(nèi)令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監(jiān)視的必要性。 　　使用壽命預測指標 　　功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使
  • 關鍵字： GaN  

氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇

  • 　　當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術(shù)。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。 　　   　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元 　　由碳化硅電力設備市場驅(qū)動，n型碳化硅基
  • 關鍵字： GaN  SiC  

氮化鎵元件將擴展功率應用市場

  • 　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。 　　Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產(chǎn)值。 　　目前銷售Ga
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  

EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道

  • 　　根據(jù)Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。 　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
  • 關鍵字： SiC  GaN  

高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量

  • 　　目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅(qū)動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
  • 關鍵字： SiC  GaN  電流傳感器  
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