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gan ipm 文章 最新資訊

基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術

  • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業(yè)界的普遍關注。
  • 關鍵字： GaN  LED  襯底  功率型    

GaN功率半導體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億

  • 　　美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預測，該產(chǎn)品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。 　　目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉
  • 關鍵字： GaN  MOSFET  

TMS32OF2812與DIP-IPM的通用電路設計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： TMS32OF2812  DSP  DIP-IPM  通用電路  

TMS 32OF2812與DIP-IPM的通用電路設計

  • 結合三相電機的調(diào)速控制原理，對高速數(shù)字信號處理器(DSP)TMS320F2812和三菱智能功率模塊DIP-IPM進行了詳細的介紹，提出了完整的的通用變頻電路設計方案。實驗結果表明，該方法控制精度高，工作穩(wěn)定，能夠實現(xiàn)多種類型變頻調(diào)速。
  • 關鍵字： DIP-IPM  2812  TMS  32    

基于IPM的三相無刷直流電機控制系統(tǒng)的設計

  • O 引言
    無刷直流電機因其體積小，重量輕，維護方便，高效節(jié)能等一系列優(yōu)點，被廣泛用于各個領域。尤其隨著高性能的單片機和專門用途的DSP(Digital Signal Processor)微處理器和集IGBT模塊及其驅動和保護于一身的
  • 關鍵字： IPM  無刷直流電動機  智能功率模塊  DSP  驅動  放大器  BLDC  

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
  • 關鍵字： MMIC  SiC  GaN  襯底    

基于DSP和IPM的變頻調(diào)速系統(tǒng)的硬件設計

  • 摘要：介紹一種基于DSP和IPM的變頻調(diào)速系統(tǒng)的硬件設計。該系統(tǒng)采用“自舉”電路，采用DSP直接驅動IPM，結構緊湊。該系統(tǒng)已投入批量生產(chǎn)，并經(jīng)過數(shù)年連續(xù)運行。實際運行表明，該系統(tǒng)穩(wěn)定可靠，滿足使用要求。 關鍵詞：DSP；IPM；變頻調(diào)速；硬件 引言 　　變頻調(diào)速技術廣泛應用于工業(yè)領域。隨著電力電子控制技術及元器件的不斷發(fā)展，變頻調(diào)速系統(tǒng)的集成度、智能化程度越來越高，硬件構成也越來越緊湊、簡單。DSP(數(shù)字信號處理器)＋IPM（智能功率模塊）就是變頻調(diào)速系統(tǒng)最新的發(fā)展方向之一
  • 關鍵字： DSP  IPM  200812  

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術平臺

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比，該技術平臺可將關鍵特定設備的品質因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能，并降低能耗。 　　開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 　　IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現(xiàn)電源轉換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉換專業(yè)知識方面
  • 關鍵字： IR  功率器件  GaN  終端  

測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術問題

  • 要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
  • 關鍵字： GAN  蜂窩  話音質量  

用于控制變速電動機的功率模塊

  • 　　改善洗衣機、電冰箱以及空調(diào)等家用電器能源使用效率的需求正在增加。從傳統(tǒng)的固定轉速馬達轉換到變速馬達可以節(jié)省能耗30%之多。但這種設計的難度較大，雖已經(jīng)出現(xiàn)了幾種方案來降低此類項目的數(shù)字設計工作難度，但是設計人員仍需要集成模塊和相關的設計工具來促進功率級的設計。 　　為了使低成本變速馬達控制器成為可能，元器件供應商設法通過簡化設計和降低結構復雜度來減少變速控制器的成本。例如，已經(jīng)出現(xiàn)了幾種數(shù)字信號控制平臺，它們結合了DSP和集成PWM和馬達控制外圍設備的RISC處理器。這些平臺可運行第三方或者自行開發(fā)
  • 關鍵字： 電動機  IPM  DSP  PWM  馬達  

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

  • 　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。 　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 　　1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 　　 　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 　　3. 在免授權的5.8G
  • 關鍵字： 三極管  WiMAX  Cree  GaN  

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進展

  • 　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延（MOVPE）反應腔中生長的。??????? 　　“對實現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說，在200mm硅晶圓上生長出
  • 關鍵字： 硅晶圓  GaN  200mm  MEMC  

如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話

  • 　　要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進行此類測試。 　　UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時在蜂窩網(wǎng)絡(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡融合發(fā)展過程中一項里程碑式的技術，UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
  • 關鍵字： 移動電話  UMA  GAN  SEGW  WLAN  
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