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gan ipm 文章 最新資訊

【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關鍵字： GaN  SiC  

【功率器件心得分享】MACOM GaN在無線基站中的應用

  • 　　MACOM GaN在無線基站中的應用　　用于無線基礎設施的半導體技術正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線基站的系統(tǒng)性能和運營成本產(chǎn)生深遠的影響。氮化鎵顯而易見的技術優(yōu)勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為LDMOS的天然繼承者服務于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高，但是MACOM公司
  • 關鍵字： GaN  MACOM  

無畏氮化鎵角逐中功率市場　碳化硅功率元件/模組商機涌現(xiàn)

  • 　　有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車用電子領域，商機已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進軍中功率市場。 　　可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。 　　臺達電技術長暨總
  • 關鍵字： SiC  GaN  

松下：力推阻容元件與開發(fā)工具，開關器件X-GaN效率更高

  • 　　松下被動元件展區(qū)，松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團隊產(chǎn)品市場經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu)，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?！　K和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時。三種類型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合?！　∷上录瘓F汽車&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator，可加速
  • 關鍵字： 松下  X-GaN  

IPM門極驅(qū)動隔離電路

  • IPM門極驅(qū)動隔離電路見圖3，它實現(xiàn)對80C196MC的6路WM信號與IPM的光電隔離，并實現(xiàn)驅(qū)動和電平轉換功能。光藉采用6N137，這是一種快速光耦，三極管N為9014，供電電壓為15V，該三極管將來自光藉的TTL電平轉換為IPM的門極驅(qū)動信...
  • 關鍵字： IPM  門極驅(qū)動  隔離電路  

最新Qorvo技術支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動器

  • 　　實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產(chǎn)品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進的通信、雷達和國防RF系統(tǒng)應用而言甚為關鍵。 　　該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達25 GHz，支持芯片級設計，通過K頻段應用提供頻率更
  • 關鍵字： Qorvo  GaN  

半導體大佬撐腰之下 GaN功率半導體能取代MOSFET？

  • 2010年，供應商發(fā)布了第一波基于GaN技術的功率半導體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術一直在尋找理想的應用空間。隨著時間的推移，這些器件預計將逐步應用到電動汽車、移動設備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
  • 關鍵字： GaN  MOSFET  

如何應對GaN測量挑戰(zhàn)

  • 功耗是當今電子設計以及測試中最熱門也是競爭最激烈的領域之一。這是因為人們對高能效有強烈需求，希望能充分利用電池能量，幫助消減能源帳單，或者支持空間敏感或熱量敏感型應用。在經(jīng)過30年的發(fā)展之后，硅MOSFET發(fā)
  • 關鍵字： GaN    測試  

中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞

  • 　　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)決策委員會主任曹健林，廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生，市委副書記、市長梁維東，國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲等領導出席中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會并見證簽約儀式。 　　副市長楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。 　　為廣東實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)化提
  • 關鍵字： 半導體  GaN  

Dialog加入功率元件市場戰(zhàn)局 GaN應用成長可期

  • 　　隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。 　　   　　Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall 　　透過臺積電以六寸晶圓廠的技術，Dialog推出了DA8801，Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示，該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
  • 關鍵字： Dialog  GaN  

以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

  • 　　德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體... 　　下一代行動無線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構模組
  • 關鍵字： GaN  5G  

GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界

  • 　　眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。 　　 ? 　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 　　不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
  • 關鍵字： GaN  SiC  

諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學應用新動態(tài)

  • 　　當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。 　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都是
  • 關鍵字： GaN  LED  

諾貝爾獎后　日本GaN產(chǎn)學應用新動態(tài)

  • 　　當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。 　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
  • 關鍵字： GaN  藍光LED  

我國發(fā)展化合物半導體產(chǎn)業(yè)正當時

  • 當前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關注點，我國應加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權。
  • 關鍵字： GaAs  GaN  
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