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GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源
- EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進應用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉(zhuǎn)換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運行的前端 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電力推進系統(tǒng)而設(shè)計。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63
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Wise計劃將GaN和數(shù)字控制器封裝在一起
- 法國電力初創(chuàng)公司 Wise Integration 正計劃推出一種帶有氮化鎵 （GaN） 晶體管的聯(lián)合封裝數(shù)字控制器，以簡化工業(yè)和數(shù)據(jù)中心 AI 電源系統(tǒng)的設(shè)計。與此同時，該公司推出了用于基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 （PFC） 的數(shù)字控制器。零電壓開關(guān) （ZVS） 開關(guān)算法在 STMicroelectronics 的 STM32G4 控制器中實現(xiàn)，形成 WiseWare1.1 控制器，支持高達 2MHz 的開關(guān)，適用于更小的設(shè)計，效率高達 98%?！皩τ诠緛碚f，將這款數(shù)字控制器推向市場是一個重要
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采用3D芯片設(shè)計的更快、更節(jié)能的電子設(shè)備
- 麻省理工學院和其他地方的研究人員開發(fā)了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標準硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學院網(wǎng)站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構(gòu)建許多微小的晶體管，切出每個單獨的晶體管，然后使用低溫工藝將所需數(shù)量的晶體管鍵合到硅芯片上，以保持兩種材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此產(chǎn)生的器件可以從緊湊的高速晶體管中獲得顯著的性能提升。此外，通過將 GaN 電路分離成可以分布在硅芯片上的分立晶體管，新技術(shù)能夠降低整個系統(tǒng)的溫度。研究人員使用這種
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探索TI GaN FET在類人機器人中的應用
- 類人機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約40個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源要求取決
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R課堂 | IGBT IPM的熱關(guān)斷保護功能（TSD）
- 關(guān)鍵要點BM6337xS系列 配備了可監(jiān)控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關(guān)斷電路，當LVIC的 T j 達到規(guī)定溫度以上時，熱關(guān)斷電路將啟動，會關(guān)斷下橋臂各相的IGBT，并輸出FO信號。在TSD已啟動的情況下，由于IGBT的 T j 已超過150°C的絕對最大額定值，因此需要更換IPM。該功能監(jiān)控的 T j 為LVIC芯片的 T j ，無法跟上IG
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如何在開關(guān)模式電源中運用氮化鎵技術(shù)
- 本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關(guān)所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關(guān)。
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納芯微高壓半橋驅(qū)動NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
- 納芯微發(fā)布專為增強型GaN設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅(qū)動能力，可以顯著簡化GaN驅(qū)動電路設(shè)計，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。應用背景近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗的顯著優(yōu)勢，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源、微型逆變器、車載充電機(OBC)等高壓大功率領(lǐng)域得到日益廣泛的應用。然而，GaN器件在實際應用中仍面臨諸多
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Finwave籌集820萬美元短期投資以推動市場發(fā)展
- 美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導者對其獨特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場潛力充滿信心，因為它正在從以技術(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動型公司。這家科技公司由麻省理工學院 （MIT） 的研究人員于 2012
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革新電力電子：氮化鎵雙向開關(guān)
- 傳統(tǒng)方法的局限性多年來，工程師們一直致力于解決單向開關(guān)的基本限制。當需要雙向電壓阻斷時，設(shè)計人員必須使用多個分立元件實現(xiàn)背靠背配置，導致系統(tǒng)復雜性增加、尺寸增大和成本上升。這些配置還會引入額外的寄生元件，從而影響開關(guān)性能和效率。此外，傳統(tǒng)的三端 UDS 設(shè)備無法獨立控制雙向電流流，限制了它們在高級電源轉(zhuǎn)換拓撲中的應用。 圖片由 Adobe Stock 提供 隨著行業(yè)向更高功率密度、更高效率和更低系統(tǒng)成本發(fā)展，這些挑戰(zhàn)變得越來越重要。傳統(tǒng)的使用背靠背分立開關(guān)的方法，在
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GaN可靠性里程碑突破硅天花板
- 半導體行業(yè)正處于性能、效率和可靠性必須同步發(fā)展的階段。AI 基礎(chǔ)設(shè)施、電動汽車、電源轉(zhuǎn)換和通信系統(tǒng)的需求正在將材料推向極限。氮化鎵 （GaN） 越來越受到關(guān)注，因為它可以滿足這些需求。該行業(yè)已經(jīng)到了這樣一個地步，人們的話題不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大規(guī)模地部署它。二十多年來，我專注于外延生長，見證了 GaN 從一種利基研究驅(qū)動型材料轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏﹄娮宇I(lǐng)域的領(lǐng)先競爭者。進展是穩(wěn)定的，不是一蹴而就的?，F(xiàn)在傾向于 GaN 的公司和工程師是為下一代系統(tǒng)定位自己的公司。設(shè)備性能從外延開始對于 G
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通過集成驅(qū)動器和高級保護功能簡化GaN電源設(shè)計
- 高效率和高功率密度是為當今產(chǎn)品設(shè)計電源時的關(guān)鍵特性。為了實現(xiàn)這些目標，開發(fā)人員正在轉(zhuǎn)向氮化鎵 （GaN），這是一種可實現(xiàn)高開關(guān)頻率的寬帶隙半導體技術(shù)。與競爭對手的功率半導體技術(shù)相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸，同時降低了柵極驅(qū)動和反向恢復損耗。此外，半導體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標準封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時簡化供應鏈。GaN 應用在 650 V AC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，變壓器外形無鉛 （TOLL） 封裝是電源設(shè)計的有效選擇。采用此封
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GaN FET在人形機器人中的應用
- 引言人形機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源
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【對話前沿專家】香港科技大學黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望
- _____在超寬禁帶半導體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。香港科技大學在氧化鎵研究領(lǐng)域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長、器件設(shè)計、性能優(yōu)化和應用開發(fā)等多個方面。通過與國際科研機構(gòu)和企業(yè)的合作，港科大團隊不僅推動了氧化鎵技術(shù)的發(fā)展，也為相關(guān)領(lǐng)域的應用提供了重要的技術(shù)支持。黃文海教授的團隊主要致力于氧化鎵器件全鏈條的研究。在材料生長方面，聚焦優(yōu)化晶體生長工藝，通過改進熔體生長技術(shù)，成
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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列
- 英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設(shè)計，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關(guān)應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓撲結(jié)構(gòu)可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時間較長，那么這種情況就會更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設(shè)
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