flash 文章進入flash技術(shù)社區(qū)

MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢

　　因應MCU成長快速及程序數(shù)據(jù)儲存需要，MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設(shè)計成為主流趨勢，MCU大廠也紛紛以購并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術(shù)，為下一代FlashMCU帶來的技術(shù)變革。　　
關(guān)鍵字： MCU Flash

基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計

基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計,1 引言

FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計存儲嵌入式 FLASH 基于

TMS320C6712的外部內(nèi)存自引導功能的實現(xiàn)

關(guān)鍵字：引導 FLASH ROM 中斷向量表內(nèi)存自引導

分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
關(guān)鍵字：南科 DRAM Flash

NAND Flash跌價深　上游大廠開始對模塊廠讓步

　　NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。　　近期NAND Flash價格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
關(guān)鍵字：三星電子 NAND Flash

分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
關(guān)鍵字：南科 DRAM Flash

臺系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

　　根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。　　
關(guān)鍵字：南科 DRAM Flash

NAND Flash市況兩極　靜待8月底補貨潮

　　2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。　　近期大陸因為亞運因素，
關(guān)鍵字： Apple NAND Flash

采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn)

采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn),1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面：一方面，可用Flash來保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對FPGA進行配置。
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 開發(fā) 實現(xiàn) SOPC 器件 Flash 存儲采用

DSP外部Flash存儲器在線編程的軟硬件設(shè)計

摘要：詳細介紹DSP與Flash存儲器的兩種硬件接口方式及在線編程，分析了兩種硬件接口方式下在線編程的區(qū)別，給出了相應的在線編程核心代碼并在實際電路上測試通過，可作為DSP嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的參考。
關(guān)鍵詞：在線編程
關(guān)鍵字：編程軟硬件設(shè)計在線存儲器外部 Flash DSP

VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設(shè)計與實現(xiàn)

VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設(shè)計與實現(xiàn),0 引言

在VxWorks的應用系統(tǒng)中，基于flash的文件系統(tǒng)通常都采用DOS+FAT+FTL的結(jié)構(gòu)。

一般情況下，磁盤文件系統(tǒng)大多是基于sector的文件系統(tǒng)，磁盤按照物理上分為柱面、磁盤、扇區(qū)，扇區(qū)是基于塊的文件系統(tǒng)操作的
關(guān)鍵字：設(shè)計實現(xiàn) TFFS Flash 文件系統(tǒng) VxWorks

U-Boot從NAND Flash啟動的實現(xiàn)

摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動給應用帶來些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動。分析了U-Boot啟動流程的兩個階段及實現(xiàn)從NAND Flash啟動的原理和思路，并根據(jù)NAND Flash的物理結(jié)構(gòu)和存儲特點，增加U-
關(guān)鍵字：實現(xiàn) 啟動 Flash NAND U-Boot

使用用CPLD和Flash實現(xiàn)FPGA的配置

電子設(shè)計自動化EDA(ElectronicDesignAutomation)是指以計算機為工作平臺，以EDA軟件為開發(fā)環(huán)境，以硬件描...
關(guān)鍵字： CPLD FPGA Flash RAM EDA VHDL

并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應用設(shè)計

引言隨著FPGA技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了一種新概念的嵌入式系統(tǒng)，即SOPC（SystemOnProgrammableChip）。SOPC技...
關(guān)鍵字： FPGA SOPC NOR Flash 嵌入式

TMS320C6201 處理器與FLASH存儲器接口設(shè)計

關(guān)鍵字： TMS320C6201/6701 FLASH 接口設(shè)計引導

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flash介紹

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構(gòu)成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]