flash 文章 進入flash技術(shù)社區(qū)
未來的Flash記憶體
- Flash記憶體加工尺寸正越來越小,容量越來越高,耗電量越來越低,但與CPU類似,到達某個尺寸后它也會迎來瓶頸,優(yōu)勢將變成劣勢?,F(xiàn)在市場上已有基于25nm或20nm制造工藝的SSD,東芝在上個月宣布了基于19nm制造工藝的SSD生產(chǎn)線。目前估計Flash記憶體制造尺寸最小為8nm,可能要到20年代后期才可能出現(xiàn)。 加州圣迭戈和微軟研究人員的一篇論文假 設(shè)NAND浮置柵極晶體管可用6.5nm制造工藝生產(chǎn),那么一塊SLC(單層存儲單元)Flash芯片容量能超過500 GB,而TCL(三層存儲單元)F
- 關(guān)鍵字: Flash SSD
基于TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口系統(tǒng)設(shè)計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: TMS320C6201 DSP Flash 存儲器接口
基于FPGA和FLASH ROM的圖像信號發(fā)生器設(shè)計
- 摘要:以XC2V1500-FPGA為硬件架構(gòu),設(shè)計了一種圖像信號發(fā)生器,作為自適應光學系統(tǒng)波前處理機的信號源,為波前處理機的調(diào)試和算法驗證提供支持。系統(tǒng)采用大容量的NAND型FLASH存儲數(shù)據(jù),存儲容量為1 GB。圖像數(shù)據(jù)通過
- 關(guān)鍵字: FLASH FPGA ROM 圖像信號發(fā)生器
flash介紹
閃存(Flash ROM):
是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場效應管構(gòu)成,寫入時,利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時,則利用高壓下的隧道效應,使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù),內(nèi)部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快,價格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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