- 在嚴苛的汽車環(huán)境中，各種功率場效應晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認為可承受極端的溫度變化和熱機械應力。間歇性短路、寒冷的運行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負載及多次短路久而久之會讓該器件疲損，致使其進入開路、短路或阻性模式。
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RTP器件 FET
- 在計算和消費電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進?！ C/DC平均系統(tǒng)
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改善 能量 效率 開關 FET 優(yōu)化 變換器 通過
- 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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GaN LED
- 在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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GaN LED
- 1、引言 行波管放大器（TWTA）具有寬頻帶、高增益、高效率等優(yōu)點，被廣泛應用于微波通信、雷達和電子對抗等技術領域中?！ WTA由空間行波管（TWT）和電子功率調(diào)節(jié)器（EPC）組成。EPC[1,2]是由大量電子元器件和高
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及其 影響 分析 參數(shù) 分布 高頻 變壓器 EPC
- 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關鍵材料之...
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LED GaN MOSFET
- 智能手機代表了射頻個人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設備基于...
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射頻開關 隔離度 插損 FET pHEMT
- 簡介
一提到電源設計，大多數(shù)工程師都會感到撓頭，他們往往會問，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
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intersil FET DC/DC
- 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅襯底 GaN
- Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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MOCVD GaN LED芯片
- 相對于標準系列，新元件采用了更為均質(zhì)的陶瓷材料，在提高穩(wěn)定性的同時，還允許高達280℃的回流焊接和波峰焊接加工。憑借上述性能，超級系列PTC產(chǎn)品已通過AEC-Q200 Rev-C標準驗證，可滿足汽車電子應用的苛刻要求。
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TDK-EPC SMD-PTC 方案
- 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN S波段 寬帶 放大器
- 摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應，通過設計適當?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
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設計 探測器 紅外 量子 GaN
- 摘要：本文簡述了物聯(lián)網(wǎng)EPC技術并分析了Savant中間件軟件系統(tǒng)的主要功能和框架結(jié)構(gòu)。在深入研究EPCgloabal后，借鑒EPCgloabl的中間件標準ALE，給出了一種Savant中間件軟件系統(tǒng)的設計思路，并從邏輯上驗證了該系統(tǒng)的完
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設計 中間件 EPC RFID 基于
- TDK-EPC：服務鐵路應用的產(chǎn)品與解決方案2009年生產(chǎn)電子元件的兩大巨頭日本TDK與德國愛普科斯合并，TDK在消費電...
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TDK EPC
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