熟女俱乐部五十路二区av,又爽又黄禁片视频1000免费,国产卡一卡二卡三无线乱码新区,中文无码一区二区不卡αv,中文在线中文a

首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5

三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

  • 　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計(jì)該部門將持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是針對(duì)高端服務(wù)器和高性能計(jì)算（HPC）市場(chǎng)的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案?！　〉聦?shí)證明，這家韓國(guó)巨頭可能還不滿足，因?yàn)樗?jì)劃在不久的將來的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財(cái)報(bào)電
  • 關(guān)鍵字： 三星  內(nèi)存  DRAM  DDR5    

SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

  • SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。         圖1. SK海力士推出1y納米級(jí)DDR5 DRAM          圖2. SK海力士推出1y納米級(jí)DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DDR5  DRAM  

7nm、24核心、DDR5、PCIe 4.0：Intel一下子都有了！

  • 早在2019年初的CES大展上，Intel就宣布了基于10nm工藝、面向5G無線基站的Snow Ridge SoC處理器，直到今年2月底才正式發(fā)布，定名凌動(dòng)Atom P5900，但沒有公布具體規(guī)格。根據(jù)最新消息，Snow Ridge的繼任者代號(hào)為“Grand Ridge”，而這次，詳細(xì)的規(guī)格參數(shù)提前一覽無余。Grand Ridge將采用7nm工藝制造，BGA封裝面積47.5×47.5平方毫米，而且特別強(qiáng)調(diào)是Intel自家的7nm HLL+工藝，這意味著它可能要到2023年才會(huì)面世。但等待是值得的，除了先進(jìn)
  • 關(guān)鍵字： 7nm  24核心  DDR5  PCIe 4.0  Intel  

曝英特爾11代移動(dòng)標(biāo)壓處理器明年Q1發(fā)布 支持DDR5內(nèi)存

  • 　　根據(jù)外媒 VideoCardz 的消息，9 月 2 日，英特爾將推出其 Tiger Lake-U 系列處理器，采用 Willow Cove 架構(gòu)和 Xe 核顯。爆料者 @momomo_us 的最新消息稱，英特爾計(jì)劃在 2021 年初推出名為 Tiger Lake-H 系列產(chǎn)品。▲via Vide
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  處理器  DDR5  

DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)確定，中國(guó)企業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)沒能入選

  • 都說一流的企業(yè)定標(biāo)準(zhǔn)，可見能夠參與制定標(biāo)準(zhǔn)的企業(yè)，都是最頂尖的企業(yè)，所以我們能夠看到每當(dāng)一項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)出爐時(shí)，各國(guó)的企業(yè)們都是打破頭的想把自己的標(biāo)準(zhǔn)定為國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)。比如大家最熟悉的通信標(biāo)準(zhǔn)制定，從1G到5G標(biāo)準(zhǔn)的確定，那可是一項(xiàng)波瀾壯闊的通信技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)史，也是中國(guó)通信技術(shù)的崛起史。而不久前，跳票了近2年時(shí)間之后，JEDEC終于確定了JESD79-5 DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，這也是一項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，有利于內(nèi)存企業(yè)們盡快推出自己的DDR5內(nèi)存。但與DDR4標(biāo)準(zhǔn)有中國(guó)企業(yè)參與不同，瀾起科技在DDR4F時(shí)代，發(fā)明的DDR
  • 關(guān)鍵字： DDR5  內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)  

PC 新時(shí)代！DDR5 內(nèi)存規(guī)范正式發(fā)布：最高速度達(dá) 6.4Gbps，單芯片密度達(dá) 64Gbit

  • 作為計(jì)算機(jī)內(nèi)存發(fā)展的重要里程碑，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布了下一個(gè)主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標(biāo)準(zhǔn)的最新迭代，DDR5再次擴(kuò)展了DDR內(nèi)存的功能，將峰值內(nèi)存速度提高了一倍，同時(shí)也大大增加了內(nèi)存容量。基于新標(biāo)準(zhǔn)的硬件預(yù)計(jì)將于2021年推出，先從服務(wù)器層面開始采用，之后再逐步推廣到消費(fèi)者PC和其他設(shè)備。外媒anandtech報(bào)道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關(guān)注點(diǎn)再次放在提高內(nèi)存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內(nèi)存速度將達(dá)到6.4Gbps
  • 關(guān)鍵字： PC  DDR5  內(nèi)存  

DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來了：頻率、帶寬提升，功耗降低

  • 去年下半年開始，使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機(jī)陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機(jī)的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來，那么它今天真的來了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)最初計(jì)劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規(guī)范正式公布，同時(shí)各大內(nèi)存廠商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進(jìn)行量產(chǎn)，不過一開始會(huì)用在服務(wù)器上，后來才是家用 PC 以及其他設(shè)備。本次的新標(biāo)準(zhǔn)主要提升了內(nèi)存密度和頻率，其中
  • 關(guān)鍵字： DDR5  內(nèi)存  

Intel拍胸脯：DDR5、PCIe 5.0明年見！

  • 因?yàn)榉N種原因,Intel的產(chǎn)品規(guī)劃這兩年調(diào)整非常頻繁,路線圖經(jīng)常出現(xiàn)變動(dòng),無論是消費(fèi)級(jí)還是企業(yè)級(jí)。在近日與投資者溝通時(shí),Intel公關(guān)總監(jiān)Trey Campbell就保證說,將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號(hào)Ice Lake-SP的下一代至強(qiáng)服務(wù)器平臺(tái),明年某個(gè)時(shí)候則會(huì)帶來Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動(dòng)端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構(gòu),并更換新的LGA4189封裝接口,核心數(shù)量和頻率暫時(shí)不詳(據(jù)說最多38核心),
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  CPU處理器  服務(wù)器  DDR5  至強(qiáng)  PCIe 5.0  Sapphire Rapids  

SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

  • 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。簡(jiǎn)單來說,DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會(huì)從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時(shí)代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進(jìn),兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進(jìn)一步緩解
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  SK海力士  DDR5  

SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

  •        盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾?！　『?jiǎn)單來說，DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳（廠商一般都會(huì)從4800MHz出貨）、最高可達(dá)8400MHz（時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……）?！　『诵娜萘棵芏确矫?，SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇，也就是說，DDR5時(shí)代單條內(nèi)存最大可到128GB?！　∑渌鼌?shù)也均有明顯改進(jìn)，兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DDR5  內(nèi)存  

Intel、AMD推遲支持：DDR5內(nèi)存明年殺到

  • 據(jù)外媒報(bào)道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,并且使用EUV工藝,制作將會(huì)在韓國(guó)平澤的新工廠進(jìn)行,三星同時(shí)宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復(fù)步驟,并提高了光刻的準(zhǔn)確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開發(fā)時(shí)間。三星估計(jì),使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會(huì)比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  內(nèi)存  GDDR5  DDR5  

中國(guó)芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常

  • 韓媒報(bào)道稱美國(guó)美光公司在中國(guó)地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道。最近的疫情危機(jī)不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開工。韓國(guó)媒體報(bào)道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國(guó)地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國(guó)區(qū)目前已經(jīng)開始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時(shí)中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴(yán)重?fù)p失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計(jì)劃,對(duì)客戶的供貨也會(huì)出現(xiàn)問題。針對(duì)這些報(bào)道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國(guó)際性新冠
  • 關(guān)鍵字： 美光  內(nèi)存  DDR5  

中國(guó)芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常

  • 韓媒報(bào)道稱美國(guó)美光公司在中國(guó)地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道。最近的疫情危機(jī)不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開工。韓國(guó)媒體報(bào)道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國(guó)地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國(guó)區(qū)目前已經(jīng)開始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時(shí)中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴(yán)重?fù)p失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計(jì)劃,對(duì)客戶的供貨也會(huì)出現(xiàn)問題。針對(duì)這些報(bào)道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國(guó)際性新冠
  • 關(guān)鍵字： DDR5  美光  

美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片

  • 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。
  • 關(guān)鍵字： 美光科技  DDR5 DRAM 芯片  

美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%

  • 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
  • 關(guān)鍵字： 美光  內(nèi)存  DDR5  
共103條 6/7 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 »
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473