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美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器，提升高性能計算工作負載

  • 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺提供一流的用戶體驗。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務器實驗室，以減少服務器內(nèi)存驗證時間，在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM （霄龍）處理器均已出貨，我們對其進行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負載基準測試。 長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預測；地震建模；化學、物理和生
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！

  • SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存， 起步速率就可以達到8Gbps，相比于標準的DDR5-4800快了多達80％ ，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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56核+8通道DDR5內(nèi)存 Intel確認發(fā)燒級CPU王者歸來

  • 還記得2018年Intel推出的至強W-3175X處理器嗎？當年這是Intel為了跟AMD競爭專業(yè)市場，將服務器版至強下放到了工作站，滿血28核56線程，還是唯一解鎖超頻的至強，售價超過2萬元。這款處理器在2021年就退役了，這兩年Intel的發(fā)燒級HEDT平臺也沒了動靜，至強W的繼任者也沒了音信，一度傳聞被取消，但是Intlel現(xiàn)在親自出面，證實了新一代工作站處理器要來了。他們的官推來看，Intel稱新一代的工作站處理器非?？?，暗示性能強大，甚至需要用戶重新規(guī)劃下去接咖啡的時間了，因為工作等待時間會更短
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瀾起科技：DDR5 世代內(nèi)存模組配套芯片需求將大幅增加

  • IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動記錄，瀾起科技在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，隨著 DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩(wěn)步提升，2022 年第三季度公司的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片收入均有所增長，從而推動互連類芯片產(chǎn)品線業(yè)務的增長。據(jù)介紹，內(nèi)存接口及模組配套芯片的需求量和服務器內(nèi)存模組的數(shù)量呈正相關(guān)。行業(yè)對內(nèi)存容量的需求是持續(xù)增加的，為滿足內(nèi)存容量的增長需求，主要通過兩種方式來實現(xiàn)，一是提升內(nèi)存顆粒密度，二是增加內(nèi)存模組數(shù)量。如果在一定時期內(nèi)存顆粒密度提升放緩，則內(nèi)存容量增
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DDR5加速滲透，封測龍頭帶來新消息

  • 近日，封測龍頭長電科技宣布，高性能動態(tài)隨機存儲DDR5芯片成品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。隨著5G高速網(wǎng)絡、云端服務器、智能汽車等領(lǐng)域?qū)Υ鎯ο到y(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢，給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性，市場前景廣闊。反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的存儲芯片效能不斷提升，對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時延，以及更短互連等要求。為此，長電科技通過各種先進的2.5D/3D封裝技術(shù)，實現(xiàn)同尺寸
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美光 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺出貨

  • 2022 年 11 月 18 日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務器配備更多處理內(nèi)核的CPU，其單個CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強強聯(lián)合，使
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美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器

  • 當?shù)貢r間11月10日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器，該存儲器已針對新的AMD EPYC? 9004系列處理器進行了驗證。隨著現(xiàn)代服務器將更多處理內(nèi)核裝入CPU，每個CPU內(nèi)核的存儲器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴展性。據(jù)介紹，美光將配備其DDR5的單個第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
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SMART Modular 世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM 內(nèi)存模塊

  • 隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲存解決方案領(lǐng)導者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊，為刀鋒服務器專用VLP模組產(chǎn)品添增生力軍。 專為網(wǎng)通及高算力應用所需1U刀鋒服務器而生隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲存解決方案領(lǐng)導者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊，為
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DDR5內(nèi)存與上一代價差縮小，后市滲透率或借機提升

  • 據(jù)媒體報道，因筆電市場低迷，沖擊DDR5內(nèi)存價格跌幅進一步擴大，可望推動各廠商在2023年啟動產(chǎn)品世代轉(zhuǎn)換，DDR5將隨之放量。從具體跌價幅度來看，TrendForce集邦咨詢預估，2022年第四季度DRAM跌幅約在13%~18%左右，而DDR5價格跌幅大于DDR4。市場消息上，英睿達、美光16GB DDR5 4800筆記本內(nèi)存條當前秒殺價為499元，而今年6月份售價則一直穩(wěn)定在699元左右，跌幅超28%。DDR5為何跌跌不休？據(jù)了解，PC市場是DDR5的關(guān)鍵終端市場之一。然而近期PC市場情況并不樂觀，終
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DDR5價格漸親民，巨頭紛紛押注推動入市

  • 近期，DDR4和DDR5價格持續(xù)下跌，吸引了不少消費者的持續(xù)關(guān)注。目前消費電子疲軟還在繼續(xù)，據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，第四季度DRAM價格跌幅將擴大至13~18%。從積極方面考量，價格的親民化或?qū)⒓铀貲DR5的入世，DDR5有望加速成為行業(yè)主流。DDR5對比DDR4的優(yōu)勢從過往歷史看，每代DDR新標準發(fā)布后都需要經(jīng)過2年左右的優(yōu)化，才能實現(xiàn)性能的較為全面的穩(wěn)定提升，而后實現(xiàn)對上一代產(chǎn)品的市場替代則可能需要3到5年的時間。業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。據(jù)悉，DDR4
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DDR5內(nèi)存滿足未來內(nèi)容創(chuàng)作、發(fā)布和消費的更高要求

  • 在過去的十年時間里，隨著程序與應用、數(shù)據(jù)集與復雜代碼，以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領(lǐng)域的空前發(fā)展，DDR4技術(shù)已不堪重負，難以跟上行業(yè)發(fā)展步伐。隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加，為了應對這些海量需求，內(nèi)存技術(shù)也需要進一步擴展。下一代系統(tǒng)中的DDR5內(nèi)存是實現(xiàn)當前所需性能的最佳解決方案，同時能夠進一步擴展，以滿足未來內(nèi)容創(chuàng)作、內(nèi)容發(fā)布和內(nèi)容消費的更高要求。內(nèi)容創(chuàng)作內(nèi)容創(chuàng)作者受到了DDR4技術(shù)的限制，因為他們的高性能工作臺消耗了增加的內(nèi)存密度或內(nèi)存帶寬。等待時間延長導致效率降低，甚至無法進行多任
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GeIL 推出支持 AMD EXPO 的 DDR5 內(nèi)存，內(nèi)置兩個小風扇

  • IT之家 8 月 31 日消息，今年 5 月份，GeIL 發(fā)布了 EVO V DDR5 RGB 內(nèi)存條，采用了雙風扇散熱系統(tǒng)，將 RGB 燈效和雙風扇主動式的散熱設計結(jié)合到一體成型的模組中?，F(xiàn)在，GeIL EVO V DDR5 RGB 內(nèi)存條推出了支持 AMD EXPO 超頻技術(shù)的型號。據(jù)介紹，該系列內(nèi)存采用了 GeIL 獨家主動雙風扇散熱系統(tǒng)，支持 6400MHz 一鍵超頻，采用了獨家優(yōu)化的 RGB 照明設計，兼容 AM5 平臺。根據(jù) GeIL 之前的介
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朗科DDR5內(nèi)存來了，4800MHz高頻率帶幻彩RGB燈效

  • 經(jīng)歷漫長的產(chǎn)品周期，內(nèi)存進入了DDR5時代。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5在帶寬速度、單芯片密度以及工作頻率等方面有明顯的提升，DDR5標準性能更強，功耗更低。專業(yè)設計、視頻剪輯、大型游戲都離不開高容量高性能的內(nèi)存，為了帶給用戶更好的使用體驗，更高的性能，朗科推出了絕影RGB DDR5。　　DDR5將每只模組升級成2個獨立32位子通道，擁有多達8個Bank groups組成32Banks，Burst Length提升至16個，均是DDR4的2倍，在傳輸更大量數(shù)據(jù)的同時降低了數(shù)據(jù)傳輸?shù)却龝r間，帶來全新的體驗。
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美光面向數(shù)據(jù)中心客戶推出 DDR5 服務器 DRAM， 推動下一代服務器平臺發(fā)展

  • 關(guān)鍵優(yōu)勢：● 隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加，改進后的內(nèi)存架構(gòu)相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達 64GB 的模組容量，能夠支持內(nèi)存密集型工作負載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構(gòu)改進和模組內(nèi)建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運行性能 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
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DDR5內(nèi)存到底升級了什么？

  • 隨著11月初各大主板廠商Z690系列主板的發(fā)售，家用電腦上的內(nèi)存終于進入了DDR5的時代。那么DDR5相比過去的DDR4都有哪些變化呢？以及現(xiàn)在值得買嗎？外觀方面在外觀方面，DDR5和DDR4的區(qū)別主要有兩方面。第一，在內(nèi)存條中間的部分多了一些電子模塊。第二，內(nèi)存條下部的防呆口位置發(fā)生了改變。來源：金士頓防呆口位置發(fā)生改變也就意味著DDR5的內(nèi)存條與DDR4的內(nèi)存條物理上不兼容。現(xiàn)在老主板上的內(nèi)存插槽一般都是DDR4或者DDR3的，如果你想升級DDR5的內(nèi)存條就必須換新主板。關(guān)于新主板方面，目前發(fā)售的主板
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