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DDR3：千呼萬(wàn)喚始出來(lái) 尤抱琵琶半遮面
- 內(nèi)存是PC機(jī)重要的部件之一，一般而言，每代內(nèi)存規(guī)格的生命周期為3-5年，如今DDR2規(guī)格在經(jīng)歷了4年左右的發(fā)展后，已經(jīng)進(jìn)入了其生命的最后歷程。 隨著電腦技術(shù)以及應(yīng)用軟件的不斷進(jìn)步，在各種應(yīng)用當(dāng)中， DDR2內(nèi)存無(wú)論在性能還是功耗上對(duì)現(xiàn)今以及未來(lái)的需求都顯的有些捉襟見(jiàn)肘。作為IT行業(yè)的領(lǐng)跑者，在Intel現(xiàn)階段以及今后的發(fā)展藍(lán)圖中，我們可以看見(jiàn)DDR3內(nèi)存正逐漸取代DDR2。 作為即將取代DDR2規(guī)格內(nèi)存的DDR3，相比DDR2頻率上限更高且電壓更低，這些改進(jìn)能為我們帶來(lái)什么好處呢？
- 關(guān)鍵字： DDR3 Windows Vista 功耗 內(nèi)存 DDR2
在DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器接口中使用調(diào)平技術(shù)
- 引言 DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)提高了帶寬，總線速率達(dá)到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz)，它采用1.5V工作，降低了功耗，90-nm工藝密度提高到2 Gbits。這一體系結(jié)構(gòu)的確速率更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但是怎樣才能實(shí)現(xiàn)DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?調(diào)平技術(shù)是關(guān)鍵。如果FPGA I/O結(jié)構(gòu)中沒(méi)有直接內(nèi)置調(diào)平功能，和DDR3 SDRAM DIMM的接口會(huì)非常復(fù)雜，成本也高，需要采用大量的外部元件。那么，什么是調(diào)平技術(shù)，這一技
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DRAM過(guò)剩為DDR3內(nèi)存加速普及帶來(lái)良機(jī)
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，人們現(xiàn)在可以歡呼DRAM內(nèi)存芯片的供過(guò)于求，雖然它影響了一些公司和它們的庫(kù)存產(chǎn)品價(jià)格。從積極的角度看，較低的內(nèi)存價(jià)格正在刺激電腦制造商在新機(jī)器上安裝更多DRAM芯片，同時(shí)將促使DRAM制造商加快推出速度更快和更先進(jìn)的第三代內(nèi)存芯片。 全球最大DRAM制造商三星電子公司相信，內(nèi)存價(jià)格下跌將加快業(yè)界采用更大字節(jié)容量DRAM芯片的步伐，其速度將大大超過(guò)以往。就在三個(gè)月前，三星公司曾表示，由于價(jià)格疲弱，電腦標(biāo)配內(nèi)存已從512M變成了1G。 目前，主流DRAM芯片為1G字
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FPGA如何同DDR3存儲(chǔ)器進(jìn)行接口?
- 大家好，我叫Paul Evans，是Stratix III產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理。到目前為止，我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器工作，今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯(cuò)，如屏幕上所示。 為了更好地進(jìn)行演示，我們將使用這里所示的Stratix III DDR3存儲(chǔ)器電路板。它上面有幾個(gè)高速雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器，例如DDR2 UDIMM插槽、RLD RAM、QDR，當(dāng)然，還有DDR3 UDIMM插槽。因此，我們所要做的就是通過(guò)Quartus軟件來(lái)下載一個(gè)簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)，F(xiàn)PGA
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奇夢(mèng)達(dá)1GB和2GB的省電DDR3 SO-DIMMs開(kāi)始出貨
- 奇夢(mèng)達(dá)公司宣布1GB和2GB的 DDR3 SO-DIMM內(nèi)存模塊 (Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的樣品開(kāi)始出貨給主要客戶，以布局下一代的筆記型計(jì)算機(jī)市場(chǎng)。奇夢(mèng)達(dá)將其最新的DDR3 SO-DIMMs最佳化，提供了超強(qiáng)的省電功能，已居于業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)地位。在移動(dòng)運(yùn)算中，省電是新DDR3內(nèi)存接口很重要的價(jià)值體現(xiàn)，因它能在筆記型計(jì)算機(jī)及其它移動(dòng)運(yùn)算應(yīng)用裝置中，讓電池有較長(zhǎng)壽命且仍保持較高的性能表現(xiàn)。奇夢(mèng)達(dá)率先于2006年6
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Stratix III FPGA性能達(dá)到了533-MHz DDR3接口標(biāo)準(zhǔn)
- Altera公司宣布，Stratix® III FPGA的DDR3存儲(chǔ)器接口速率超過(guò)1067 Mbps，存儲(chǔ)器性能比競(jìng)爭(zhēng)FPGA解決方案高出33%。更寬的存儲(chǔ)器帶寬支持新的通信、計(jì)算和視頻處理應(yīng)用，以前很難實(shí)現(xiàn)這類應(yīng)用或者需要增加存儲(chǔ)器塊才能實(shí)現(xiàn)。Altera的Stratix III FPGA系列是業(yè)界唯一完全符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的FPGA，該標(biāo)準(zhǔn)包括為提高性能而制定的高性能讀寫均衡規(guī)范。 Altera高端產(chǎn)品營(yíng)銷資深總監(jiān)David Greenfie
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Altera宣布Stratix® III FPGA的DDR3存儲(chǔ)器接口速率超過(guò)1067 Mbps
- Altera公司宣布，Stratix® III FPGA的DDR3存儲(chǔ)器接口速率超過(guò)1067 Mbps，存儲(chǔ)器性能比競(jìng)爭(zhēng)FPGA解決方案高出33%。更寬的存儲(chǔ)器帶寬支持新的通信、計(jì)算和視頻處理應(yīng)用，以前很難實(shí)現(xiàn)這類應(yīng)用或者需要增加存儲(chǔ)器塊才能實(shí)現(xiàn)。Altera的Stratix III FPGA系列是業(yè)界唯一完全符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的FPGA，該標(biāo)準(zhǔn)包括為提高性能而制定的高性能讀寫均衡規(guī)范。 Altera高端產(chǎn)品營(yíng)銷資深總監(jiān)David Greenfie
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奇夢(mèng)達(dá)DDR3內(nèi)存組件和模組經(jīng)過(guò)英特爾認(rèn)證
- 奇夢(mèng)達(dá)近日宣布，作為首批DRAM供應(yīng)商之一 ，已開(kāi)始向重要的主板廠商和超頻內(nèi)存模組制造商提供全新的DDR3組件和模組。此外，奇夢(mèng)達(dá)新一代DDR3 DRAM產(chǎn)品已通過(guò)英特爾平臺(tái)的認(rèn)證。 奇夢(mèng)達(dá)目前可提供512 MB DDR3 SDRAM組件和具備512MB和1GB存儲(chǔ)密度的 DDR3非緩沖DIMM。當(dāng)前提供的這些器件支持800MHz、1066MHz 和 1333MHz的工作速度，甚至可超頻到1600MHz及以上，使它們成為迄今為止行業(yè)速度最快的器件。超頻是提高高端應(yīng)用PC系統(tǒng)性能的常用技術(shù)，例如3
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ddr3介紹
目錄概述
設(shè)計(jì)
發(fā)展
DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn)
概述
針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢(shì)如下：
(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細(xì) ]
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